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★集積回路研究会（ICD） 専門委員長 池田 誠 (東大) 副委員長 若林 準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) 幹事 吉原 義昭 (キオクシア)， 宮地 幸祐 (信州大) 幹事補佐 白井 僚 (京大)， 塩見 準 (阪大)， 久保木 猛 (熊本大) 日時 2024年 4月11日(木) 09：30～16：10 2024年 4月12日(金) 09：30～16：10 会場 川崎市産業振興会館 9階第2研修室（212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地20．https://kawasaki-sanshinkaikan.jp/） 議題 メモリ技術と集積回路技術一般 4月11日(木) 午前 （09：30～11：35） 座長: 兼本大輔（大阪大学) (1) 09:30 - 10:20 ［招待講演］PWMアーキテクチャーによる情報検索プロセッサ ～ ノイマン型コンピュータの理想を求めて ～ ○井上克己（AOT） (2) 10:20 - 10:45 ［依頼講演］A 3nm 32.5 TOPS/W, 55.0 TOPS/mm2 and 3.78 Mb/mm2 Fully Digital Computing-in-Memory Supporting INT12 x INT12 with Parallel MAC Architecture ○HIdehiro Fujiwara（TSMC） (3) 10:45 - 11:10 ［依頼講演］An SPN Strong PUF with SRAM-based Entropy Source Featuring Both 100-Bit Output Space and Modeling Attack Resilience ○Kunyang Liu（Kyoto Univ.）・Yichen Tang（Lenovo）・Shufan Xu・Kiichi Niitsu（Kyoto Univ.）・Hirofumi Shinohara（Waseda Univ.） (4) 11:10 - 11:35 導波路を使ったICの熱問題に関する提案 ～ 電磁波導波路による熱問題対策技術 ～ ○大内和幸（波動デバイス） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 4月11日(木) 午後 （13：00～14：15） 座長: 野口 英和（マイクロンメモリージャパン株式会社） (5) 13:00 - 13:25 高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ ○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS） (6) 13:25 - 13:50 ［依頼講演］高速書き込みと長時間情報保持を両立する大容量MRAM向け微細MTJ技術 ○板井翔吾・都甲 大・杉山英行・鎌田親義・高嶋梨菜・小池剛央・中山昌彦（キオクシア） (7) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ ○伊豆名雅之・小川大也・松原 謙・帯刀恭彦・斉藤朋也・武田晃一・金田義宣・下井貴裕・三谷秀徳・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 4月11日(木) 午後 （14：30～16：10） 座長: 帯刀 恭彦（ルネサスエレクトロニクス株式会社） (8) 14:30 - 14:55 ［依頼講演］ノーマリーオフコンピューティングに向けたData Aware Storeアーキテクチャを持つ40nm 2kb不揮発性SRAMマクロ ○鈴木健太・平賀啓三・別所和宏（ソニー）・宇佐美公良（芝浦工大）・梅林 拓（ソニー） (9) 14:55 - 15:45 ［招待講演］高精度、高効率アナログComputing-in-Memory回路に向けて ○吉岡健太郎（慶大） (10) 15:45 - 16:10 ［依頼講演］SONOS Embedded Flash IP Using Trap-Depth-Controlled SiN Film Enabling Data Retention more than 10 years at 200C ○Shoji Yoshida・Yashuhiro Taniguchi（Floadia） 4月12日(金) 午前 （09：30～11：35） 座長: 加藤洋介 (ウエスタンデジタル合同会社) (11) 09:30 - 10:20 ［招待講演］大容量ダイナミックフラッシュメモリ ○作井康司（ユニサンティス） (12) 10:20 - 10:45 ［依頼講演］WL層数1000層の3次元フラッシュメモリを見据えたパッケージ内昇圧回路を用いたサーマルスロットリングレスSSD技術 ○長谷川一磨・饗場悠太・李 旭・田中 瞳・宮崎隆行・佐貫朋也（キオクシア） (13) 10:45 - 11:35 ［招待講演］NANDフラッシュメモリーインターフェースの概要と最新の研究開発動向 ○都井 敬（キオクシア） −−− 休憩 （ 60分 ） −−− 4月12日(金) 午後 （13：00～14：30） 座長: 新居 浩二（TSMCデザインテクノロジージャパン株式会社） (14) 13:00 - 13:25 ［依頼講演］A 1Tb Density 3bits/Cell 3D-NAND Flash on a 2YY Tiers Technology with 300MB/s Write Throughput 河合鉱一・○久下英比古（マイクロン） (15) 13:25 - 13:50 ［依頼講演］5-Bit/2Cell(X2.5), 7-Bit/2Cell(X3.5), 9-Bit/2Cell(X4.5) NAND型フラッシュメモリ：ハーフビット技術 ○柴田 昇・内川浩典・澁谷泰良・仲井健理・栁平康輔・井上裕文（キオクシア） (16) 13:50 - 14:15 ［依頼講演］高速・大容量ストレージシステムをスケーラブルに実現するブリッジチップの開発 ○池田真一・岩田 彰・大友吾一・鈴木智明・飯島浩晃・白石幹雄・川上愼也・永光正知・松岡良樹・佐藤聖人・土屋滋洋・繁田良則・青山琢磨（キオクシア） −−− 休憩 （ 15分 ） −−− 4月12日(金) 午後 （14：30～16：10） 座長: 滋賀 秀裕（キオクシア株式会社） (17) 14:30 - 14:55 ［依頼講演］A bi-stable 1-transistor SRAM and a boosted transistor having intrinsic open-base BJT ○Yuniarto Widjaja・Christopher Norwood・Kuk-Hwan Kim（Zeno Semiconductor, Inc.） (18) 14:55 - 15:20 ［依頼講演］A 3-nm 27.6-Mbit/mm2 Self-timed SRAM Enabling 0.48 - 1.2 V Wide Operating Range with Far-end Pre-charge and Weak-Bit Tracking ○青柳佑海人・薮内 誠・田中智孝・石井雄一郎・長田佳晃・中里高明・新居浩二・イザベル ワン・ユーハオ シュ・ホン-チェン チェン・ヒュン-ジェン リャオ・チュン-ユン ジョナサン チャン（TSMC） (19) 15:20 - 15:45 ［依頼講演］3.7-GHz Multi-Bank High-Current Single-Port Cache SRAM with 0.5V-1.4V Wide Voltage Range Operation in 3nm FinFET for HPC Applications ○長田佳晃・中里高明・新居浩二・Jhon-Jhy Liaw・Shien-Yang Michael Wu・Quincy Li・藤原英弘・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） (20) 15:45 - 16:10 ［依頼講演］A 3nm-FinFET 4.3 GHz 21.1 Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with a Folded-Bitline Multi-Bank Architecture ○Masaru Haraguchi・Yorinobu Fujino・Yoshisato Yokoyama・Ming-Hung Chang・Yu-Hao Hsu・Hong-Chen Cheng・Koji Nii・Yih Wang・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 45 分 ＋ 質疑応答 5 分 基調講演：発表 55 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆IEEE SSCS Japan Chapter；IEEE SSCS Kansai Chapter共催 ◎会場は両日とも9:15に開けます。 ◎4/11、12の研究会終了後、懇親会を予定しています。ぜひご参加ください。登録は https://forms.gle/SEm8RGP114ufYBsd6 からお願いします。 ☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 5月9日(木)～10日(金) 東京大学武田先端知ビル５階 [4月19日(金)] テーマ：LSIとシステムのワークショップ2024 【問合先】 久保木 猛 （熊本大学） E-mail:  bo  ieee Last modified: 2024-04-11 10:58:34 |
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