5月19日(木) 午前  HVPE、その他の薄膜成長と評価 座長: 市村正也（名工大） 09:00 - 10:15
(1)	09:00-09:25	電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14	○楊　凱・中島佑基・市村正也（名工大）
(2)	09:25-09:50	a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 ED2011-2 CPM2011-9 SDM2011-15	○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大）
(3)	09:50-10:15	エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価 ED2011-3 CPM2011-10 SDM2011-16	○楊　士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨　弘（京都工繊大）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分 ）
5月19日(木)   SiC 座長: 三宅秀人（三重大） 10:25 - 12:05
(4)	10:25-10:50	自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17	○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大）
(5)	10:50-11:15	3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18	○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大）
(6)	11:15-11:40	水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19	○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）
(7)	11:40-12:05	陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20	○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大）
	12:05-13:00	昼食　（ 55分 ）
5月19日(木)   MBE 座長: 成塚重弥（名城大） 13:00 - 14:40
(8)	13:00-13:25	アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21	○内山翔太・林　家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大）
(9)	13:25-13:50	RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22	○田畑拓也・白　知鉉・本田善央・山口雅史・天野　浩（名大）
(10)	13:50-14:15	Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23	○熊谷啓助・小路耕平・河合　剛・山根啓輔・関口寛人・岡田　浩・若原昭浩（豊橋技科大）
(11)	14:15-14:40	BGaPの分子線エピタキシー成長 ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24	○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田　浩・若原昭浩（豊橋技科大）
	14:40-14:50	休憩　（ 10分 ）
5月19日(木)   MOVPE その1 座長: 岩谷素顕（名城大） 14:50 - 16:30
(12)	14:50-15:15	MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 ED2011-12 CPM2011-19 SDM2011-25	○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大）
(13)	15:15-15:40	(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26	○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野　浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大）
(14)	15:40-16:05	グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27	○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
(15)	16:05-16:30	MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28	○高野　泰・高木達也・見崎　龍・宮原　亮（静岡大）
	16:30-16:40	休憩　（ 10分 ）
5月19日(木)   MOVPE その２ 座長: 渕 真悟（名大） 16:40 - 17:55
(16)	16:40-17:05	B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29	○伊藤　駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤サキ　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
(17)	17:05-17:30	X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長 ED2011-17 CPM2011-24 SDM2011-30	○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智・赤崎　勇（名城大）
(18)	17:30-17:55	AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31	○矢木康太・加賀　充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
5月20日(金) 午前  輸送特性 座長: 本田善央（名大） 09:00 - 10:15
(19)	09:00-09:25	表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長 ED2011-19 CPM2011-26 SDM2011-32	○森　雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大）
(20)	09:25-09:50	III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33	○山下浩司・加賀　充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
(21)	09:50-10:15	窒化物半導体トンネル接合の作製 ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34	○加賀　充・飯田大輔（名城大）・北野　司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分 ）
5月20日(金)   発光デバイス 座長: 山口雅史（名大） 10:25 - 12:05
(22)	10:25-10:50	ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化 ED2011-22 CPM2011-29 SDM2011-35	○渕　真悟・小林俊一・大島弘嗣・竹田美和（名大）
(23)	10:50-11:15	反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36	○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤　駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智・赤サキ　勇（名城大）・天野　浩（名大）
(24)	11:15-11:40	AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37	○朴　貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野　浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野　光（創光科学）
(25)	11:40-12:05	AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38	○山本準一・伴　和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
	12:05-13:00	昼食　（ 55分 ）
5月20日(金)   センサ、撮像 座長: 竹内哲也（名城大） 13:00 - 15:05
(26)	13:00-13:25	MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 ED2011-26 CPM2011-33 SDM2011-39	○舘　忠裕・犬塚博章・藤村直也・近藤嵩輝・難波秀平・村松慎也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
(27)	13:25-13:50	Ga2O3酸素センサの作製と評価 ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40	○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大）
(28)	13:50-14:15	TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41	○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星　陽一（東京工芸大）
(29)	14:15-14:40	スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ED2011-29 CPM2011-36 SDM2011-42	○中村光宏・丹羽彬夫・以西雅章（静岡大）
(30)	14:40-15:05	高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価 ED2011-30 CPM2011-37 SDM2011-43	○丸山大地・岡田　浩・関口寛人・若原昭浩（豊橋技科大）
	15:05-15:15	休憩　（ 10分 ）
5月20日(金) 午後  太陽電池 座長: 若原昭浩（豊橋技科大） 15:15 - 16:30
(31)	15:15-15:40	ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池 ED2011-31 CPM2011-38 SDM2011-44	○服部　翔・市村正也（名工大）
(32)	15:40-16:05	非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45	○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山　徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤サキ　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
(33)	16:05-16:30	窒化物太陽電池の電極構造検討 ED2011-33 CPM2011-40 SDM2011-46	○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山　徹・岩谷素顕・上山　智・竹内哲也（名城大）・赤崎　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
	16:30-16:40	休憩　（ 10分 ）
5月20日(金)   FET 座長: 岸本 茂（名大） 16:40 - 17:55
(34)	16:40-17:05	GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47	○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野　浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智・赤崎　勇（名城大）・今出　完・北岡康夫・森　勇介（阪大）
(35)	17:05-17:30	GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48	○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山　智（名城大）・赤サキ　勇（名城大/名大）・天野　浩（名大）
(36)	17:30-17:55	原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49	○宮崎英志・合田祐司・岸本　茂・水谷　孝（名大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田 哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	野毛 悟(沼津高専 電気電子工学科) s-ge-ct TEL&Fax:055-926-5821

Last modified: 2011-04-19 09:41:54