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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 中村 雄一 (豊橋技科大), 赤毛 勇一 (NTTデバイスイノベーションセンタ)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 中澤 日出樹 (弘前大), 寺迫 智昭 (愛媛大)

日時 2018年 8月 9日(木) 14:30 - 16:45
2018年 8月10日(金) 09:30 - 11:45
議題 電子部品・材料、一般 
会場名 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟4階405号室 
住所 〒036-8560 青森県弘前市文京町1番地
交通案内 JR弘前駅から徒歩20分、又はJR弘前駅よりバスにて約15分(JR弘前駅前(中央口)【3番のりば】から「小栗山・狼森(おいのもり)線」又は「学園町線」に乗車し、【弘前大学前】下車)
http://www.hirosaki-u.ac.jp/wp_access/campus_bunkyocho.html
会場世話人
連絡先
電子情報工学科 中澤日出樹
0172-39-3557
他の共催 ◆弘前大学電子情報工学科 共催
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(CPM研究会)についてはこちらをご覧ください

8月9日(木) 午後 
14:30 - 16:45
(1) 14:30-14:50 Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼(弘前大)・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希(東北大)・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹(弘前大)
(2) 14:50-15:10 SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴(弘前大)
(3) 15:10-15:30 SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹(弘前大)
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
(4) 15:45-16:05 大型室温原子層堆積装置の開発と耐腐食コーティングへの応用 ○廣瀬文彦(山形大)
(5) 16:05-16:25 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討 ○対馬和都・滝田健介・中澤日出樹(弘前大)・俵 毅彦・舘野功太・章 国強・後藤秀樹(NTT)・池田高之・水野誠一郎(NTT-AT)・岡本 浩(弘前大)
(6) 16:25-16:45 光変調を目指したマルチフェロイック複合膜の作製と評価 ○中村雄一・鎌田直秀・後藤太一・内田裕久・井上光輝(豊橋技科大)
8月10日(金) 午前 
09:30 - 11:45
(7) 09:30-09:50 触媒反応支援化学気相成長法における加熱イリジウムワイアによる酸化亜鉛への窒素添加の試み ○安達雄大・伊庭竜太・小野翔太郎(長岡技科大)・大石耕一郎・片桐裕則(長岡高専)・安井寛治(長岡技科大)
(8) 09:50-10:10 アンケート分析によるエゾシカ肉の旨味評価と電気的測定評価との関連 ○武山真弓(北見工大)・横川慎二(電通大)・佐藤 勝・安井 崇(北見工大)
(9) 10:10-10:30 低温作製されたZrOxNy膜の特性評価 ○佐藤 勝・北田秀樹・武山真弓(北見工大)
  10:30-10:45 休憩 ( 15分 )
(10) 10:45-11:05 ウェットプロセスによる裏面アルミナパッシベーション膜の評価 ○渡邊良祐(弘前大)・小山 翼・齋藤洋司(成蹊大)
(11) 11:05-11:25 Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴(弘前大)
(12) 11:25-11:45 Zr系金属ガラス表面の元素組成と化学結合状態 ○郡山春人・藤森敬典・遠田義晴(弘前大)・富樫 望(アダマンド並木精密宝石)

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2018-06-16 10:40:47


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