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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 浜本 貴一 (九大)
副委員長 有賀 博 (三菱電機)
幹事 八木 英樹 (住友電工), 川北 泰雅 (古河電工)
幹事補佐 永井 正也 (阪大)

日時 2018年 7月12日(木) 13:00 - 16:40
2018年 7月13日(金) 09:00 - 14:55
議題 受光素子,変調器,レーザ応用,センシング応用 
会場名 北海道大学 工学部 アカデミックラウンジ3 
住所 〒060-8628 北海道札幌市北区北13条西8丁目
交通案内 北12条駅から徒歩約7分で「北13条門」,さらに約5分で工学部正面玄関
http://www.eng.hokudai.ac.jp/access/
会場世話人
連絡先
藤澤 剛
011-706-6542
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(LQE研究会)についてはこちらをご覧ください

7月12日(木) 午後  光デバイス及び応用
座長: 梅沢 俊匡(NICT)
13:00 - 14:45
(1) 13:00-13:05 開会挨拶
(2) 13:05-13:30 光波の幾何学的変換を利用したOAM分解素子の開発 LQE2018-20 山根啓作脇坂勇武渡辺悠歩北大)・岡 和彦弘前大)・戸田泰則森田隆二北大
(3) 13:30-13:55 10W級固定間光無線給電のためのシステム構成検討 LQE2018-21 勝田優輝宮本智之東工大
(4) 13:55-14:20 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減 LQE2018-22 中尾 亮佐藤具就杉山弘樹松尾慎治NTT
(5) 14:20-14:45 シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術 LQE2018-23 松本 武倉橋輝雄富士通研)・鴻池遼太郎鈴木恵治郎谷澤 健産総研)・植竹理人高林和雅富士通研)・池田和浩河島 整産総研)・秋山 傑関口茂昭富士通研
  14:45-15:00 休憩 ( 15分 )
7月12日(木) 午後  クロスセッション「ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か」
座長: 尾中 寛(富士通)
15:00 - 16:40
(6) 15:00-15:15 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 今日の集積送信光モジュールを実現する実装技術と、明日のさらなる大容量化に向けて ~ LQE2018-24 望月敬太三菱電機
(7) 15:15-15:30 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ DC内およびDC間通信向けレーザチップ ~ LQE2018-25 金子俊光住友電工
(8) 15:30-15:45 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ 光受信モジュールの設計及び実装技術と今後に向けた取り組み ~ LQE2018-26 大畠伸夫畑 端佳佐藤義也白尾瑞基藤原諒太山本修平三菱電機
(9) 15:45-16:00 [招待講演]ビヨンド400 Gbpsを決めるのはデバイスか,あるいは,実装か ~ InP系コヒーレントレシーバ開発の進展と光集積回路の今後の展望 ~ LQE2018-27 八木英樹井上尚子住友電工)・沖本拓也住友電工デバイス・イノベーション)・菊地健彦住友電工
(10) 16:00-16:40 ディスカッション-ビヨンド400Gbpsを決めるのはデバイスか, あるいは, 実装か
7月13日(金) 午前  クロスセッション「変調器に最も適した材料系は?」
座長: 川西 哲也(早大)
09:00 - 12:20
(11) 09:00-09:30 [招待講演]長距離高速伝送を実現するLiNbO3変調器 LQE2018-28 川島由匡土居正治富士通オプティカルコンポーネンツ
(12) 09:30-10:00 [招待講演]デジタルコヒーレント通信用InP光変調器の技術動向 LQE2018-29 菊池順裕NTT
(13) 10:00-10:30 [招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用 LQE2018-30 藤方潤一野口将高高橋重樹蔵田和彦光電子融合基盤技研)・竹中 充東大)・中村隆宏光電子融合基盤技研
  10:30-10:40 休憩 ( 10分 )
(14) 10:40-11:10 [招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 LQE2018-31 竹中 充高木信一東大
(15) 11:10-11:40 [招待講演]EOポリマーを用いた100Gbit/s光変調器 LQE2018-32 横山士吉九大
(16) 11:40-12:20 ディスカッション-変調器に最も適した材料系は?
  12:20-13:30 休憩 ( 70分 )
7月13日(金) 午後  変調器
座長: 田中 有(富士通研)
13:30 - 14:55
(17) 13:30-13:55 光変調器の性能指数に関する一考察 LQE2018-33 山口祐也菅野敦史山本直克NICT)・川西哲也早大
(18) 13:55-14:20 EA変調器集積DFBレーザを用いたベクトル変調に関する検討 LQE2018-34 稲垣惠三NICT)・プライメッツ メクバングワンウクリット マンコンチェンマイ大)・川西哲也早大
(19) 14:20-14:45 InP変調器の超広帯域化技術と高速エレクトロニクス技術の融合 LQE2018-35 小木曽義弘尾崎常祐中野慎介上田悠太脇田 斉NTT
(20) 14:45-14:55 閉会挨拶

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 八木 英樹(住友電気工業)
TEL 045-853-7318
E--mail:gi-dei

川北 泰雅(古河電気工業)
TEL 045-311-1219
E--mail:electc 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2018-05-15 21:13:18


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