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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　浅野種正 (九大)　　副委員長　杉井寿博 (富士通)
幹事　川中繁 (東芝)，安斎久浩 (ソニー)
幹事補佐　大見俊一郎 (東工大)

日時　2008年 3月14日(金)　13：00～16：45

会場機械振興会館 6階 65号会議室（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8．地下鉄日比谷線神谷町駅下車徒歩6分．http://www.jspmi.or.jp/）

議題不揮発メモリと関連技術および一般

3月14日(金) 午後ＳＤＭ 3月研究会（機械振興会館 6階 65号会議室）（13：00～16：45）

−−−　開催の辞　（ 5分）　−−−

(1) 13:05 - 13:30
二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田　忍（東芝）

(2) 13:30 - 13:55
高耐熱性相変化メモリ
○森川貴博（日立）

(3) 13:55 - 14:20
酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価
○柴田　宏・大岩朝洋・徳光永輔（東工大）

(4) 14:20 - 14:45
Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)
○Joo Won Yoon・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(5) 15:00 - 15:25
先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術
渡辺直也（くまもとテクノ）・岩崎　裕・○浅野種正（九大）

(6) 15:25 - 15:50
常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術
○田中直敬・吉村保廣・川下道宏（日立）・植松俊英・内藤孝洋・赤沢　隆（ルネサステクノロジ）

(7) 15:50 - 16:15
先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討
○渡辺重佳（湘南工科大）

(8) 16:15 - 16:40
独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたLSIの新設計法
○廣島　佑・岡本恵介・渡辺重佳（湘南工科大）

−−−　閉会の辞　（ 5分）　−−−

☆SDM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

4月11日(金)～12日(土)　沖縄県青年会館　[2月12日(火)]　テーマ：TFTの材料・デバイス技術・応用および一般
5月15日(木)～16日(金)　名古屋工業大学　[3月14日(金)]　テーマ：結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
6月9日(月)～10日(火)　東京大学(生産研 An棟)　[4月15日(火)]　テーマ：ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催）

【問合先】
川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E-mail