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電子デバイス研究会（ED）

[schedule] [select]

専門委員長		加地徹 (豊田中研)
副委員長		原直紀 (富士通研)
幹事		須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)
幹事補佐		葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		奈良安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長		大野裕三 (筑波大)
幹事		野村晋太郎 (筑波大)，笹子佳孝 (日立)

日時	2012年 6月27日(水)　08:40 - 19:00 2012年 6月28日(木)　08:30 - 12:00 2012年 6月29日(金)　08:15 - 12:40
議題	2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ
会場名	沖縄県青年会館
住所	〒900-0033 沖縄県那覇市久米2-15-23
交通案内	モノレール旭橋駅下車徒歩５分 http://www.okiseikan.or.jp/new/news.php
会場世話人連絡先	琉球大学野口隆 098-864-1780
他の共催	◆IEEK共催

6月27日(水) 午前 Opening Session 08:40 - 08:50
	08:40-08:50	Opening Address　（ 10分）
6月27日(水) 午前 Plenary Session 08:50 - 10:50
(1)	08:50-09:30	［基調講演］TCAD challenges and opportunities for predictive development	Yongwoo Kwon・○Dae Sin Kim・Young-Kwan Park（Samsung Electronics）
(2)	09:30-10:10	［基調講演］More-than-Moore Devices based on Advanced CMOS Technologies	○Hitoshi Wakabayashi（Sony）
(3)	10:10-10:50	［基調講演］GaNパワーデバイスの最新技術	○上田大助（パナソニック）
	11:00-11:10	Short Break　（ 10分）
6月27日(水) 午前 Si-based Power Device Technology 11:00 - 12:00
(4)	11:00-11:15	Electrical characteristics of IGBT using a field stop trench gate structure	○Ey Goo Kang（Far East Univ.）・Eun Sik Jung（Maplesemiconductor Incorporated）・Yong Tae Kim（KIST）
(5)	11:15-11:30	Optimization and characterization of 600V super junction power MOSFET using a deep trench structure	○Yong Tae Kim（KIST）・Eun Sik Jung（Maplesemiconductor Inc.）・Ey Goo Kang（Far East Univ.）
(6)	11:30-12:00	［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices	○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.）
6月27日(水) 午前 Detectors and Sensors 11:00 - 12:15
(7)	11:00-11:30	［招待講演］III-nitride-based Visible-blind and Solar-blind Photodetectors	○Hai Lu・Rong Zhang・Youdou Zheng（School of ESE, Nanjing Univ.）
(8)	11:30-11:45	The Very Fast Transferred Pixel with a Multi-Pinchoff Photodiode for Wafer-Scale X-Ray Sensor	○Joonghyeok Byeon・Jongmin Kim・Won-Young Jung（Dongbu Hitek）・Ji-Hoon Lim・Jae-Kyung Wee（Soongsil Univ.）
(9)	11:45-12:15	［招待講演］Plasmonic Terahertz Wave Detectors Based on Silicon Field-Effect Transistors	○Kyung Rok Kim・Min Woo Ryu・Sunhae Shin・Hee Cheol Hwang・Kibog Park（UNIST）
	12:15-13:15	Lunch Break　（ 60分）
6月27日(水) 午後 MOSFETs and Memory Technology 13:15 - 15:00
(10)	13:15-13:30	Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors	○Sang Wan Kim（Seoul National Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Min-Chul Sun・Hyun Woo Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）
(11)	13:30-13:45	The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar	○Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）
(12)	13:45-14:00	A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET	○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）
(13)	14:00-14:15	Effects of Random Dopant Fluctuations on NAND Flash Memory Cells	Jungeun Kang・○Boram Han（Sogang Univ.）・Kyoung-Rok Han・Chung sung Jae・Gyu-Seog Cho・Sung-Kye Park・Seok-Kiu Lee（SK Hynix）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）
(14)	14:15-14:30	Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field	○Do-Bin Kim・Yoon Kim・Se Hwan Park・Wandong Kim・Joo Yun Seo・Seung-Hyun Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）
(15)	14:30-14:45	A Novel CMOS-Based PNP BJT Structure for Analog Applications	○Seon-Man Hwang・Yi-Jung Jung・Hyuk-Min Kwon・Jae-Hyung Jang・Ho-Young Kwak・Sung-Kyu Kwon（Chungnam National Univ.）・Yi-Sun Chung・Da-Soon Lee・Jong-Kon Lee（Magnachip Semiconductor Inc.）・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ.）
(16)	14:45-15:00	100nm-gate-length Normally-off Accumulation-Mode FD-SOI MOSFETs for Low Noise Analog/RF Circuits	○Hidetoshi Utsumi・Ryohei Kasahara・Yukihisa Nakao・Rihito Kuroda・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）
	15:00-15:15	Break　（ 15分）
6月27日(水) 午後 TFT Technology I 15:15 - 16:45
(17)	15:15-15:30	Field-induced degradation of organic field effect transistors under vacuum condition	Hoonsang Yoon・○Youngjin Kang・Jongsun Choi・Hyungtak Kim（Hongik Univ.）
(18)	15:30-15:45	Nonvolatile Memory Thin-Film Transistors Using Solution-Processed Oxide Semiconducting Channel and Ferroelectric Polymer Gate Insulator	Jun-Yong Bak（Kyung Hee Univ.）・Soon-Won Jung・Ho-Jun Ryu・Sang-Hee Ko Park・Chi-Sun Hwang（ETRI）・○Sung-Min Yoon（Kyung Hee Univ.）
(19)	15:45-16:00	Influence of co-sputtered HfO2-Ti gate dielectric in IZO-based Transparent thin film transistors	○Jungil Yang・Donghee Lee・Dongkyu Cho・Sanghyun Woo・Yoosung Lim・Sungmin Park・Daekuk Kim・Moonsuk Yi（PNU.）
(20)	16:00-16:15	A New RSD Bottom Gate Poly-Si Thin Film Transistor With Inside Spacer	○Yi-Hsiang Chiu・Shan-Jen Yang・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ.）
(21)	16:15-16:30	The study on A Novel Asymmetric Poly-Si Thin Film Transistor With Low Drain Electric Field	○Meng-Shan Chi・Tzung-Ju Lin・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ.）
(22)	16:30-16:45	Influence of grain size deviation on device characteristics of TFTs and displays for OLED driving	○Katsuya Shirai・Takashi Noguchi（Univ. of the Ryukyus）
	16:45-17:15	Break　（ 30分）
6月27日(水) 午後 TFT Technology II 17:15 - 18:45
(23)	17:15-17:30	Crystallization of a-Si Films with Smooth Surface Using Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing	○Tatsuya Okada・Jean de Dieu Mugiraneza・Katsuya Shirai・Takuma Nishinohara・Tomoyuki Mukae・Keisuke Yagi・Takashi Noguchi（Univ. Ryukyus）
(24)	17:30-17:45	Characterization of Optimized Sputtered Poly-Si Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing for High Performance Displays	○Takuma Nishinohara・J. D. Mugiraneza・Katsuya Shirai・Tatsuya Okada・Takashi Noguchi（Univ. of the Ryukyus）
(25)	17:45-18:00	Effective Annealing of Si Films as an advanced LTPS	○Takashi Noguchi・Takuma Nishinohara・Jean de Dieu Mugiraneza・Katsuya Shirai・Tatsuya Okada（Univ. Ryukyus）
(26)	18:00-18:15	Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor	○Shunki Koyanagi・Shohei Hayashi・Tsubasa Mizuno・Kouhei Sakaike・Hiroaki Hanafusa・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）
(27)	18:15-18:30	Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth	○Yuki Tojo・Ryo Matsumura・Hiroyuki Yokoyama・Masashi Kurosawa・Kaoru Toko・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.）
(28)	18:30-18:45	Formation of (111)-oriented large-grain Ge crystal on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique	○Jonghyeok Park・Tsuneharu Suzuki・Masanobu Miyao・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）
6月27日(水) 午後 Interconnects and Integration Technologies 13:15 - 15:00
(29)	13:15-13:30	Loss characteristic of Comb-type Capacitive Transmission Line on MMIC	○Eui-Hoon Jang・Jang-Hyeon Jeong・Sung-Jo Han・Ki-Jun Son・Young Yun（Korea Maritime Univ.）
(30)	13:30-13:45	Loss characteristic of Coplanar Waveguide Employing Periodic Structure on RFIC	○Jang-Hyeon Jeong・Eui-Hoon Jang・Sung-Jo Han・Ki-Jun Son・Young Yun（Korea Maritime Univ.）
(31)	13:45-14:00	A Simple Dual-Loop Optoelectronic Oscillator with Reduced Spurious Tones Using a Multi-Electrode Semiconductor Laser	○Jun-Hyung Cho・Seo-Weon Heo・Hyuk-Kee Sung（Hongik Univ.）
(32)	14:00-14:15	A chip scale wafer level packaging for LED using surface aligning technique.	○Jin Kwan Kim・Hee Chul Lee（KAIST）
(33)	14:15-14:30	Stress Measurement Errors induced by the Strain Effects in Resistor-based Stress Sensors on (111) silicon	○Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.）
(34)	14:30-14:45	Comparison of thin film properties of WN diffusion barrier prepared by atomic layer deposition using metal organic and metal halide reactant gases	○Yeong Hyeon Hwang（KIST）・Won-Ju Cho（Kwangwoon Univ.）・Yong Tae Kim（KIST）
(35)	14:45-15:00	Fabrication of β-FeSi2 thin films on Si using solid-phase growth reaction from Fe and FeSi sources	○Katsuaki Momiyama・Kensaku Kanomata・Takahiko Suzuki・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ.）
	15:00-15:15	Break　（ 15分）
6月27日(水) 午後 Circuit Technology I 15:15 - 17:00
(36)	15:15-15:45	［招待講演］CIS in high-end mobile camera	○Kangbong Seo・Kyoungin Lee・Siwook Yoo・Sangdong Yoo・Kyoungdong Yoo（SK Hynix）
(37)	15:45-16:15	［招待講演］Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits	○Seiya Kasai（Hokkaido Univ.）・Shaharin Fadzli Abd Rahman（UTM/Hokkaido Univ.）・Masaki Sato・Xiang Yin（Hokkaido Univ.）・Toshihiko Maemoto（Osaka Inst. Tech.）
(38)	16:15-16:30	A 140-GHz Fully Differential Common-Source Amplifier in 65nm CMOS	○Hyunchul Kim・Daekeun Yoon・Jae-Sung Rieh（Korea Univ.）
(39)	16:30-16:45	An Area-Efficient CMOS Delay-Locked Loop	○Sungkeun Lee・Se-Weon Heo・Jongsun Kim（Hongik Univ.）
(40)	16:45-17:00	A Wide Range and High Resolution CMOS DCC	○Sangwoo Han・Jongsun Kim（Hongik Univ.）
	17:00-17:15	Break　（ 15分）
6月27日(水) 午後 Circuit Technology II 17:15 - 19:00
(41)	17:15-17:30	A 0.5-V 2.4-GHz CMOS Voltage-Controlled Oscillator for Wireless Sensor Network Application	○Seunghyeon Kim・Hyunchol Shin（Kwangwoon Univ.）
(42)	17:30-17:45	A 2.4-GHz CMOS Single-Chip OOK Transceiver for Wireless Sensor Network Applications	○Seunghyeon Kim・Hyun Kim・Hyunchol Shin（Kwangwoon Univ.）
(43)	17:45-18:00	The Robust Cgd/Cgs Measurement Method of 85V nLDMOS	○Won-Young Jung・Jin-Soo Kim・Taek-Soo Kim（Dongbu Hitek）
(44)	18:00-18:15	Design of Small-Area and High-Reliability 512-Bit EEPROM IP and its Measurement	○Liyan Jin・Geon-Soo Yonn・Dong-Hoon Lee・Ji-Hye Jang・Mu-Hun Park・Pan-Bong Ha・Young-Hee Kim（Changwon National Univ.）
(45)	18:15-18:30	Design of a Differential Paired eFuse One-Time Programmable Memory IP and its Measurement	○Huiling Yang・Min-Sung Kim・Ji-Hye Jang・Mu-hun Park・Pan-Bong Ha・Young-Hee Kim（Changwon National Univ.）
(46)	18:30-18:45	A Design of 5 - 6 GHz Band Rat-Race Hybrid Ring Coupler with Improved Phase-Error for Microstrip Structure	○Kyunghoon Kim・Dohyung Kim・Junghyun Shin・Jinwook Burm（Sogang Univ.）
(47)	18:45-19:00	A Power-Efficient 4-PAM Serial Link Receiver using a fully differential Rail-to-Rail input Dynamic Latch for Wide Dynamic Range	○Junan Lee・Daeho Yun・Bongsub Song・Jinwook Burm（Sognag Univ.）
6月28日(木) 午前 Memory Technology 08:30 - 10:40
(48)	08:30-08:45	Modeling of Triangular Sacrificial Layer Residue Effect in Nano-Electro-Mechanical Nonvolatile Memory	○Min Su Han・Yeong Hwan Kim・Kyung Soo Kim・Jae Min Lee・Youngcheol Oh・Woo Young Choi（Myongji Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Il Hwan Cho（Myongji Univ.）
(49)	08:45-09:00	Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior	○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）
(50)	09:00-09:15	Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System	○Motoki Fukusima（Nagoya Univ.）・Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）
(51)	09:15-09:30	Nonvolatile Polymer Memory-cell embedded with Ni Nanocrystals Surrounded by NiO in Polystyrene	○Jong-Dae Lee・HyunMin Seung・Chang-Hwan Kim・Jea-Gun Park（Hanyang Uni.）
(52)	09:30-09:45	Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy	○Daichi Takeuchi・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）・Hirokazu Kaki・Tsukasa Hayashi（NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.,）
(53)	09:45-10:00	Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures	○Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）
	10:00-10:40	Break　（ 40分）
6月28日(木) 午前 Energy Harvesting 08:30 - 09:45
(54)	08:30-09:00	［招待講演］Voltage Multiplier Circuits and Radio Wave Generation Module for Energy Harvesting System	Saejeong Choi・Changsun Kim・Hyunshin Lee・Inyoung Kim・Dongchul Park（MJU）・Sooyoung Min・Yunsik Lee（KETI）・○Taikyeong Jeong（MJU）
(55)	09:00-09:30	［招待講演］Exploitation of Hierarchical Nanomaterials for Improving Light-Harvesting and Charge Collecting Properties of Dye-sensitized Solar Cells	○Hyun Suk Jung（SKKU）
(56)	09:30-09:45	Lead Zirconate Titanate Acoustic Energy Harvesters for use in high sound pressure environments	○Tomohiro Matsuda・Saori Hagiwara・Shuntaro Miyake・Kazuki Tomii・Satoshi Iizumi・Shungo Tomioka・Shu Kimura・Kyohei Tsujimoto・Yusuke Uchida・Yasushiro Nishioka（Nihon Univ.）
6月28日(木) 午前 Gate Stack Technology 09:45 - 10:30
(57)	09:45-10:00	Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer	○Kuniaki Hashimoto・Akio Ohta・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）
(58)	10:00-10:15	Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures	○Kusumandari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Noriyuki Taoka・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.）
(59)	10:15-10:30	Effect of Si surface roughness on EOT reduction for HfON gate insulator formed by ECR plasma oxidation of HfN	○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
	10:30-10:40	Short Break　（ 10分）
	10:40-12:00	Poster session　（ 80分）
	12:00-13:00	Lunch Break　（ 60分）
	13:00-18:00	Excursion　（ 300分）
	18:00-20:00	Banquet　（ 120分）
6月29日(金) 午前 Advanced Si Technology 08:15 - 10:30
(60)	08:15-08:45	［招待講演］The Stability of Bandgap Reference Voltage with Device Structures	○Sang-Gi Lee・Jun-Woo Song・Eun-Sang Jo・Kwang-Dong Yoo（Dongbu HiTek）
(61)	08:45-09:15	［招待講演］Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics	○Shigeaki Zaima・Yosuke Shimura・Marika Nakamura・Wakana Takeuchi・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka（Nagoya Univ.）
(62)	09:15-09:45	［招待講演］III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits	○Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. Tokyo）
(63)	09:45-10:15	［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術	○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサスエレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大）
(64)	10:15-10:30	Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel	Min-Chul Sun（SNU and SEC）・○Sang Wan Kim・Garam Kim・Hyun Woo Kim・Hyungjin Kim・Jong-Ho Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（SNU）
	10:30-10:45	Break　（ 15分）
6月29日(金) 午前 MOSFET Reliability 10:45 - 12:30
(65)	10:45-11:15	［招待講演］Decomposition analysis of on-current variability of FinFETs	○Takashi Matsukawa・Yongxun Liu・Kazuhiko Endo・Shinichi O'uchi・Meishoku Masahara（AIST）
(66)	11:15-11:45	［招待講演］Thermal-Aware Device Desing of Nanoscale MOS Transistors	○Ken Uchida（Keio Univ.）・Tsunaki Takahashi・Nobuyasu Beppu（Tokyo Tech）
(67)	11:45-12:00	Statistical Analysis of Current Onset Voltage (COV) Distribution of Scaled MOSFETs	○Tomoko Mizutani・Anil Kumar・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo）
(68)	12:00-12:15	Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM	○Nurul Ezaila Alias・Anil Kumar・Takuya Saraya（Univ. of Tokyo）・Shinji Miyano（STARC）・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo）
(69)	12:15-12:30	The Effects of Fluorine Implantation on 1/f noise and reliability characteristics of NMOSFET	○Jae-Hyung Jang・Hyuk-Min Kwon・Ho-Young Kwak・Sung-Kyu Kwon・Seon-Man Hwang・Jong-Kwan Shin（Chungnam National Univ.）・Seung-Yong Sung・Yi-Sun Chung・Da-Soon Lee・Jong-Kon Lee（Magnachip Semiconductor Inc）・Hi-Deok Lee（Chungnam National Univ.）
6月29日(金) 午前 Widegap and III-V Semiconductor Devices 08:15 - 10:30
(70)	08:15-08:45	［招待講演］Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices	○Kenji Mizutani・Hiroaki Ueno・Yuji Kudoh・Shuichi Nagai・Kaoru Inoue・Nobuyuki Otsuka・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Panasonic）
(71)	08:45-09:15	［招待講演］Current Status of GaN Technologies in ETRI	○Jae Kyoung Mun・Jong-Won Lim・Sang Choon Ko・Seong-il Kim・Eun Soo Nam（ETRI）
(72)	09:15-09:45	［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes	○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.）
(73)	09:45-10:15	［招待講演］InAs Quantum-Well MOSFET (Lg = 100 nm) for Logic and Microwave Applications	○Tae-Woo Kim・Richard Hill（SEMATECH）・Dae-Hyun Kim（Teledyne）・Jesus A. del Alamo（MIT）・Chad D. Young・Dmitry Veksler・Chang Yong Kang（SEMATECH）・Jungwoo Oh（Yonsei Univ.）・Chris Hobbs・Paul D. Kirsch・Raj Jammy（SEMATECH）
(74)	10:15-10:30	Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate	Jun Hirai・Tomoki Kususaki・Shunsuke Ikeda・○Yasuyuki Miyamoto（Tokyo Tech）
	10:30-10:45	Break　（ 15分）
6月29日(金) 午前 Widegap and Nanowire Devices 10:45 - 12:15
(75)	10:45-11:00	ICPCVD SiO2 for AlGaN/GaN MISHFET application	○Bong-Ryeol Park・Jae-Gil Lee・Hyungtak Kim・Chun-Hyung Cho・Ho-Young Cha（Hongik Univ.）
(76)	11:00-11:15	Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs	○Kota Ohi・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.）
(77)	11:15-11:30	Fabrication and Characterization of Asymmetric-Gate GaAs Nanowire Transistors for Electrical Brownian Ratchet	○Takayuki Tanaka・Yuki Nakano・Toru Muramatsu・Seiya Kasai（Hokkaido Univ.）
(78)	11:30-12:00	［招待講演］Carbon nanotube-based plastic electronics	○Yutaka Ohno（Nagoya Univ., Aalto Univ.）・Dong-ming Sun・Kentaro Higuchi（Nagoya Univ.）・Marina Y. Timmermans・Antti Kaskela・Albert G. Nasibulin（Aalto Univ.）・Shigeru Kishimoto（Nagoya Univ.）・Esko I. Kauppinen（Aalto Univ.）・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.）
(79)	12:00-12:15	Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes	○Masaki Inagaki・Kensuke Hata・Kazunari Shiozawa・Yasumitsu Miyata・Yutaka Ohno・Shigeru Kishimoto・Hisanori Shinohara・Takashi Mizutani（Nagoya Univ.）
	12:15-12:30	Break　（ 15分）
6月29日(金) 午後 Closing session 12:30 - 12:40
	12:30-12:40	Closing Remarks　（ 10分）
6月28日(木) 午前 Poster Session 10:40 - 12:00
(80)	10:40-12:00	［ポスター講演］Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances.	○Jae Hwa Seo・Jae Sung Lee・Yun Soo Park・Jung-Hee Lee・In Man Kang（Kyunpook Nat'l Univ.）
(81)	10:40-12:00	［ポスター講演］Dependence of Schottky barrier height on the junction size of bcc-metal/n-Ge(111) contacts	○Hirotaka Yoshioka・Kenji Kasahara・Toshihiro Nishimura・Shinya Yamada・Masanobu Miyao・Kohei Hamaya（Kyushu Univ.）
(82)	10:40-12:00	［ポスター講演］Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces	○Takuma Nakano・Masamichi Akazawa（Hokkaido Univ.）
(83)	10:40-10:55	［ポスター講演］The surface morphology and electrical properties of NiO with various RF power and O2/(Ar+O2) gas mixture	○Jonghun Kim・Gyohun Koo・Changju Lee・Sungho Hahm（Kyungpook National Univ.）・Youngchul Jung（Gyeongju Univ.）・Yougsoo Lee（Kyungpook National Univ.）
(84)	10:40-12:00	［ポスター講演］Mold transfer processed organic light emitting diodes using patterned conductive polymer electrode	○Hyun Jun Lee・Young Wook Park・Tae Hyun Park・Eun Ho Song（Korea Univ.）・Se Joong Shin（Korea univ.）・Hakkoo Kim・Kyung bok Choi・Ju Hyun Hwang（Korea Univ.）・Jinwoo Lee（Micobiomed. Ltd）・Jinnil Choi（Hanbat National Univ.）・Byeong-Kwon Ju（Korea Univ.）
(85)	10:40-12:00	［ポスター講演］Development of scanning nano-SQUIDs for local magnetic imaging.	○Yusuke Shibata（Tsukuba Univ.）・Ryosuke Ishiguro（Tokyo Univ. of Science）・Hiromi Kashiwaya・Satoshi Kashiwaya（AIST）・Hideaki Takayanagi（Tokyo Univ. of Science/NIMS）・Shintaro Nomura（Tsukuba Univ.）
(86)	10:40-12:00	［ポスター講演］Degradation Characteristics of high voltage AlGaN/GaN-on-Si Heterostructure FETs	Shinhyuk Choi・○Hoonsang Yoon・Dongmin Keum・Jae-Gil Lee・Ho-Young Cha・Hyungtak Kim（Hongik Univ.）

講演時間
基調講演	発表 30 分＋質疑応答 10 分
招待講演	発表 20 分＋質疑応答 10 分
一般講演	発表 10 分＋質疑応答 5 分
ポスター講演	発表 80 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	原直紀（富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	小野行徳(NTT) 〒930-8555 富山市五福3190 富山大学大学院理工学研究部ナノ・新機能材料学域ナノマテリアル・システムデザイン学系（電気電子システム工学科担当）大学院棟7204 電話（Fax) 076-445-6883 email: oengu-