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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック)， 諏訪 智之 (東北大)

日時 2021年 6月22日(火)　13:10 - 17:50
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 
会場名 オンライン開催 
会場世話人
連絡先		 細井 卓治 （関学大）
079-565-7129
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

6月22日(火) 午後 
13:00 - 17:50
  13:00-13:10 SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式　（ 10分 ）
(1) 13:10-13:50 ［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質 ○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水　亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
(2) 13:50-14:30 ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李　宗恩・林　早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中　充・高木信一（東大）
  14:30-14:40 休憩　（ 10分 ）
(3) 14:40-15:20 ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET ○若林　整（東工大）
(4) 15:20-16:00 ［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発 ○森　貴洋（産総研）
(5) 16:00-16:40 ［依頼講演］デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして ○鳥海　明
  16:40-16:50 休憩　（ 10分 ）
(6) 16:50-17:10 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ ○松井千尋・竹内　健（東大）
(7) 17:10-17:30 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響 ○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内　健（東大）
(8) 17:30-17:50 熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御 ○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）

講演時間
一般講演発表 15 分 ＋ 質疑応答 5 分
記念講演発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分
依頼講演発表 30 分 ＋ 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所）
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2021-04-27 15:57:35


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