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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 原 直紀 (富士通研) 副委員長 前澤 宏一 (富山大) 幹事 葛西 誠也 (北大)， 松永 高治 (NEC) 幹事補佐 鈴木 寿一 (北陸先端大)， 新井 学 (新日本無線) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 高野 泰 (静岡大) 副委員長 野毛 悟 (沼津高専) 幹事 佐藤 知正 (神奈川大)， 小舘 淳一 (NTT) 幹事補佐 岩田 展幸 (日大)， 坂本 尊 (NTT) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 近藤 正彦 (阪大) 副委員長 小路 元 (住友電工) 幹事 有賀 博 (三菱電機)， 梅沢 俊匡 (NICT) 日時 2014年11月27日(木) 10：30～17：15 2014年11月28日(金) 09：30～16：55 会場 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館ホール（〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-2．阪急電車千里線：北千里駅（終点）下車東へ徒歩約１５分，大阪モノレール：阪大病院前駅下車徒歩約５～１５分，阪急バス：・千里中央発「阪大本部前行」、「茨木美穂ヶ丘行」阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約５～１５分・北千里発「阪大病院線」，近鉄バス・阪急茨木市駅発「阪大本部前行」（JR茨木駅経由）いずれも、阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約５～１５分．http://www.osaka-u.ac.jp/ja/access/accessmap.html．工学研究科 電気電子情報工学専攻 近藤正彦．06-6879-7765） 議題 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 11月27日(木) 午前 （10：30～10：35） −−− 委員長挨拶 （ 5分 ） −−− 11月27日(木) 午前 （10：35～12：15） 座長: 橋本 玲(東芝) (1) 10:35 - 11:00 昇華法によるAlN単結晶の育成 ○岩崎洋介・永田俊郎・秋山秀敏・中村啓一郎（JFEミネラル） (2) 11:00 - 11:25 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長 ○尾崎拓也・船戸 充・川上養一（京大） (3) 11:25 - 11:50 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 ○児玉和樹・Hasan Md Tanvir・野村裕之（福井大）・重川直輝（阪市大）・山本暠勇・葛原正明（福井大） (4) 11:50 - 12:15 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果 ○中濵和大（三重大）・福世文嗣（浜松ホトニクス）・三宅秀人・平松和政（三重大）・吉田治正・小林祐二（浜松ホトニクス） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 11月27日(木) 午後 （13：15～15：20） 座長: 片山 健夫(奈良先端大) (5) 13:15 - 13:40 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性 ○栗原 香・長尾 哲（三菱化学）・山口敦史（金沢工大） (6) 13:40 - 14:05 非極性InGaN量子井戸の偏光特性 ○坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・栗原 香・長尾 哲（三菱化学） (7) 14:05 - 14:30 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 ○鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴・大川貴史（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・藤川紗千恵・平山秀樹（理研） (8) 14:30 - 14:55 ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング ○南部優賢・山口敦史（金沢工大）・後藤裕輝・砂川晴夫・松枝敏晴（古河機械金属）・岡田愛姫子（早大）・篠原秀敏・後藤博史（東芝機械）・水野 潤（早大）・碓井 彰（古河機械金属） (9) 14:55 - 15:20 ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製 ○金沢裕也・豊田史朗・大島一晟（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴（東芝機械）・大川貴史・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・平山秀樹（理研） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月27日(木) 午後 （15：35～17：15） 座長: 高野 泰(静岡大) (10) 15:35 - 16:00 InNの硬度とヤング率の評価 ○大久保 泰・出浦桃子（東北大）・徳本有紀（東大）・沓掛健太朗・大野 裕・米永一郎（東北大） (11) 16:00 - 16:25 LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長および磁気特性 中村拓未・林 佑太郎・隅田貴士・橋本浩佑・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） (12) 16:25 - 16:50 [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較 及川貴大・渡部雄太・稲葉隆哲・大島佳祐・宋 華平・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） (13) 16:50 - 17:15 自由電子レーザーを照射して成長させた単層カーボンナノチューブの構造および電気特性 津田悠作・吉田圭佑・川口大貴・永田知子・○岩田展幸・山本 寛（日大） 11月28日(金) 午前 （09：30～10：45） 座長: 大野 啓(パナソニック) (14) 09:30 - 09:55 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） (15) 09:55 - 10:20 MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大） (16) 10:20 - 10:45 Si基板上ハイブリッド集積光源の高温動作に向けた量子ドットレーザの適用 ○羽鳥伸明・清水隆徳（光電子融合基盤技研）・岡野 誠（産総研）・石坂政茂・山本剛之・賣野 豊（光電子融合基盤技研）・森 雅彦（産総研）・中村隆宏（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月28日(金) 午前 （11：00～12：15） 座長: 船戸 充(京都大) (17) 11:00 - 11:25 多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED ○高島祐介・清水 亮・原口雅宣・直井美貴（徳島大） (18) 11:25 - 11:50 超格子p型AlGaNホール拡散層を用いた深紫外LEDの動作 ○前田哲利・定 昌史・平山秀樹（理研） (19) 11:50 - 12:15 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED ○定 昌史・前田哲利・平山秀樹（理研） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 11月28日(金) 午後 （13：15～14：55） 座長: 重川 直輝(大坂市立大) (20) 13:15 - 13:40 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） (21) 13:40 - 14:05 Mapping of thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy ○Kenji Shiojima・Shingo Yamamoto・Yuhei Kihara（Univ. of Fukui） (22) 14:05 - 14:30 AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 ○西口賢弥・橋詰 保（北大） (23) 14:30 - 14:55 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 11月28日(金) 午後 （15：10～16：55） 座長: 小谷 淳二(富士通研) (24) 15:10 - 15:35 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） (25) 15:35 - 16:00 微小光共振器によるEu添加GaNのEu発光強度増大 ○稲葉智宏・若松龍太・李 東建・児島貴徳・小泉 淳・藤原康文（阪大） (26) 16:00 - 16:25 GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・宮川鈴衣奈・江龍 修（名工大）・橋詰 保（北大） (27) 16:25 - 16:50 スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製 ○野間友博・林 宏暁・福島大史・今野裕太・野村一郎・岸野克巳（上智大） −−− 委員長挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◎27日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月22日(月)～23日(火) 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 [10月19日(日)] テーマ：ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 2015年1月15日(木)～16日(金) 機械振興会館 [11月13日(木)] テーマ：化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 2015年2月5日(木)～6日(金) 北海道大学（百年記念会館） [12月5日(金)] テーマ：機能ナノデバイスおよび関連技術 【問合先】 上田 哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-mail：      zo  pa   c 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E-mail :   irciqe  i ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2015年2月27日(金) NTT武蔵野研究開発センタ [12月8日(月)] テーマ：電池技術関連，一般 ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 12月18日(木)～19日(金) 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) [10月14日(火)] テーマ：光パッシブコンポネント(フィルタ，コネクタ，MEMS)、半導体レーザ関連技術、シリコンフォトニクス、一般 2015年1月29日(木)～30日(金) 大阪大学 豊中キャンパスΣホール [11月10日(月)] テーマ：光-無線融合NW、新周波数（波長）帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 【問合先】 有賀 博 （三菱電機） TEL 0467-41-2906，FAX 0467-41-2519 E-mail: A   Hi  abMibiElect c 梅沢 俊匡（情報通信研究機構） TEL 042-327-7528, FAX 042-327-7938 E-mail:  _u     ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2014-11-24 22:11:32 |
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