12月3日(金) 午前
10:00 - 12:10 |
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10:00-10:05 |
開会挨拶 （ 5分 ） |
| (1) |
10:05-10:30 |
金属ナノ開口面発光レーザのプローブ特性の表面プラズモン増強 |
○橋爪滋郎・小山二三夫（東工大） |
| (2) |
10:30-10:55 |
半導体フォトニック準結晶レーザの実証とレート方程式解析 |
○野崎謙悟・馬場俊彦（横浜国大） |
| (3) |
10:55-11:20 |
InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性 |
○井手利英・馬場俊彦（横浜国大）・館林 潤・岩本 敏・中岡俊裕・荒川泰彦（東大） |
| (4) |
11:20-11:45 |
光通信用アンチモン系量子ドット面発光レーザ(QD-VCSEL)の開発 |
○山本直克・赤羽浩一・牛頭信一郎・上田章雄・大谷直毅（NICT） |
| (5) |
11:45-12:10 |
1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振 |
○山田みつき・阿南隆由・畠山 大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西 研一（NEC） |
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12:10-13:20 |
昼食 （ 70分 ） |
12月3日(金) 午後
13:20 - 16:55 |
| (6) |
13:20-13:50 |
［招待講演］ISLC2004報告 |
○吉國裕三（NTT） |
| (7) |
13:50-14:30 |
［招待講演］三角孔を有する高出力単一横モード面発光レーザ |
○古川昭夫・佐々木 智・星 光成・松園淳史（ソニー）・森藤康輔・馬場俊彦（横浜国大） |
| (8) |
14:30-14:55 |
波長可変光源の線幅特性の改善 |
○木本竜也・黒部立郎・村主賢悟・向原智一（古河電工） |
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14:55-15:15 |
休憩 （ 20分 ） |
| (9) |
15:15-15:40 |
MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 |
○館林 潤・羽鳥伸明・石田 充・江部広治（東大）・須藤久男・倉又朗人（富士通研）・菅原 充・荒川泰彦（東大） |
| (10) |
15:40-16:05 |
中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー |
○大谷啓太・大野英男（東北大） |
| (11) |
16:05-16:30 |
液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力２波長レーザの開発 |
○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シング ビラハムパル・上田大助（松下電器）・曽我育生・前澤浩一・水谷 孝（名大） |
| (12) |
16:30-16:55 |
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 |
○竹下達也・須郷 満・佐々木 徹・東盛裕一（NTT） |
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16:55-17:00 |
閉会挨拶 （ 5分 ） |
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