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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)
幹事補佐 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2011年 2月23日(水) 13:30 - 17:20
2011年 2月24日(木) 09:30 - 12:25
議題 機能ナノデバイス及び関連技術 
会場名 北海道大学 百年記念会館 
住所 〒060-0808 札幌市北区北8条西5丁目
交通案内 JR札幌駅から徒歩15分
http://www.hokudai.ac.jp/bureau/map/guidemap.pdf
会場世話人
連絡先
大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 葛西誠也
011-706-6509
お知らせ ◎23日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

2月23日(水) 午後 
13:30 - 17:20
(1) 13:30-14:10 [招待講演]シリサイド系太陽電池及びスピントロニクスを目指して ED2010-192 SDM2010-227 末益 崇筑波大/JST)・齋藤隆允岡田淳史藤 克昭M. Ajmal KhanDu Weijie眞壁健司伊藤啓太原田一範筑波大)・宇佐美徳隆東北大/JST
(2) 14:10-14:35 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ED2010-193 SDM2010-228 池田浩也ファイズ サレ静岡大
(3) 14:35-15:00 Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価 ED2010-194 SDM2010-229 ファイズ サレ・○池田浩也静岡大
  15:00-15:15 休憩 ( 15分 )
(4) 15:15-15:40 分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーション法を用いた室温動作可能なプレナー型強磁性トンネル接合素子の作製 ED2010-195 SDM2010-230 安武龍太朗渡邉敬登上野俊介北川 潤白樫淳一東京農工大
(5) 15:40-16:05 マイクロサイズの電子線筺筒の開発とその応用 ED2010-196 SDM2010-231 根尾陽一郎高木康男藤野高弘小池昭史静岡大)・長尾昌善吉田知也西 孝産総研)・村田英一酒井健太郎名城大)・青木 徹三村秀典静岡大
(6) 16:05-16:30 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ED2010-197 SDM2010-232 沖川侑揮大野雄高岸本 茂水谷 孝名大
(7) 16:30-16:55 FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 ED2010-198 SDM2010-233 坂井秀男慶大)・大内真一松川 貴遠藤和彦柳 永勲塚田順一石川由紀中川 格関川敏弘小池帆平坂本邦博昌原明植産総研)・石黒仁揮慶大
(8) 16:55-17:20 SQUID共振を利用したサブミクロンAl接合容量の測定 ED2010-199 SDM2010-234 菊池健人守屋雅隆島田 宏水柿義直電通大
2月24日(木) 午前 
09:30 - 12:25
(9) 09:30-09:55 ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討 ED2010-200 SDM2010-235 中野雄紀三浦健輔白鳥悠太北大)・葛西誠也北大/JST
(10) 09:55-10:20 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅 ED2010-201 SDM2010-236 前澤宏一笠原康司潘 杰森 雅之富山大
(11) 10:20-10:45 Single-Electron Transfer between Two Donors in Thin Nanoscale Silicon Transistors ED2010-202 SDM2010-237 Daniel MoraruEarfan HamidJuli Cha TaridoSakito MikiRyusuke NakamuraTakeshi MizunoMichiharu TabeShizuoka Univ.
(12) 10:45-11:10 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ED2010-203 SDM2010-238 篠原迪人加藤勇樹三上 圭有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
(13) 11:10-11:35 Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ED2010-204 SDM2010-239 Arief UdhiartoDaniel MoraruRyusuke NakamuraTakeshi MizunoMichiharu TabeShizuoka Univ.
(14) 11:35-12:00 単一電子を利用した確率共鳴 ED2010-205 SDM2010-240 西口克彦藤原 聡NTT
(15) 12:00-12:25 量子ドットと並列ネットワークにおける単電子確率共鳴 ED2010-206 SDM2010-241 葛西誠也北大/JST)・白鳥悠太三浦健輔中野雄紀北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E--mail : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E--mailzopac 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax046-240-4317
E--mail: ono@aecl.ntt.co.jp 


Last modified: 2010-12-14 14:57:50


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