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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

日時 2009年10月15日(木) 13:30 - 16:45
2009年10月16日(金) 09:00 - 12:25
議題 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
会場名 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 文京キャンパス 
住所 〒910-8507 福井県福井市文京3丁目9番1号
交通案内 京福バス/JR福井駅前(10のりば)-福井大学前下車(所要時間 約10分)。 私鉄えちぜん鉄道/福井駅-福大前西福井駅下車 (所要時間 約10分)
http://www.fukui-u.ac.jp/cont_about/outline/access.html
お知らせ ◎15日研究会終了後に、懇親会を行いますのでご参加下さい。
◎16日研究会終了後に、遠赤外領域開発研究センターの見学会を開催しますのでご参加下さい。

10月15日(木) 午後 
13:30 - 16:45
(1) 13:30-13:55 イオン照射誘起薄膜変形(IIB)現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発 ○吉田知也・長尾昌善・清水貴思・金丸正剛(産総研)
(2) 13:55-14:20 静電レンズ一体型FEAの試作と評価 ○田上智也・小池昭文・高木康男(静岡大)・長尾昌善・吉田知也・金丸正剛(産総研)・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典(静岡大)
(3) 14:20-14:45 マルチエミッタ評価装置による電子放出素子のその場・real time観察 ○酒井健太郎・椿 大輔・村田英一・下山 宏(名城大)・酒村一到・根岸伸安・渡辺 温(パイオニア)
  14:45-15:05 休憩 ( 20分 )
(4) 15:05-15:30 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 ○後藤康仁・池田啓太・宮田雄高・遠藤恵介・辻 博司(京大)
(5) 15:30-15:55 集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測 ○村上勝久・松尾智仁・若家冨士男・高井幹夫(阪大)
(6) 15:55-16:20 クローバーリーフパターンの起源究明 ~ 電界放射・イオン顕微鏡によるクローバーリーフパターンの解析 ~ ○根尾陽一郎(静岡大)・松本裕貴(スタンレー電気)・冨田 誠(静岡大)・佐々木正洋(筑波大)・青木 徹・三村秀典(静岡大)・横尾邦義(イデアルスター)
(7) 16:20-16:45 Graphite Nanospinesを用いたX線管の評価 ○中村智宣・定塚淳生・鬼塚好弘(鬼塚硝子)・三村秀典(静岡大)
10月16日(金) 午前 
09:00 - 12:25
(8) 09:00-09:25 ヘリックス進行波管における周期磁界の不均一性による電子ビームへの影響 ○永田哲規(九工大)・八田真児(MUSCATスペース・エンジニアリング)・趙 孟佑(九工大)
(9) 09:25-09:50 Ka帯250Wpeak Mini TWTの開発 ○張替 学・町田哲夫・金本 隆・吉田 満・蔦木邦夫(NECマイクロ波管)
  09:50-10:10 休憩 ( 20分 )
(10) 10:10-10:35 福井大におけるCWジャイロトロンの開発 ○立松芳典・斉藤輝雄・出原敏孝・小川 勇・光藤誠太郎・中野智彰・橋本秀一・尾関隆則(福井大)
(11) 10:35-11:00 パルスマグネトロンにおけるスプリアス低減技術 ○小畑英幸・古元邦美・辻 直樹(新日本無線)
(12) 11:00-11:25 電力可変型位相制御マグネトロンの研究開発 ○三谷友彦・木村光利・篠原真毅(京大)
(13) 11:25-12:25 遠赤外領域開発研究センター見学会

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t 


Last modified: 2009-08-20 09:16:48


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