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★電子デバイス研究会（ED） 専門委員長 原 直紀 (富士通研) 副委員長 前澤 宏一 (富山大) 幹事 上田 哲三 (パナソニック)， 葛西 誠也 (北大) 幹事補佐 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大) ★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 奈良 安雄 副委員長 大野 裕三 (筑波大) 幹事 笹子 佳孝 (日立) 幹事補佐 黒田 理人 (東北大) 日時 2014年 2月27日(木) 13：30～18：15 2014年 2月28日(金) 09：00～12：30 会場 北海道大学 百年記念会館（〒060-0809 北海道札幌市北区北9条西6丁目 北海道大学構内．ＪＲ「札幌駅」下車、徒歩10分．http://www.hokudai.ac.jp/introduction/campus/100th/．情報科学研究科 葛西誠也．011-706-6509） 議題 機能ナノデバイスおよび関連技術 2月27日(木) 午後 （13：30～18：15） (1) 13:30 - 14:15 ［招待講演］粘菌アメーバから着想を得た計算パラダイムとナノフォトニクス・電子デバイス実現 ○青野真士（東工大/JST）・成瀬 誠（NICT）・金 成主（物質・材料研究機構）・巳波弘佳（関西学院大） (2) 14:15 - 14:40 カーボンナノチューブTFTの試作と評価 ○田中 朋・佐野栄一（北大） (3) 14:40 - 15:05 プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価 ○安西智洋・岸本 茂・大野雄高（名大） (4) 15:05 - 15:30 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製 ○樋口健太郎（名大）・中嶋勇太・外村卓也・武居正史（バンドー化学）・岸本 茂（名大）・畑 克彦（バンドー化学）・大野雄高（名大） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− (5) 15:45 - 16:10 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 ○鈴木恭一・小野満恒二・原田裕一・村木康二（NTT） (6) 16:10 - 16:35 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築 ○池田浩也・鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振） (7) 16:35 - 17:00 Synthesis of various F- doped tin oxide nanostructures on the glass substrate by the atomized spray pyrolysis deposition for DSSC application Gamini Rajapakse（Univ. of Peradeniya）・Devinda Liyanage（Shizuoka Univ.）・Viraj Jayaweera（SPD Lab. Inc.）・Vikum Premalal・○Madhu Mohan（Shizuoka Univ.）・Navaratne Bandara（Univ. Peradeniya）・Masaru Shimomura・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.） (8) 17:00 - 17:25 Suppressing the Recombination Rate on DSSC by Forming Blocking Layer ○Rangga Winantyo・Madhu Mohan（Shizuoka Univ.）・Gamini Rajapakse（Univ. of Peradeniya）・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.） (9) 17:25 - 17:50 非対称ゲート制御GaAsナノワイヤによる電子ブラウンラチェットデバイスの特性評価 ○阿部遊子・田中貴之・葛西誠也（北大） (10) 17:50 - 18:15 InAsナノワイヤ/CMOS異種技術融合集積回路の試作 ○道又賢司・島本一成・和保孝夫・荻野雄大・下村和彦（上智大） 2月28日(金) 午前 （09：00～12：30） (11) 09:00 - 09:25 MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 ～ 窒化物量子井戸構造の解析 ～ ○伊藤成顕・ソダーバンル ハッサネット・杉山正和・中野義昭（東大） (12) 09:25 - 09:50 共鳴トンネル発振器のセンサー応用 ○前澤宏一・潘 杰・角谷祐一郎・中野 純・森 雅之（富山大） (13) 09:50 - 10:15 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用 ○深谷徳宏（名大）・金 東榮（早大）・岸本 茂（名大）・野田 優（早大）・大野雄高（名大） (14) 10:15 - 10:40 カリウムイオンSiO2エレクトレット膜の帯電特性 ○橋口 原・杉山達彦・芝田 泰（静岡大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (15) 10:50 - 11:15 リアルタイムOSによる時間確定型エレクトロマイグレーション制御システム ○安藤昌澄・金丸祐真・齋藤孝成・白樫淳一（東京農工大） (16) 11:15 - 11:40 FPGAを用いた超高速フィードバック制御型エレクトロマイグレーション ○金丸祐真・安藤昌澄・齋藤孝成・白樫淳一（東京農工大） (17) 11:40 - 12:05 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） (18) 12:05 - 12:30 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス ○須田隆太郎・伊藤光樹・森原康平・豊中貴大・滝川主喜・白樫淳一（東京農工大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ◎初日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 4月17日(木)～18日(金) (予定) 山形大学工学部百周年記念会館 [2月17日(月)] テーマ：有機デバイス・酸化物デバイス・一般 5月28日(水)～29日(木) 名古屋大学VBL3階 [3月28日(金)] テーマ：結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 【問合先】 上田 哲三（パナソニック) TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426 E-mail：      zo  pa   c 葛西 誠也（北海道大） TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004 E-mail :   irciqe  i ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2月28日(金) 機械振興会館 テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 4月10日(木)～11日(金) 沖縄県青年会館 [2月7日(金)] テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 5月28日(水)～29日(木) 名古屋大学VBL3階 [3月28日(金)] テーマ：結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 【問合先】 小野 行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-mail: o        Last modified: 2013-12-14 11:29:07 |
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