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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　大野裕三 (筑波大)　　副委員長　国清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
幹事　黒田理人 (東北大)
幹事補佐　山口直 (ルネサスエレクトロニクス)

日時　2015年 3月 2日(月)　10：00～16：00

会場機械振興会館（https://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html）

議題配線・実装技術と関連材料技術

3月2日(月) 午前（10：00～16：00）

−−−　開会の挨拶　（ 5分）　−−−

(1) 10:05 - 10:35
［招待講演］Bio-MEMS towards Single-Molecular Characterization
○Momoko Kumemura・Hiroyuki Fujita（Univ. of Tokyo）

(2) 10:35 - 11:05
［招待講演］性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術
○武田健一・青木真由（日立）

(3) 11:05 - 11:35
［招待講演］チップ間光配線に向けた高密度・アサーマルシリコン光インターポーザ
○中村隆宏・賣野　豊（光電子融合基盤技研）・荒川泰彦（東大）

(4) 11:35 - 12:05
［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
○中塚　理・鄧　云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大）

−−−　昼食　（ 60分）　−−−

(5) 13:05 - 13:35
［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋　厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）

(6) 13:35 - 14:05
［招待講演］選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション
磯林厚伸・和田　真・伊東　伴・斎藤達朗・西出大亮・石倉太志・片桐雅之・山崎雄一・松本貴士・北村政幸・渡邉勝仁・佐久間尚志・○梶田明広・酒井忠司（超低電圧デバイス技研組合）

−−−　休憩　（ 20分）　−−−

(7) 14:25 - 14:55
［招待講演］インターカレーションによる低抵抗多層グラフェン配線の実現
○近藤大雄（産総研/富士通研）・中野美尚・周　波・井　亜希子（産総研）・林　賢二郎（産総研/富士通研）・高橋　誠（産総研）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研/富士通研）

(8) 14:55 - 15:25
［招待講演］めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性に及ぼす微細組織の影響
○鈴木　研・加藤武瑠・三浦英生（東北大）

(9) 15:25 - 15:55
［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価
○嶋　紘平（東大）・ツユアン・韓　斌・高見澤　悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬　健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大）

−−−　閉会の挨拶　（ 5分）　−−−

招待講演：発表 25 分＋質疑応答 5 分

◆応用物理学会共催

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

4月29日(水)～30日(木)　大濱信泉記念館多目的ホール　[2月14日(土)]　テーマ：薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般
5月28日(木)～29日(金)　豊橋技科大VBL棟　[3月24日(火)]　テーマ：結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
6月19日(金)　名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー　[4月9日(木)]　テーマ：MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催）

【問合先】
黒田理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-mail: