6月22日(火) 午後 13:00 - 17:50 |
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13:00-13:10 |
SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式 ( 10分 ) |
(1) |
13:10-13:50 |
[記念講演]イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 |
○間脇武蔵(東北大)・寺本章伸(広島大)・石井勝利(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信・諏訪智之(東北大)・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人・白井泰雪・須川成利(東北大) |
(2) |
13:50-14:30 |
[記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~ |
○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一(東大) |
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14:30-14:40 |
休憩 ( 10分 ) |
(3) |
14:40-15:20 |
[依頼講演]二次元材料をチャネルとするFET |
○若林 整(東工大) |
(4) |
15:20-16:00 |
[依頼講演]シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 |
○森 貴洋(産総研) |
(5) |
16:00-16:40 |
[依頼講演]デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして |
○鳥海 明 |
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16:40-16:50 |
休憩 ( 10分 ) |
(6) |
16:50-17:10 |
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ |
○松井千尋・竹内 健(東大) |
(7) |
17:10-17:30 |
組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 |
○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健(東大) |
(8) |
17:30-17:50 |
熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 |
○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一(名大) |