10月22日(木) 午前  10:00 - 16:20
(1)	10:00-10:50	［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス SDM2020-14	○熊倉　翔（東京エレクトロン宮城）
(2)	10:50-11:20	3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 SDM2020-15	○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田　寛・柴口　拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大）
	11:20-13:00	昼休憩　（ 100分 ）
(3)	13:00-13:30	Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications SDM2020-16	○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
(4)	13:30-14:00	A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET SDM2020-17	○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
(5)	14:00-14:30	Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet. SDM2020-18	○Hoa Thi Khanh Nguyen・Hiroaki Hanafusa・Yuri Mizukawa（Hiroshima Univ.）・Shohei Hayashi（Toray Res. Cent.）・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）
	14:30-14:50	休憩　（ 20分 ）
(6)	14:50-15:20	IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 SDM2020-19	○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水　亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
(7)	15:20-15:50	強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析 SDM2020-20	○今泉文伸・仲田陸人（小山高専）
(8)	15:50-16:20	統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 SDM2020-21	○秋元　瞭・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利（東北大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所） 電話 029-849-1149 E-Mail -aist

Last modified: 2020-11-06 16:09:28