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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 大庭 直樹 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 今井 欽之 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

日時 2009年10月29日(木) 14:00 - 17:30
2009年10月30日(金) 09:00 - 11:40
議題 薄膜プロセス・材料、一般 
会場名 富山県立大学 工学部 L棟2階L205会議室 
住所 富山県射水市黒河5180
交通案内 JR小杉駅南口より徒歩約25分、タクシー約5分。 JR小杉駅南口バス停のりば 小杉駅・太閤山線(8:39から1時間間隔で発車)または小杉地区循環線(8:35から2時間間隔)「富山県立大学前」下車徒歩1分。
http://www.pu-toyama.ac.jp/access/campus.html
会場世話人
連絡先
富山県立大学 工学部 安達正利
0766-56-7500
他の共催 ◆富山県立大学工学部

10月29日(木) 午後 
14:00 - 17:30
(1) 14:00-14:25 硫化法によるCZTS薄膜太陽電池 ○関 拓郎・五十嵐重雄・漢人康善(信州大)・百瀬成空(長野高専)・橋本佳男・伊東謙太郎(信州大)
(2) 14:25-14:50 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価 ○佐野裕紀・都築 暁・梅田卓司・成田 克・鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大)
(3) 14:50-15:15 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成 ○橋本将貴・鈴木貴彦・成田 克・廣瀬文彦(山形大)
(4) 15:15-15:40 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成 ○廣瀬文彦・鹿又健作・成田 克(山形大)
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(5) 15:50-16:15 反応性RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と評価 ○小川 翼・倉石央騎・小林由貴・山上朋彦・林部林平・阿部克也(信州大)
(6) 16:15-16:40 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価 ○斉藤裕史・萩野達也・松本純樹・山上朋彦・林部林平・上村喜一(信州大)
(7) 16:40-17:05 単層カーボンナノチューブとポリイミド複合体の微細パターン形成技術と電界電子放出特性 ○石山勝也・伊東栄次(信州大)
(8) 17:05-17:30 ディッピング法によって溶液から析出するC60結晶成長 ~ ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C60トランジスタの簡易作製を目指して ~ ○岩田展幸・栗原浩平・飯尾靖也・山本 寛(日大)
10月30日(金) 午前 
09:00 - 11:40
(9) 09:00-09:25 Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 ○黒田朋義・大谷孝史・加藤有行・高田雅介・赤羽正志・安井寛治(長岡技科大)
(10) 09:25-09:50 タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカルアニールによるZnO:Al薄膜の低抵抗化 大島 穣・田原将巳・モハマド ハニフ(長岡技科大)・片桐裕則・新保和夫(長岡高専)・黒木雄一郎・高田雅介・○安井寛治(長岡技科大)
(11) 09:50-10:15 高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性 ○的場彰成・佐々木公洋(金沢大)
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(12) 10:25-10:50 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO2薄膜のアニール効果の検討 ○猪阪直也・周 英・佐々木公洋(金沢大)
(13) 10:50-11:15 スパッタ法によるSrAl2O4薄膜の高速堆積法の検討 ○纐纈正和・久野敬史・齋藤 稔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎(新潟大)
(14) 11:15-11:40 スパッタ法によるMg系合金薄膜の特性の検討 ○岡田智弘・清水健児・丹内俊郎・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎(新潟大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 阿部 克也(信州大学)
E--mail: abenshu-u 


Last modified: 2009-08-25 13:07:06


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