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★電子部品・材料研究会（CPM）
専門委員長　竹村泰司 (横浜国大)　　副委員長　高野泰 (静岡大)
幹事　圓佛晃次 (NTT)，阿部克也 (信州大)
幹事補佐　小舘淳一 (NTT)，佐藤知正 (神奈川大)

日時　2012年10月26日(金)　13：00～18：20
　　　2012年10月27日(土)　09：10～12：40

会場まちなかキャンパス長岡 5階 501会議室（新潟県長岡市大手通２－６フェニックス大手イースト．長岡駅より徒歩5分．http://www.city.nagaoka.niigata.jp/kosodate/machicam/．長岡技術科学大学電気系安井寛治．0258-39-3300(会場））

議題薄膜プロセス・材料，一般

10月26日(金) 午後（13：00～18：20）

(1) 13:00 - 13:25
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたCVD法によるZnO膜の堆積特性
○安井寛治・三浦仁嗣・田原将巳・里本宗一（長岡技科大）

(2) 13:25 - 13:50
H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析
○永冨瑛智・山口直也・竹内智彦・里本宗一・加藤孝弘・安井寛治（長岡技科大）

(3) 13:50 - 14:15
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果
○小柳貴寛・竹澤和樹・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大）

(4) 14:15 - 14:40
スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討
○名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井　望・野本隆宏（新潟大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(5) 14:50 - 15:15
非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製～窓層堆積条件検討による効率の改善～
○田中久仁彦・相澤卓実・打木久雄（長岡技科大）

(6) 15:15 - 15:40
Cu2ZnSnS4を用いた三次元構造太陽電池の作製
○黒川真登・田中久仁彦・加藤　実・長沼萌壮・長橋由樹・打木久雄（長岡技科大）

(7) 15:40 - 16:05
塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製
○佐久間広太・田中久仁彦・相澤卓実・中野裕也・打木久雄（長岡技科大）

(8) 16:05 - 16:30
CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化
○樋口健人・鷲尾　司・神保和夫・片桐裕則（長岡高専）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(9) 16:40 - 17:05
Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長
○中澤日出樹・鈴木大樹・成田次理・山本陽平（弘前大）

(10) 17:05 - 17:30
MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状
高木達也・宮原　亮・○高野　泰（静岡大）

(11) 17:30 - 17:55
Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成
○野矢　厚・武山眞弓・佐藤　勝・徳田　奨（北見工大）

(12) 17:55 - 18:20
Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ～ Va遷移金属の拡散挙動～
○武山真弓・野矢　厚（北見工大）

10月27日(土) 午前（09：10～12：40）

(13) 09:10 - 09:35
コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製
○横本拓也・荒井　崇・小坂孝之・岡島和希・山上朋彦・阿部克也・榊　和彦（信州大）

(14) 09:35 - 10:00
熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討
○小林和晃・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・川上貴浩（新潟大）

(15) 10:00 - 10:25
プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性
○松井博章・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・永田向太郎・坪井　望・野本隆宏（新潟大）

(16) 10:25 - 10:50
YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程
○阿部泰雅・谷口浩太・八木純平・加藤有行（長岡技科大）

−−−　休憩　（ 10分）　−−−

(17) 11:00 - 11:25
グラフェン層間化合物の作製と評価
○山本　寛・市川博亮・佐藤祥吾・岩田展幸（日大）

(18) 11:25 - 11:50
電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討
○浅田裕司・山下将弘・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）

(19) 11:50 - 12:15
パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価
○加藤孝弘・西方　翼・小瀧侑央・末松久幸・安井寛治（長岡技科大）・川上　彰（NICT）

(20) 12:15 - 12:40
ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
○姉崎　豊・佐藤　魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田　克（山形大）・安井寛治（長岡技科大）

一般講演：発表 18 分＋質疑応答 7 分

☆CPM研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

11月26日(月)～28日(水)　九州大学百年講堂　[9月7日(金)]　テーマ：デザインガイア2012 -VLSI設計の新しい大地-
11月29日(木)～30日(金) (予定)　大阪市立大学　[9月20日(木)]　テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般
2013年1月24日(木)～25日(金)　阿蘇ファームランド　[11月10日(土)]　テーマ：エネルギー変換技術，電池関連技術，一般

【問合先】
阿部克也（信州大学）
E-mail: abe