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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

日時 2009年 2月26日(木) 13:30 - 17:20
2009年 2月27日(金) 09:00 - 12:10
議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 大会議室 
住所 〒060-0809 札幌市北区北9条西6丁目
交通案内 JR札幌駅北口から徒歩10分
http://www.hokudai.ac.jp/bureau/info-j/hyaku.html
会場世話人
連絡先
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 葛西誠也
011-706-6509 or -7171
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月26日(木) 午後 
13:30 - 17:20
(1) 13:30-14:10 [招待講演]Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ED2008-224 SDM2008-216 尾辻泰一末光哲也姜 顯澈唐澤宏美宮本 優半田浩之末光眞希東北大)・佐野栄一北大)・リズィー マキシムリズィー ヴィクトール会津大
(2) 14:10-14:35 マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性 ED2008-225 SDM2008-217 宮崎康晶NTT/慶大)・小野行徳影島博之永瀬雅夫藤原 聡NTT)・太田英二慶大
(3) 14:35-15:00 マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用 ED2008-226 SDM2008-218 江尻剛士J. バベシュ バブ陽 完治北大
(4) 15:00-15:25 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移 ED2008-227 SDM2008-219 北内悠介本久順一小林靖典福井孝志北大
  15:25-15:40 休憩 ( 15分 )
(5) 15:40-16:05 Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 ED2008-228 SDM2008-220 根尾陽一郎武田匡史田上智也堀江 瞬青木 徹三村秀典静岡大)・吉田知也長尾昌善金丸正剛産総研
(6) 16:05-16:30 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性 ED2008-229 SDM2008-221 滝口将志速水翔太大塚正喜河合章生守屋雅隆小林忠行島田 宏水柿義直電通大
(7) 16:30-16:55 共鳴トンネル素子を用いた超高速コンパレータ ED2008-230 SDM2008-222 江幡友彦大前宇一郎町田和也和保孝夫上智大
(8) 16:55-17:20 AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ED2008-231 SDM2008-223 前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・赤松和弘日鉱金属
2月27日(金) 午前 
09:00 - 12:10
(9) 09:00-09:25 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製 ED2008-232 SDM2008-224 友田悠介久米 彌花田道庸高橋佳祐白樫淳一東京農工大
(10) 09:25-09:50 Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 ED2008-233 SDM2008-225 曹 民圭開澤拓弥有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
(11) 09:50-10:15 シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ED2008-234 SDM2008-226 鄭 然周Chen Jiezhi更屋拓哉平本俊郎東大
(12) 10:15-10:40 GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析 ED2008-235 SDM2008-227 中田大輔アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JST
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
(13) 10:55-11:20 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 ED2008-236 SDM2008-228 雨宮好仁高橋庸夫北大
(14) 11:20-11:45 GaAsナノワイヤネットワークを用いたナノデバイス集積系による確率共鳴の発現と解析 ED2008-237 SDM2008-229 葛西誠也北大/JST)・浅井哲也白鳥悠太趙 洪泉北大
(15) 11:45-12:10 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ED2008-238 SDM2008-230 池田浩也ファイズ サレ浅井清涼石田明広静岡大

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E--mail geba 
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba 


Last modified: 2008-12-16 16:16:50


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