12月22日(木) 午後
12:45 - 14:50 |
| (1) |
12:45-13:10 |
触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性 |
○木村千春・岡田邦孝（阪大）・岡本幸一・和田 優（舞鶴高専）・青木秀充・杉野 隆（阪大） |
| (2) |
13:10-13:35 |
ダイヤモンド電子放出素子の開発 ～ 素子の均一形成と大電流化 ～ |
○西林良樹・辰己夏生・難波暁彦・山本喜之・今井貴浩（住友電工） |
| (3) |
13:35-14:00 |
S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術 |
○後藤康仁・辻 博司・石川順三（京大） |
| (4) |
14:00-14:25 |
シリコン電界電子放射陰極の放射電子のエネルギー分析 |
○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） |
| (5) |
14:25-14:50 |
FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化 |
○安室千晃・坂村祐一・長尾昌善・田上尚男・金丸正剛・伊藤順司（産総研） |
12月22日(木) 午後
14:55 - 17:00 |
| (1) |
14:55-15:20 |
アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作 |
○難波正和・宮川和典・大川裕司・渡部俊久・岡崎三郎・谷岡健吉・江上典文（NHK）・田中亮太・中田智成・酒村一到・奥田義行・根岸伸安・佐藤英夫・渡辺 温・吉川高正（パイオニア） |
| (2) |
15:20-15:45 |
超広帯域TWTの研究 |
○吉田 満・新井深太郎・笠原明彦・高橋雅明・蔦木邦夫（NECマイクロ波管） |
| (3) |
15:45-16:10 |
大電力ジャイロトロンの定常運転に向けた改良 |
○南 龍太郎・春日井 敦・高橋幸司・小林則幸（原子力機構）・假家 強・満仲義加・林 健一（東芝電子管デバイス）・坂本慶司（原子力機構） |
| (4) |
16:10-16:35 |
新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発 |
○塩澤一史・山下 進・根尾陽一郎（静岡大）・岡田守弘（静岡大/新日鐵）・久米 博（静岡大/国立環境研）・知久典和・池戸智之（池戸電気）・高橋将文・橋口 原（香川大）・三村秀典（静岡大） |
| (5) |
16:35-17:00 |
高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発 |
○中本正幸・小南裕子・中西洋一郎・瀧川義史・大木祐也（静岡大）・平木博久・羽場方紀（ダイアライトジャパン） |
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