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★機構デバイス研究会（EMD） 専門委員長 長瀬 亮 (NTT) 副委員長 吉田 清 (日本工大) 幹事 長谷川 誠 (千歳科技大)， 関川 純哉 (静岡大) 幹事補佐 服部 康弘 (住友電装) ★電子部品・材料研究会（CPM） 専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大) 副委員長 竹村 泰司 (横浜国大) 幹事 大庭 直樹 (NTT)， 野毛 悟 (沼津高専) 幹事補佐 今井 欽之 (NTT)， 阿部 克也 (信州大) ★光エレクトロニクス研究会（OPE） 専門委員長 浜本 貴一 (九大) 副委員長 宇佐見 正士 (KDDI) 幹事 瀧口 浩一 (NTT)， 加藤 友章 (NEC) ★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 石川 浩 (産総研) 副委員長 河口 仁司 (奈良先端大) 幹事 橋本 順一 (住友電工)， 佐藤 健二 (NEC) 日時 2009年 8月20日(木) 09：00～17：55 2009年 8月21日(金) 09：00～17：35 会場 東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン総合研究棟4階カンファレンスルーム（〒980-8577 仙台市青葉区片平2丁目1-1．http://www.riec.tohoku.ac.jp/~www/access/index-j.shtml） 議題 光部品・電子デバイス実装技術、一般 8月20日(木) 午前 （09：00～12：10） −−− 開会挨拶 （ 5分 ） −−− (1) 09:05 - 09:30 InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善 ○牛込 基・荒川太郎（横浜国大）・多田邦雄（金沢工大） (2) 09:30 - 09:55 Ti拡散ErドープLiNbO3導波路の光増幅特性と光デバイス応用 ○片野祐太郎・古河原 壮・松浦 弘（早大）・品田 聡・中島慎也・川西哲也（NICT）・中島啓幾（早大） (3) 09:55 - 10:20 100Gb/s超伝送に向けた超高速LiNbO3光変調器の開発 ○菅野敦史・坂本高秀・千葉明人・川西哲也（NICT）・日隈 薫・須藤正明・市川潤一郎（住友大阪セメント） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 10:30 - 10:55 1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ ○種村拓夫・ソーアンジ イブラーヒム・ムラット・樋口和英・武田浩司・中野義昭（東大） (5) 10:55 - 11:20 液晶装荷Si導波路を用いた対称マッハ・ツェンダー干渉計型1×8ch光スイッチの製作 ○澤 尚宏・中津原克己・中神隆清（神奈川工科大） (6) 11:20 - 11:45 Si導波路と相変化材料を用いた小型の自己保持型2x2光スイッチ ○伊熊雄一郎（慶大）・河島 整・金高健二（産総研）・斎木敏治・津田裕之（慶大） (7) 11:45 - 12:10 アレイ導波路回折格子とLCOSによる40波長チャネル可変分散補償器 ○大庭直樹（NTT）・鈴木賢哉（NEL）・妹尾和則・石井元速・美野真司（NTT） −−− 休憩 （ 50分 ） −−− 8月20日(木) 午後 （13：00～17：55） (8) 13:00 - 13:25 デジタルミラーデバイスを用いた4コンテキスト光再構成 ○森田裕宣・渡邊 実（静岡大） (9) 13:25 - 13:50 36コンテキストダイナミック光再構成型ゲートアレイ ○中島真央・渡邊 実（静岡大） (10) 13:50 - 14:15 電気プラガブルソケット実装1μm帯10Gbit/s×12ch小型並列光モジュールの伝送特性 ○上村寿憲・石川陽三・根角昌伸・高橋克年・那須秀行（古河電工） (11) 14:15 - 14:40 Single Package型一心双方向デバイスの開発 ○木原利彰・鈴木三千男・塩崎 学・中西裕美（住友電工） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (12) 14:50 - 15:15 波長1ミクロン帯光情報通信のための半導体量子ドット光デバイスの開発 ○山本直克・赤羽浩一・川西哲也・カトフ レドワン（NICT）・外林秀之（NICT/青学大） (13) 15:15 - 15:40 ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED ○鈴木勇介・川島史裕・斉藤泰仁・下村和彦（上智大） (14) 15:40 - 16:05 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作 ○天野 建・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 16:15 - 16:40 波長1.5 um帯無変調出力型13C2H2(アセチレン)周波数安定化半導体レーザの発振特性 ○葛西恵介・中沢正隆（東北大） (16) 16:40 - 17:05 メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価 菅原雄大・牛尾拓也・○宮本智之（東工大） (17) 17:05 - 17:30 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振 ○黄 晋二・藤野寛之・河口仁司（奈良先端大） (18) 17:30 - 17:55 波長1.1 um VCSELの利得スイッチングによる10 GHz-11.5 psパルス発生 ○小泉健吾・吉田真人・中沢正隆（東北大） 8月21日(金) 午前 （09：00～12：10） (19) 09:00 - 09:25 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ ○正田史生・中沢正隆（東北大）・秋本良一・石川 浩（産総研） (20) 09:25 - 09:50 光周波数および繰り返し周波数を同時安定化した40 GHz再生モード同期パルスレーザ ○吉田真人・葛西恵介・中沢正隆（東北大） (21) 09:50 - 10:15 モードホップフリーファイバレーザを用いたCs光原子時計 ○森崎貴仁・吉田真人・中沢正隆（東北大） (22) 10:15 - 10:40 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール ○上杉利次・岡田規男・斎藤 健・大和屋 武・森田佳道・杉立厚志（三菱電機） (23) 10:40 - 11:05 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ ○田所貴志・山中孝之・狩野文良・大橋弘美（NTT）・近藤康洋（NEL）・岸 健志（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− −−− IEEE Photonics Society (旧LEOS) Japan Chapterからのご挨拶 （ 5分 ） −−− (24) 11:20 - 12:10 [IEEE Photonics Society (旧LEOS) Japan Chapter主催 Distinguished Lecturer講演会]導波路型アイソレータ技術 水本哲弥(東工大) −−− 休憩 （ 50分 ） −−− 8月21日(金) 午後 （13：00～17：35） (25) 13:00 - 13:25 偏波保持ファイバを用いたひずみ・温度同時計測センサ ○大道浩児・寺田佳弘（フジクラ）・和田大地・村山英晶（東大）・井川寛隆（JAXA） (26) 13:25 - 13:50 新規高耐湿性光学接着剤を用いた光デバイスの信頼性向上 ○三田地成幸・原田あゆみ（東京工科大）・吉川篤志（横浜ゴム） (27) 13:50 - 14:15 BOF(Band-pass filter On Fiber-end)のポストアニールによる中心波長変化 ○小松康俊・山口正剛・中野正行・斧田誠一（渡辺製作所） (28) 14:15 - 14:40 現場取り付けが可能なシングルモードファイバ用光コネクタ ○長瀬 亮・松井伸介・阿部宜輝・浅川修一郎（NTT）・柳 秀一（NTT東日本）・小林 勝（NTT-AT）・木原 満（NTT東日本）・冨田 茂（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (29) 14:50 - 15:15 スパッタリング法によるErドープTaOx薄膜の作製とその発光特性 ○三浦健太・狩野一総・伏木厳穣・シン マヤンク・花泉 修（群馬大） (30) 15:15 - 15:40 金属薄膜サブ波長格子から成る偏光子 ○小山哲司・依田秀彦・古神義則・大野泰司（宇都宮大）・チェン ツァイ（カリフォルニア大アーバイン校/台湾大）・白石和男（宇都宮大） (31) 15:40 - 16:05 ナノ粒子分散ポリマーの創製と熱光学効果制御 ○小松京嗣（仙台電波高専）・倉田優生・杉原興浩・戒能俊邦（東北大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (32) 16:15 - 16:40 エレクトロニクスデバイスにおける接着技術 ○福原智博（オムロン） 見掛けの面積の集中抵抗に及ぼす真実接触面積の影響 ※御連絡：本報告はキャンセルとなりました。 (33) 16:40 - 17:05 電気接点の開離時現象の等価回路解析 ○佐藤賢二・若月 昇・高津宣夫（石巻専修大） (34) 17:05 - 17:30 ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ～ 接触抵抗について(その7) ～ ○和田真一・園田健人・越田圭治・サインダー ノロブリン・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎（慶大） −−− 閉会挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆後援： 青葉工学振興会． ◆8月21日 11:20-12:10に，IEEE Photonics Society (旧LEOS) Japan Chapter主催 Distinguished Lecturer講演会「導波路型アイソレータ技術（東工大 水本哲弥）」が開催されます． ◎8月20日研究会終了後，懇親会を開催しますので是非ご参加ください（18:30開始、東北大学・電気通信研究所・2号館4階・大会議室）．会費：一般￥3,000（学生￥1,000）．当日受付にてお申し込み下さい． ☆EMD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月 休会 10月30日(金) (開催日変更) 富士通川崎工場 岡田記念ホール [8月20日(木)] テーマ：トライボロジー/一般 (共催：日本トライボロジー学会固体潤滑研究会，および継電器・コンタクトテクノロジー研究会） 11月19日(木)～20日(金) 日本工業大学 神田キャンパス [9月15日(火)] テーマ：IS-EMD2009 （機構デバイス研究会 第9回国際セッション） 【問合先】 長谷川 誠（千歳科学技術大学） TEL (0123)27-6059、FAX (0123)27-6059 E-mail:      p  n   関川 純哉（静岡大学） TEL (053) 478-1618、FAX (053) 478-1618 E-mail: tj  kipc   一矢 光雄（松下電工） TEL (070)5432-0873、FAX (03)6218-1921 E-mail: i    w ◎EMD研究会に関する最新の情報は、http://www.ieice.org/es/emd/jpn/をご参照ください。 ☆CPM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 9月25日(金) 機械振興会館 [7月17日(金)] テーマ：光記録技術，一般 10月29日(木)～30日(金) 富山県立大学 [8月24日(月)] テーマ：薄膜プロセス・材料、一般 11月19日(木)～20日(金) 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） [9月18日(金)] テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス 【問合先】 大庭直樹（NTTフォトニクス研究所） TEL 046-240-4342 FAX 046-240-4526 E-mail: n oobaaecl 今井欽之（NTTフォトニクス研究所） TEL 046-240-4549 FAX 046-240-4300 E-mail:    aecl☆OPE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月22日(木)～23日(金) 九州大学 [8月12日(水)] テーマ：超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，（ECOC報告） 11月13日(金) 機械振興会館 [9月18日(金)] テーマ：光機能性有機材料・デバイス、光非線形現象、一般 【問合先】 瀧口 浩一（NTTフォトニクス研究所） 〒243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 TEL 046-240-4397 FAX 046-240-4528 E-mail: aecl加藤 友章（NECナノエレクトロニクス研究所） 〒520-0833 滋賀県大津市晴嵐2-9-1 TEL 077-537-7685 FAX 077-537-7689 E-mail:t-  bl  c ◎OPE研究会ホームページ http://www.ieice.or.jp/es/ope/ ◎OPE研究会では、H18年度より「学生優秀研究賞」を新設しました。学生の方の発表の中から特に優れた研究を表彰いたしますので、積極的なご投稿をお待ちしています。詳細は研究会HPをご覧ください。 ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 10月22日(木)～23日(金) 九州大学 [8月12日(水)] テーマ：超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，（ECOC報告） 11月19日(木)～20日(金) 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） [9月18日(金)] テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス 【問合先】 橋本順一（住友電気工業株式会社） TEL 045-853-7308, FAX 045-852-2913 E-mail:  -ju i◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2009-07-27 18:42:28 |
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