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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 内山 邦男 (日立)
副委員長 吉本 雅彦 (神戸大), 濱崎 利彦 (日本TI)
幹事 広瀬 佳生 (富士通研), 鈴木 弘明 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 松岡 俊匡 (阪大), 竹内 健 (東大), 岡田 健一 (東工大)

日時 2010年 8月26日(木) 09:10 - 19:00
2010年 8月27日(金) 09:00 - 16:50
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 
住所 札幌市北区北8条西3丁目 札幌エルプラザ
交通案内 JR札幌駅北口より徒歩5分
http://www.danjyo.sl-plaza.jp/information/index.html
会場世話人
連絡先
011-728-1222(会場)
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter共催
お知らせ ◎研究会初日終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。

8月26日(木) 午前  要素回路技術
09:10 - 12:15
(1) 09:10-09:35 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法 ○金 鎮明・名倉 徹(東大)・高田英裕・石橋孝一郎(ルネサステクノロジ)・池田 誠・浅田邦博(東大)
(2) 09:35-10:00 レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発 江渕剛志・小松義英・三浦成友・千葉智子・岩田 徹・○道正志郎・吉河武文(パナソニック)
(3) 10:00-10:25 チョッパアンプを用いた電圧平均化フィードバックを適用した高精度オンチップRC発振器 ○徳永祐介・崎山史朗・道正志郎(パナソニック)
(4) 10:25-10:50 A 2.7mW 4th-Order Active Gm-RC Bandpass Filter with 60MHz Center Frequency and Digital/Analog Tuning Techniques ○Jingbo Shi・Takayuki Konishi・Toru Kashimura・Shoichi Masui(Tohoku Univ)
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(5) 11:00-11:25 時間軸信号処理を用いたAD変換方式の検討 ○高山雅夫・三木拓司・道正志郎(パナソニック)
(6) 11:25-11:50 デジタルメモリ効果補正を用いた10bit-300MHzダブルサンプリングパイプラインADCの開発 ○三木拓司・森江隆史・尾関俊明・道正志郎(パナソニック)
(7) 11:50-12:15 静的消費電流ゼロのプルアップ回路 ○上野達也(山武)
  12:15-13:00 昼食 ( 45分 )
8月26日(木) 午後  グリーン・コンピューティング
13:00 - 14:40
(8) 13:00-13:25 高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ ○柳川善光・小埜和夫・小田部 晃・関口知紀(日立)
(9) 13:25-13:50 エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ~ Power Gating編 ~ ○井上淳樹(富士通研)
(10) 13:50-14:15 エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ~ DVFS編 ~ ○井上淳樹(富士通研)
(11) 14:15-14:40 ペタスケールコンピュータ用128GFLOPS/58W SPARC64VIIIfxプロセッサの電力解析および電力削減手法 ○川辺幸仁(富士通研)・岡野 廣・菅 竜二・吉田利雄・山崎 巌・櫻井仁士・本藤幹雄・松井宣幸・山下英男・中田達己・丸山拓巳・浅川岳夫(富士通)
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
8月26日(木) 午後  MEMS技術
14:50 - 19:00
(12) 14:50-15:40 [招待講演]MEMS/BEANSが可能にするグリーンテクノロジー ○三木則尚(慶大/BEANS)
(13) 15:40-16:30 [招待講演]マイクロエネルギーシステムに向けたMEMS技術の展開 ○鈴木雄二(東大)
(14) 16:30-17:20 [招待講演]光ファイバ給電による広域センサネットワーク ○田中洋介・黒川隆志(東京農工大)
  17:20-17:30 休憩 ( 10分 )
(15) 17:30-19:00 「VLSI-MEMS融合で拓くグリーンテクノロジ」
オーガナイザ&モデレータ:三田吉郎(東大)
パネリスト:三木則尚(慶大)、鈴木雄二(東大)、
田中洋介(農工大)、竹内 健(東大)、平本俊郎(東大)
8月27日(金) 午前  SSD
09:00 - 11:05
(16) 09:00-09:25 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法 ○田中丸周平(東大)・江角 淳・伊東充吉・李 凱(シグリード)・竹内 健(東大)
(17) 09:25-09:50 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD ○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義(東大)・高橋光恵・酒井滋樹(産総研)・竹内 健(東大)
(18) 09:50-10:15 NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) ○畑中輝義・石田光一・安福 正(東大)・宮本晋示・中井弘人(東芝)・高宮 真・桜井貴康・竹内 健(東大)
(19) 10:15-11:05 [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク(東大)・彦坂幸信・恵下 隆(富士通セミコンダクター)・北田秀樹・藤本興治(東大)・水島賢子(富士通研)・鈴木浩助(大日本印刷)・中村友二(富士通研)・川合章仁・荒井一尚(ディスコ)・大場隆之(東大)
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
8月27日(金) 午前  エマージングメモリ
11:15 - 12:30
(20) 11:15-11:40 [依頼講演] Top-pinned構造を用いた高密度1T/1MTJセルスピン注入型MRAM ○李 永ミン・吉田親子・角田浩司・梅原慎二郎・青木正樹・杉井寿博(富士通研)
(21) 11:40-12:05 ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 ○玉井翔人・渡辺重佳(湘南工科大)
(22) 12:05-12:30 酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの検討 ○菅野孝一・渡辺重佳(湘南工科大)
  12:30-13:20 昼食 ( 50分 )
8月27日(金) 午後  高信頼技術
13:20 - 15:00
(23) 13:20-13:45 DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 ○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健(東大)・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹(MIRAI-Selete)
(24) 13:45-14:10 プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎(東大)・宮野信治(半導体理工学研究センター)・竹内 健(東大)
(25) 14:10-14:35 A 65nm Bistable Cross-coupled Dual Modular Redundancy Flip-Flop Capable of Protecting Soft Errors on the C-element Jun Furuta(Kyoto Univ.)・Chikara Hamanaka・○Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Inst. of Tech.)・Hidetoshi Onodera(Kyoto Univ.)
(26) 14:35-15:00 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 ○井口智明・丸亀孝生・棚本哲史・杉山英行・石川瑞恵・斉藤好昭(東芝)
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
8月27日(金) 午後  デバイス
15:10 - 16:50
(27) 15:10-15:35 MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 ○林 隆程・渡辺重佳(湘南工科大)
(28) 15:35-16:00 SGTを用いたシステムLSIのパターン設計法 ○小玉貴大・渡辺重佳(湘南工科大)
(29) 16:00-16:25 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子(東大)・角村貴昭(MIRAI-Selete)・Anil Kumar(東大)・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗(MIRAI-Selete)・寺田和夫(広島市大)・最上 徹(MIRAI-Selete)・平本俊郎(東大/MIRAI-Selete)
(30) 16:25-16:50 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 ○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一(産総研)・亀井貴弘(明大)・塚田順一・山内洋美・石川由紀(産総研)・林田哲郎(明大)・坂本邦博・松川 貴(産総研)・小椋厚志(明大)・昌原明植(産総研)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中 繁(東芝)
Tel 045-776-5670
E--mail: geba 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 弘明(ルネサスエレクトロニクス)
TEL 072-787-2335
E--mail:aubs 


Last modified: 2010-06-22 17:43:35


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