1月30日(水) 午後
13:30 - 15:10 |
| (1) |
13:30-13:55 |
MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長 |
○山口雅史・白 知鉉・西脇達也・吉田 隆・澤木宣彦（名大） |
| (2) |
13:55-14:20 |
有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価 |
○登坂仁一郎・佐藤拓也・本久順一・原 真二郎・福井孝志（北大） |
| (3) |
14:20-14:45 |
Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope |
○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
| (4) |
14:45-15:10 |
Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer |
○Daniel Moraru・Daisuke Nagata・Kiyohito Yokoi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
| |
15:10-15:20 |
休憩 （ 10分 ） |
1月30日(水) 午後
15:20 - 18:20 |
| (5) |
15:20-15:55 |
［招待講演］InP系バリスティックトランジスタ |
○宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） |
| (6) |
15:55-16:20 |
InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送 |
○小山政俊・井上達也・天野直樹・藤原健司・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇（阪工大） |
| (7) |
16:20-16:45 |
GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形特性制御と論理ゲートへの応用 |
○アブドゥール ラーマン シャハリン ファズリ・白鳥悠太・葛西誠也（北大） |
| |
16:45-16:50 |
休憩 （ 5分 ） |
| (8) |
16:50-18:20 |
パネル討論 |
1月31日(木) 午前 応用
09:00 - 12:30 |
| (9) |
09:00-09:25 |
シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 |
○池田浩也・山下尚見（静岡大） |
| (10) |
09:25-09:50 |
カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて |
○森 貴洋（理研）・佐藤俊介・大村一夫（理研/東京理科大）・内田勝美・矢島博文（東京理科大）・石橋幸治（理研/JST） |
| (11) |
09:50-10:15 |
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案 |
○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進（静岡大）・長尾昌善・金丸正剛（産総研）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大） |
| (12) |
10:15-10:40 |
共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化 |
○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・安藤浩哉（豊田高専）・赤松和弘・中田弘章（日鉱金属） |
| |
10:40-10:50 |
休憩 （ 10分 ） |
| (13) |
10:50-11:15 |
4RTD論理回路の動作解析 |
○江幡友彦・奥山太樹・和保孝夫（上智大） |
| (14) |
11:15-11:40 |
ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装 |
○葛西誠也（北大/JST）・趙 洪泉・橋詰 保（北大） |
| (15) |
11:40-12:05 |
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作 |
○開澤拓弥・曹 民圭・有田正志（北大）・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大） |
| (16) |
12:05-12:30 |
ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 ～ 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御 ～ |
○西口克彦・藤原 聡（NTT） |
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