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研究会終了後に懇親会を開催いたします． ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 安斎 久浩 (ソニー)， 遠藤 哲郎 (東北大) 幹事補佐 大西 克典 (九工大) 日時 2009年 6月19日(金) 09：30～18：05 会場 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 （An401・402（〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1．東北沢駅より徒歩７分, 駒場東大前駅より徒歩１０分または代々木上原駅より徒歩１２分．http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html．東京大学 生産技術研究所 藤岡洋．03-5452-6342） 議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） 6月19日(金) 午前 レギュラーセッション （09：30～11：50） −−− 世話人挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 09:30 - 10:00 Geの材料物性ーSiとの比較 ○伊藤公平（慶大） (2) 10:00 - 10:20 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ～ SiO2/Siとの違い ～ ○渡邉孝信・恩田知弥・登坂 亮・山本英明（早大） (3) 10:20 - 10:40 Si酸化における界面反応の第一原理計算 ○秋山 亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 10:50 - 11:20 GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 ○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大） (5) 11:20 - 11:50 GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） −−− 昼食 （ 50分 ） −−− 6月19日(金) 午後 レギュラーセッション （12：40～16：40） (6) 12:40 - 13:00 Ge MOSデバイスの熱安定性 ～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ～ ○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島 章（東芝）・手塚 勉（MIRAI-東芝） (7) 13:00 - 13:20 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） (8) 13:20 - 13:40 ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） (9) 13:40 - 14:00 HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (10) 14:10 - 14:30 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ～ Ge基板への絶縁膜形成 ～ ○中島 寛・平山佳奈・楊 海貴・王 冬（九大） (11) 14:30 - 14:50 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析 ○村上秀樹・小埜芳和・大田晃生・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） (12) 14:50 - 15:10 LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） (13) 15:10 - 15:30 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (14) 15:40 - 16:00 LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） (15) 16:00 - 16:20 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST） (16) 16:20 - 16:40 Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 6月19日(金) 午後 ショートプレゼンテーション （16：50～17：05） (17) 16:50 - 16:55 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） (18) 16:55 - 17:00 ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 ○五月女真一・中山隆史（千葉大） (19) 17:00 - 17:05 TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価 ○後藤優太・貫目大介・大田晃生・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） 6月19日(金) 午後 ポスターセッション （17：05～18：05） ポスターボードのサイズ（１件当たり）： 横９０ｃｍ縦１５０ｃｍ ショートプレゼンテーション以外の一般口頭発表者に対しても、 口頭発表で用いた図面をベースとしたポスター発表を歓迎いたします。希望者は、６月５日までに、宮崎（semiya@hiroshima-u.ac.jp)へご一報下さい。 −−− 懇親会 （ 90分 ） −−− ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催 ◎研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 6月24日(水)～26日(金) 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） [4月10日(金)] テーマ：第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 7月16日(木)～17日(金) 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 [5月13日(水)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104  ge       ba Last modified: 2009-04-27 21:16:32 |
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