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★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） 専門委員長 河口 仁司 (奈良先端大) 副委員長 勝山 造 (住友電工) 幹事 佐藤 健二 (NEC)， 宮本 智之 (東工大) 日時 2010年12月17日(金) 09：15～17：45 会場 機械振興会館 地下2階3号室（http://www.jspmi.or.jp/） 議題 半導体レーザ関連技術，及び一般 12月17日(金) 午前 （09：15～13：00） −−− 委員長挨拶（開会） （ 5分 ） −−− (1) 09:20 - 09:45 マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御 ○佐野勇人・中田紀彦・中濱正統・松谷晃宏・小山二三夫（東工大） (2) 09:45 - 10:10 光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性 ○今井 英・高木啓史・神谷慎一・清水 均・吉田順自・川北泰雅・高木智洋・平岩浩二・清水 裕・鈴木理仁・岩井則広・石川卓哉・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） (3) 10:10 - 10:35 All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers ○Chin-Hui Chen・Shinji Matsuo・Kengo Nozaki・Akihiko Shinya・Tomonari Sato・Yoshihiro Kawaguchi・Hisashi Sumikura・Masaya Notomi（NTT） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 10:45 - 11:10 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 ○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） (5) 11:10 - 11:35 a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） (6) 11:35 - 12:00 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ ○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機） −−− 昼食 （ 60分 ） −−− 12月17日(金) 午後 （13：00～17：45） −−− LQE奨励賞表彰式 （ 10分 ） −−− (7) 13:10 - 13:35 ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） (8) 13:35 - 14:00 ［奨励講演］世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用 ○住村和彦（光響/阪大）・玄田裕美・太田健史・伊東一良（阪大）・西澤典彦（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (9) 14:10 - 14:35 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与 ○笹倉弘理（北大）・田中和典（浜松ホトニクス）・許 載勲（北大）・赤崎達志（NTT）・熊野英和・末宗幾夫（北大） (10) 14:35 - 15:00 第一原理計算によるゲルマニウム量子井戸発光素子の研究 ○諏訪雄二・斎藤慎一（日立） (11) 15:00 - 15:25 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 ○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL） (12) 15:25 - 15:50 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (13) 16:00 - 16:25 高出力625nmAlGaInP半導体レーザ ○八木哲哉・島田尚往・大野彰人・阿部真司・宮下宗治（三菱電機） (14) 16:25 - 16:50 BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振 ○藤崎寿美子（日立）・中島 博（ソニー）・葛西淳一・秋本良一（産総研）・田才邦彦・滝口由朗（ソニー）・紀川 健（日立）・朝妻庸紀・玉村好司（ソニー）・田中滋久・辻 伸二（日立）・鍬塚治彦・挾間壽文・石川 浩（産総研） (15) 16:50 - 17:15 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ ○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック） (16) 17:15 - 17:40 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） −−− 閉会挨拶 （ 5分 ） −−− 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 ☆LQE研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 2011年1月27日(木)～28日(金) 大阪大学 [11月15日(月)] テーマ：フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 【問合先】 佐藤 健二（日本電気株式会社） TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619 E-mail: s  n     c 宮本 智之（東京工業大学） TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977 E-mail: t    tpi   ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/ ◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。 Last modified: 2010-12-02 10:01:00 |
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