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技報の〆切日は7/1前後となります。
正確な日付は事務局より6月下旬に通知されます。
本研究会は北海道大学(現地)とオンラインとを併用したハイブリッド形式にて開催いたします。


★集積回路研究会(ICD)
専門委員長 池田 誠 (東大)
副委員長 若林 準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
幹事 吉原 義昭 (キオクシア), 宮地 幸祐 (信州大)
幹事補佐 白井 僚 (京大), 塩見 準 (阪大), 久保木 猛 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)

★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 大見 俊一郎 (東工大)  副委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
幹事 諏訪 智之 (東北大), 野田 泰史 (パナソニック)
幹事補佐 細井 卓治 (関西学院大), 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)

★情報センシング研究会(ITE-IST)
委員長 池辺 将之 (北大)
担当幹事 小室 孝 (埼玉大), 下ノ村 和弘 (立命館大), 香川 景一郞 (静岡大)
担当幹事 徳田 崇 (東工大), 黒田 理人 (東北大), 北村 和也 (NHK), 山下 雄一郎 (TSMC), 大倉 俊介 (立命館大), 竹本 良章 (メムスコア)
担当幹事補佐 秋田 純一 (金沢大)

日時 2023年 8月 1日(火) 10:00~17:00
   2023年 8月 2日(水) 09:00~17:00
   2023年 8月 3日(木) 09:30~15:30

会場 北海道大学 情報教育館 3F スタジオ型多目的中講義室(ハイブリッド開催)(札幌市北区北16条西8丁目.https://www.imc.hokudai.ac.jp/event/event/%E6%83%85%E5%A0%B1%E6%95%99%E8%82%B2%E9%A4%A8%E4%BD%8D%E7%BD%AE%E5%9B%B3.pdf)

議題 アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

8月1日(火) 午前 (10:00~13:00)
座長: 兼本 大輔(大阪大学)

(1)/ICD 10:00 - 10:45
[招待講演]最先端CMOSプロセスを適用した小型高分解能サイクリックA/D変換器の開発
○大島 俊・山本敬亮・小野豪一(日立)

(2)/ICD 10:45 - 11:10
量子デバイスの環境モニタリングに向けた極低温AD変換器の検討
○山田友弥・髙橋亮蔵・三木拓司・永田 真(神戸大)

(3)/ICD 11:10 - 11:35
量子コンピュータ向けフリップチップシリコンインターポーザの極低温評価
○田口美里・高橋亮蔵(神戸大)・加藤薫子・楠野順弘(日立)・三木拓司・永田 真(神戸大)

(4)/ITE-IST 11:35 - 12:00
相補型バイアス制御による低電圧VCO型ADCの高線形化
○富樫拓斗・小松純大・池辺将之(北大)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

8月1日(火) 午後 (13:00~17:00)
座長: 辻 将信(ローム), 佐久間 究(キオクシア)

(5)/ICD 13:00 - 13:45
[招待講演]低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 ~ 43年間の半導体研究を振り返って ~
○石橋孝一郎(電通大)

(6)/ICD 13:45 - 14:30
[招待講演]低消費電力センサと無線技術の研究動向
○道正志郎・石原 昇・伊藤浩之(東工大)

(7)/ITE-IST 14:30 - 15:15
[招待講演](仮)エッジAIの現状と今後の展望
○本村真人(東工大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(8)/SDM 15:25 - 16:10
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋(産総研)

(9)/SDM 16:10 - 16:35
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善
○下方駿佑(慶大/産総研)・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋(産総研)

(10)/SDM 16:35 - 17:00
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
○李 龍聖・森 貴之(金沢工大)・岡 博史・森 貴洋(産総研)・井田次郎(金沢工大)

8月2日(水) 午前 (09:00~13:15)
座長: 安江 俊夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) / 八重樫 浩(ティアテック)

(11)/ICD 09:00 - 09:45
[招待講演]10Gbps/Wのネットワークルーティング、40ms CANバス 起動および1.4mWの待機電力を実現する 33k DMIPS・6.4W車載コミュニケーションゲートウェイプロセッサ
○島田健市・佐野啓一郎・福岡一樹・森田浩史・大東正行・亀井達也・浜崎博幸・島崎靖久(ルネサス エレクトロニクス)

(12)/ICD 09:45 - 10:10
1W/8R 20T SRAMコードブックメモリによる深層学習プロセッサの主記憶帯域削減
○大原遼太郎・加太雅也・太地正和・福永 篤・安田祐人・濱邉理玖・和泉慎太郎・川口 博(神戸大)

(13)/ITE-IST 10:10 - 10:35
LOFICイメージセンサに用いる小面積かつ高線形な列並列回路
○堀田遼太郎・大倉俊介・大谷 愛・立田一葵(立命館大)・宮内 健・韓 相萬・大和田英樹・高柳 功(ブリルニクスジャパン)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(14)/ITE-IST 10:45 - 11:30
[招待講演]イメージセンサ技術が創る情報センシングの社会
○若林準人(ソニーセミコンダクタソリューションズ)

(15)/ITE-IST 11:30 - 12:15
[招待講演]マルチモーダル・フレキシブルセンサシステム
○竹井邦晴(北大)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

8月2日(水) 午後 (13:15~17:00)
座長: 森 貴洋(産総研)

(16)/SDM 13:15 - 14:00
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治(奈良先端大)

(17)/SDM 14:00 - 14:45
[招待講演]先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向 ~ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ~
○若林 整(東工大)

(18)/SDM 14:45 - 15:10
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET
○原田知親(山形大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(19) 15:20 - 17:00
パネルディスカッション
「エッジAIの未来と求められる要素技術」
モデレータ
池辺 将之(北海道大)
パネリスト
若林準人(ソニー)、島田健市(ルネサスエレクトロニクス)、若林整(東工大)、小林正治(東大)

8月3日(木) 午前 (09:30~13:00)
座長: 平本 俊郎(東京大学)

(20)/SDM 09:30 - 10:15
[招待講演]二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望
○長汐晃輔(東大)

(21)/SDM 10:15 - 11:00
[招待講演]ビットコスト低減と持続可能性に向けた極低温7ビットセルフラッシュメモリの回復アニールによる再生利用
○饗場悠太・田中 瞳・菊島史恵・田中洋毅・藤澤俊雄・向田秀子・佐貫朋也(キオクシア)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(22)/ITE-IST 11:10 - 11:35
Stabilizing Variable Filters Using Inverse Trigonometric Functions
○Tian-Bo Deng(Toho Univ.)

(23)/ITE-IST 11:35 - 12:00
画像色相分析による水中海面層のクロロフィルa濃度分析手法
○小迫隼也・濱崎利彦(広島工大)

−−− 休憩 ( 60分 ) −−−

8月3日(木) 午後 (13:00~15:30)
座長: 弘原海 潤治(キオクシア), 久保木 猛(熊本大学)

(24)/ICD 13:00 - 13:45
[招待講演]エネルギーの場,コンピューターのカタチ
○三浦典之(阪大)

(25)/ICD 13:45 - 14:30
[招待講演]パワーデバイス用負荷適応型アクティブゲートドライバ集積回路の研究開発
○川井秀介・上野武司・高谷 聡・宮崎耕太郎(東芝)・鬼塚浩平(東芝欧州社)・石原寛明(東芝)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(26)/ICD 14:40 - 15:05
Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs
○Dibo Zhang・Kohei Horii・Katsuhiro Hata・Makoto Takamiya(UTokyo)

(27)/ICD 15:05 - 15:30
Gate Driver IC with Fully Integrated Overcurrent Protection Function by Measuring Gate-to-Emitter Voltage
○Haifeng Zhang・Dibo Zhang・Hiromu Yamasaki・Katsuhiro Hata(Univ. of Tokyo)・Keiji Wada(Tokyo Metropolitan Univ.)・Kan Akatsu(Yokohama National Univ.)・Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology)・Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演:発表 40 分 + 質疑応答 5 分


☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

9月28日(木) 理化学研究所 和光地区 大河内記念ホール(C32) [未定] テーマ:第17回アクセラレーション技術発表討論会「ポスト富岳アーキテクチャ」
10月31日(火) いせシティプラザ [8月21日(月)] テーマ:ハードウェアセキュリティ,一般
11月15日(水)~17日(金) くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール [9月8日(金)] テーマ:デザインガイア2023 -VLSI設計の新しい大地-

【問合先】
宮地 幸祐 (信州大学)
E-mail: knshu-u

☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

10月13日(金) 東北大学未来情報産業研究館5F [8月25日(金)] テーマ:プロセス科学と新プロセス技術
11月9日(木)~10日(金) 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 [9月4日(月)] テーマ:プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般

【問合先】
佐久間 究(キオクシア)
E-mail: oxia

☆ITE-IST研究会

【問合先】
池辺将之 (北海道大学)
E-mail: ibeisti


Last modified: 2023-07-26 13:42:30


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