11月17日(木) 午前
10:00 - 18:00 |
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10:00-10:05 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:30 |
分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長 |
○菊地諒介・奥村宏典・木本恒暢・須田 淳（京大） |
| (2) |
10:30-10:55 |
サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 |
○宮川鈴衣奈・楊 士波・三宅秀人・平松和政（三重大）・桑原崇彰・桑野範之・光原昌寿（九大） |
| (3) |
10:55-11:20 |
エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 |
○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大） |
| (4) |
11:20-11:45 |
SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究 |
○谷本 勝・酒井士郎（徳島大） |
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11:45-12:55 |
昼食休憩 （ 70分 ） |
| (5) |
12:55-13:20 |
硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 |
○藤倉序章・大島祐一・吉田丈洋・目黒 健・斉藤俊也（日立電線） |
| (6) |
13:20-13:45 |
ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 |
○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） |
| (7) |
13:45-14:10 |
Surface Barrier Height Lowering at Above 540 K in AlInN/AlN/GaN Heterostructures |
○Md. Tanvir Hasan・Hirokuni Tokuda・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui） |
| (8) |
14:10-14:35 |
GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 |
○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大） |
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14:35-14:50 |
休憩 （ 15分 ） |
| (9) |
14:50-15:15 |
様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構 |
○奥田貴史・三宅裕樹・木本恒暢・須田 淳（京大） |
| (10) |
15:15-15:40 |
AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 |
○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） |
| (11) |
15:40-16:05 |
促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 |
○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT） |
| (12) |
16:05-16:30 |
GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル |
○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック） |
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16:30-16:45 |
休憩 （ 15分 ） |
| (13) |
16:45-17:10 |
ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 |
○西森理人・牧山剛三・多木俊裕・山田敦史・今西健治・吉川俊英・原 直紀・渡部慶二（富士通研） |
| (14) |
17:10-17:35 |
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ |
○成田知隆・分島彰男・江川孝志（名工大） |
| (15) |
17:35-18:00 |
窒化物半導体太陽電池の集光特性 |
○森 美貴子・山本翔太・桑原洋介・藤井崇裕・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） |
11月18日(金) 午前
09:30 - 15:55 |
| (16) |
09:30-09:55 |
窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 |
○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大） |
| (17) |
09:55-10:20 |
ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 |
○井手公康・山本準一・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） |
| (18) |
10:20-10:45 |
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 |
○山口敦史（金沢工大）・耿 慧遠・砂川晴夫・石原裕次郎・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） |
| (19) |
10:45-11:10 |
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 |
○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） |
| (20) |
11:10-11:35 |
Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs |
○Yoon Seok Kim・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Kyono・Masaki Ueno・Takao Nakamura（Sumitomo Electric） |
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11:35-12:45 |
昼食休憩 （ 70分 ） |
| (21) |
12:45-13:10 |
2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 |
○美濃卓哉（理研/パナソニック電工）・平山秀樹（理研）・高野隆好・野口憲路・椿 健治（理研/パナソニック電工） |
| (22) |
13:10-13:35 |
m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 |
○前田哲利・平山秀樹・藤川紗千恵（理研） |
| (23) |
13:35-14:00 |
ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光 |
○美濃卓哉（理研/パナソニック電工）・平山秀樹（理研）・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック電工）・杉山正和（東大） |
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14:00-14:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (24) |
14:15-14:40 |
MOCVD法によるsapphire上への(Si)(Ga)AlC(P)薄膜の成長 |
○大西裕也・堀江郁哉・酒井士郎（徳島大） |
| (25) |
14:40-15:05 |
GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 |
○有田宗貴・チェ ギヒョン・荒川泰彦（東大） |
| (26) |
15:05-15:30 |
近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 |
○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大） |
| (27) |
15:30-15:55 |
GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察 |
○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） |
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15:55-16:00 |
委員長挨拶 （ 5分 ） |
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