8月10日(月) 午後 13:20 - 17:00 |
(1) |
13:20-13:40 |
レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 |
目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹(弘前大) |
(2) |
13:40-14:00 |
高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 |
○土屋政人・村上和輝・佐藤達人・高見貴弘・遠田義晴・中澤日出樹(弘前大) |
(3) |
14:00-14:20 |
レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 |
○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹(弘前大) |
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14:20-14:40 |
休憩 ( 20分 ) |
(4) |
14:40-15:00 |
絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製 |
○武山真弓・佐藤 勝(北見工大)・小林靖志・中田義弘・中村友二(富士通研)・野矢 厚(北見工大) |
(5) |
15:00-15:20 |
フローセルを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製 |
○早川 諒・高野 泰・石田明広(静岡大) |
(6) |
15:20-15:40 |
エアロゾルデポジション法を用いた酸化物厚膜熱電素子の作製と評価 |
○白井克典・白井小雪・中村雄一・井上光輝(豊橋技科大) |
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15:40-16:00 |
休憩 ( 20分 ) |
(7) |
16:00-16:20 |
[CaFeOx/LaFeO3]人工超格子の電気的磁気的特性 |
大橋祥平・大島佳祐・渡部雄太・稲葉隆哲・王 春・張 埼・松山裕貴・高瀬浩一・橋本拓也・永田知子・宋 華平・山本 寛・○岩田展幸(日大) |
(8) |
16:20-16:40 |
BiFe1-xMnxO3薄膜及び[CaFeOx/BiFe1-xMnxO3]人工超格子の電気的特性 |
稲葉隆哲・渡部雄太・大島佳祐・王 春・宋 華平・大橋祥平・張 琦・高瀬浩一・橋本拓也・永田知子・山本 寛・○岩田展幸(日大) |
(9) |
16:40-17:00 |
単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御における自由電子レーザー照射の効果 |
吉田圭佑・川口大貴・小林弥生・春宮清之介・永田知子・山本 寛・○岩田展幸(日大) |
8月11日(火) 午前 09:40 - 12:00 |
(10) |
09:40-10:00 |
ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製 |
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚(北見工大) |
(11) |
10:00-10:20 |
SOI基板上への高密度Geナノドットの形成 ~ フォトニック結晶による発光効率改善を目指して ~ |
森岡 真・渡辺航大・富田雅隆・豊田英之・加藤有行・○玉山泰宏・上林利生・安井寛治(長岡技科大) |
(12) |
10:20-10:40 |
集積型光アイソレータのためのCe:YIG結晶薄膜形成法の検討 |
○野毛 悟(沼津高専)・清藤将人・武田正行・中津原克己(神奈川工科大) |
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10:40-11:00 |
休憩 ( 20分 ) |
(13) |
11:00-11:20 |
室温原子層堆積法を用いたPETボトル上金属酸化膜コーティング |
○廣瀬文彦・鹿又健作・有馬バシルアハマド・久保田 繁(山形大) |
(14) |
11:20-11:40 |
Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 |
○成田英史(弘前大)・山田大地・福田幸夫(諏訪東京理科大)・鹿糠洋介・岡本 浩(弘前大) |
(15) |
11:40-12:00 |
シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響 |
○高見貴弘・和田 誠・遠田義晴(弘前大) |