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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 前澤 宏一 (富山大) 副委員長 津田 邦男 (東芝) 幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大)， 新井 学 (新日本無線) 幹事補佐 東脇 正高 (NICT)， 大石 敏之 (佐賀大) ★マイクロ波研究会（MW） 専門委員長 石川 容平 (京大) 副委員長 九鬼 孝夫 (国士舘大)， 西川 健二郎 (鹿児島大)， 田島 賢一 (三菱電機) 幹事 佐藤 潤二 (パナソニック)， 平野 拓一 (東工大) 幹事補佐 關谷 尚人 (山梨大)， 小野 哲 (電通大) 日時 2017年 1月26日(木) 14：00～16：40 2017年 1月27日(金) 09：30～15：15 会場 機械振興会館地下2階1号室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8） 議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 1月26日(木) 午後 ED研シンポジウム（１） （14：00～15：15） 座長: 原直紀(富士通) (1) 14:00 - 14:25 ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大） (2) 14:25 - 14:50 ［依頼講演］高周波GaN-HEMTの製品化の経緯 ○舘野泰範（住友電工） (3) 14:50 - 15:15 ［依頼講演］ミリ波GaN HEMTの現状 ○牧山剛三・新井田佳孝・尾崎史朗・多木俊裕・岡本直哉・美濃浦優一・佐藤 優・鎌田陽一・常信和清・渡部慶二（富士通）・宮本泰幸（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 1月26日(木) 午後 ED研シンポジウム（2） （15：25～16：40） 座長: 中田健（住友電工） (4) 15:25 - 15:50 ［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 ○須田 淳（京大） (5) 15:50 - 16:15 ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 ○乙木洋平（SCIOCS） (6) 16:15 - 16:40 ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） 1月27日(金) 午前 ED研 （09：30～10：20） 座長: 大石敏之(佐賀大） (7) 09:30 - 09:55 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研） (8) 09:55 - 10:20 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 1月27日(金) 午前 マイクロ波研一般 （10：30～11：45） 座長: 枚田明彦（千葉工大） (9) 10:30 - 10:55 アンテナ-共振器間の飛越結合を用いた有極形フィルタリングアンテナの設計 ○宮崎寿基・大平昌敬・馬 哲旺・王 小龍（埼玉大） (10) 10:55 - 11:20 マイクロストリップコンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタの設計手法の改善 ○張 茹・馬 哲旺・大平昌敬・王 小龍（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大） (11) 11:20 - 11:45 GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） −−− 昼食 （ 75分 ） −−− 1月27日(金) 午後 ED研 （13：00～13：50） 座長: 原直紀（富士通） (12) 13:00 - 13:25 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） (13) 13:25 - 13:50 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 1月27日(金) 午後 マイクロ波一般 （14：00～15：15） 座長: 加保貴奈（NTT) (14) 14:00 - 14:25 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） (15) 14:25 - 14:50 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） (16) 14:50 - 15:15 ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter；IEEE MTT-S Kansai Chapter；IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 1月30日(月)～31日(火) みやじま杜の宿(広島) [11月16日(水)] テーマ：回路・デバイス・境界領域技術 2月24日(金) 北海道大学百年記念会館 [12月16日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 4月20日(木)～21日(金) 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 [2月24日(金)] テーマ：有機デバイス、酸化物デバイス、一般 【問合先】 松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-mail： k-      fp   c 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E-mail :  si  jaist ☆MW研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月 休会 3月2日(木)～3日(金) 岡山県立大学 [1月11日(水)] テーマ：マイクロ波集積回路／マイクロ波一般 4月28日(金) 機械振興会館地下2階1号室 [2月17日(金)] テーマ：電力伝送／マイクロ波・一般 【問合先】 關谷 尚人（山梨大） TEL: 055-220-8393 E-mail: n     もしくは 佐藤 潤二（パナソニック） TEL: 050-3686-6073, FAX: 045-934-8765 E-mail:  ujun pa  cLast modified: 2017-01-26 10:35:23 |
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