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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大) 副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス) 幹事 川中 繁 (東芝)， 安斎 久浩 (ソニー) 幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大) 日時 2008年 6月 9日(月) 13：30～17：40 2008年 6月10日(火) 09：30～15：00 会場 東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 An棟中セミナー室 （An401・402）（〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1．小田急線/東京メトロ千代田線 東北沢駅より徒歩7分、代々木上原駅より12分．キャンパスMAP： http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/campusmap.html．http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html．宮崎誠一（広島大）、藤岡 洋（東京大）．03-5452-6342(藤岡研究室）） 議題 ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） 6月9日(月) 午後 ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演 （13：30～15：40） (1) 13:30 - 14:30 ［チュートリアル講演］Current Status and Prospects of High Mobility Channel Technologies for High performance CMOS ○Shinichi Takagi（Univ. of Tokyo/MIRAI-AIST） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (2) 14:40 - 15:40 ［チュートリアル講演］化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 ○大野泰夫（徳島大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 6月9日(月) 午後 ゲートスタック構造の新展開 (I) （15：50～17：40） (3) 15:50 - 16:15 Si反転層中のホールサブバンド分散 ○武田さくら・森田 誠・大杉拓也・谷川洋平・大門 寛（奈良先端大） (4) 16:15 - 16:40 MOS反転層モビリティの高精度評価 ○鳥海 明・喜多浩之（東大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (5) 16:50 - 17:15 シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 ○齋藤真澄・小林茂樹・内田 建（東芝） (6) 17:15 - 17:40 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上 ○平本俊郎・清水 健・筒井 元（東大） −−− 懇親会 （ 90分 ） −−− 6月10日(火) 午前 ゲートスタック構造の新展開 (II) （09：30～10：20） (7) 09:30 - 09:55 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大） (8) 09:55 - 10:20 III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− 6月10日(火) 午前 メタルゲート/High-k絶縁膜スタック （10：30～11：45） (9) 10:30 - 10:55 Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） (10) 10:55 - 11:20 High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重 裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林 亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海 明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） (11) 11:20 - 11:45 TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 6月10日(火) 午後 ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術 （12：45～15：00） (12) 12:45 - 13:10 Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定 ○山本喜久・富樫秀晃・今野篤史・松本光正・加藤 篤・齋藤英司・末光眞希（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構） (13) 13:10 - 13:35 MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (14) 13:45 - 14:10 MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究 ○白石賢二・小林賢司（筑波大）・石田 猛・奥山 裕・山田廉一（日立） (15) 14:10 - 14:35 Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory ○Yanli Pei・Masahiko Nishijima・Takafumi Fukushima・Tetsu Tanaka・Mitsumasa Koyanagi（Tohoku Univ.） (16) 14:35 - 15:00 High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター） チュートリアル講演：発表 50 分 ＋ 質疑応答 10 分 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催 ◎初日の研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください． ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 7月9日(水)～11日(金) かでる２・７（札幌） [4月25日(金)] テーマ：第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 7月17日(木)～18日(金) 機械振興会館 [5月16日(金)] テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104  ge       ba Last modified: 2008-04-17 10:45:33 |
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