5月27日(金) 午後
座長: 佐藤威友（北海道大）
13:00 - 15:30 |
| (1) |
13:00-13:50 |
［招待講演］放射加熱／冷却を利用した環境発電装置の実装、評価、解析 |
○鎌倉良成・港 恭哉・藤田悠摩・鈴木悠平（阪工大） |
| (2) |
13:50-14:15 |
フレキシブル熱電発電デバイスのためのZnO/導電性布材料の開発 |
川瀬暢大・藤原直樹・下村 勝（静岡大）・山川俊貴（熊本大）・池田和司（奈良先端大）・早川泰弘・○池田浩也（静岡大） |
| (3) |
14:15-14:40 |
自由電子レーザ照射による周期的微細構造生成 |
○野平真義・星野陽太・岩田展幸（日大） |
| (4) |
14:40-15:05 |
反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 |
○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大） |
| (5) |
15:05-15:30 |
Single-electron tunneling through multiple-donor QDs in high-concentration co-doped Si nanoscale transistors |
○Taruna Teja Jupalli・Tsutomu Kaneko・Chitra Pandy・Daniel Moraru（Shizuoka Univ.） |
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15:30-15:50 |
休憩 （ 20分 ） |
5月27日(金) 午後
座長: 中村雄一（豊橋技科大）
15:50 - 17:55 |
| (6) |
15:50-16:15 |
物理リザバー計算系のための半導体非線形ダイナミックノードの検討 |
○葛西誠也・齋藤俊介（北大） |
| (7) |
16:15-16:40 |
電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 |
○佐藤威友・渡久地政周（北大） |
| (8) |
16:40-17:05 |
Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長 |
○車井健慎・寺地勇博・田村怜太・岩田展幸（日大） |
| (9) |
17:05-17:30 |
多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 |
○瓜生和也（北陸先端大/アドバンテスト研）・木内翔太（北陸先端大）・佐藤 拓（アドバンテスト研）・鈴木寿一（北陸先端大） |
| (10) |
17:30-17:55 |
AlGaN/GaNヘテロ構造のTiAl系オーミック電極の基礎的検討 |
○吹中茉生・秋良芳樹・岡田 浩（豊橋技科大） |
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