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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年11月 5日(木)　10:00 - 15:20
2015年11月 6日(金)　11:00 - 15:20
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 6F 67号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園３－５－８
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月5日(木) 午前 
座長: 安斎久浩 （ソニー（株））
10:00 - 11:50
(1) 10:00-10:50 ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 SDM2015-84 ○植松真司（慶大）
  10:50-11:00 休憩　（ 10分 ）
(2) 11:00-11:25 バルクCMOSにおけるシングルイベントラッチアップに対するDeep P-wellの効果 SDM2015-85 ○加藤貴志・松山英也（SNI）
(3) 11:25-11:50 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 SDM2015-86 ○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森　伸也（阪大）
  11:50-13:30 昼食　（ 100分 ）
11月5日(木) 午後 
座長: 園田賢一郎 （ルネサス エレクトロ二クス（株））
13:30 - 15:20
(4) 13:30-14:20 ［招待講演］SISPAD 2015 レビュー SDM2015-87 ○三成英樹（ソニー）
  14:20-14:30 休憩　（ 10分 ）
(5) 14:30-15:20 ［招待講演］SISPAD2015レビュー SDM2015-88 ○國清辰也（ルネサス エレクトロニクス）
11月6日(金) 午前 
座長: 国清辰也 （ルネサス エレクトロ二クス（株）
11:00 - 11:50
(6) 11:00-11:50 ［招待講演］歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション SDM2015-89 ○相馬聡文・田中未来・市原圭祐・迫田翔太郎・笹岡健二・小川真人（神戸大）
  11:50-13:30 昼食　（ 100分 ）
11月6日(金) 午後 
座長: 小田嘉則 （（株）半導体理工学研究センター）
13:30 - 15:20
(7) 13:30-14:20 ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 SDM2015-90 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
  14:20-14:30 休憩　（ 10分 ）
(8) 14:30-15:20 ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について SDM2015-91 ○酒井　敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: e3 


Last modified: 2015-10-16 19:18:15


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