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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター) 副委員長 大見 俊一郎 (東工大) 幹事 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大) 幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック)， 諏訪 智之 (東北大) 日時 2021年 6月22日(火) 13：10～17：50 会場 オンライン開催（細井 卓治 （関学大）．079-565-7129） 議題 MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月22日(火) 午後 （13：00～17：50） −−− SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式 （ 10分 ） −−− (1) 13:10 - 13:50 ［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大） (2) 13:50 - 14:30 ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (3) 14:40 - 15:20 ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET ○若林 整（東工大） (4) 15:20 - 16:00 ［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 ○森 貴洋（産総研） (5) 16:00 - 16:40 ［依頼講演］デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして ○鳥海 明 −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (6) 16:50 - 17:10 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ ○松井千尋・竹内 健（東大） (7) 17:10 - 17:30 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 ○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健（東大） (8) 17:30 - 17:50 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） 一般講演：発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分 記念講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分 依頼講演：発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月17日(火)～18日(水) オンライン開催 [6月17日(木)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所） 電話 029-849-1149   -    aist Last modified: 2021-04-27 15:57:35 |
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