11月16日(金) 午後
13:00 - 16:35 |
| (1) |
13:00-13:25 |
イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 |
○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大） |
| (2) |
13:25-13:50 |
フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制 |
○渡邊大祐・青木秀充・堀田沙織・木村千春・杉野 隆（阪大） |
| (3) |
13:50-14:15 |
高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理 |
○二ツ木高志（阪大/オルガノ）・大江太郎（オルガノ）・青木秀充・小松直佳・木村千春・杉野 隆（阪大） |
| (4) |
14:15-14:40 |
多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 |
○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） |
| |
14:40-14:55 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
14:55-15:20 |
AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価 |
○松下景一・寺本信一郎・桜井博幸・沈 正七・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝） |
| (6) |
15:20-15:45 |
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析 |
○井上雄介・増田 哲・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・原 直紀・重松寿生・常信和清（富士通研） |
| (7) |
15:45-16:10 |
AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別 |
○八巻史一・石井和明・西 眞弘・生松 均・舘野泰範・川田春雄（ユーディナデバイス） |
| (8) |
16:10-16:35 |
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル |
○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ） |
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