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★電子デバイス研究会（ED）
専門委員長　原直紀 (富士通研)　　副委員長　前澤宏一 (富山大)
幹事　上田哲三 (パナソニック)，葛西誠也 (北大)
幹事補佐　松永高治 (NEC)，鈴木寿一 (北陸先端大)

日時　2013年 8月 8日(木)　14：00～17：35
　　　2013年 8月 9日(金)　09：00～11：45

会場富山大学工学部大会議室（〒930-8555 富山県富山市五福3190．市内電車（路面電車）「富山駅」→「大学前」（所要時間：約20分）．http://www.eng.u-toyama.ac.jp/others/access.html．工学部電気電子システム工学科前澤宏一．076-445-6725）

議題半導体プロセス・デバイス（表面、界面、信頼性）、一般

8月8日(木) 午後（14：00～17：35）

(1) 14:00 - 14:25
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化
○呉　東坡・水牧勝太朗・潘　杰・森　雅之・前澤宏一（富山大）

(2) 14:25 - 14:50
高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly
○中野　純・柴田知明・森田弘樹・坂本　宙・森　雅之・前澤宏一（富山大）

(3) 14:50 - 15:15
トンネルダイオード線路上のエッジ振動ダイナミクス
○楢原浩一（山形大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(4) 15:30 - 16:20
［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析
○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大）

(5) 16:20 - 16:45
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用
○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大）

(6) 16:45 - 17:10
AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加
○徳田博邦・小島敏和・葛原正明（福井大）

(7) 17:10 - 17:35
Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価
○上村崇史・ワンマンホイ（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所）・ダイワシガマニキルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）

8月9日(金) 午前（09：00～11：45）

(8) 09:00 - 09:25
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森　雅之・前澤宏一（富山大）

(9) 09:25 - 09:50
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研）

(10) 09:50 - 10:15
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原　紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津　璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大）

−−−　休憩　（ 15分）　−−−

(11) 10:30 - 10:55
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果
○日高志郎・岩瀬比宇麻・赤堀誠志・山田省二（北陸先端大）・今中康貴・高増　正（物質・材料研究機構）

(12) 10:55 - 11:20
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価
○赤堀誠志・村上達也・山田省二（北陸先端大）

(13) 11:20 - 11:45
Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長
○王　シン・森　雅之・前澤宏一（富山大）

一般講演：発表 20 分＋質疑応答 5 分

◎8日研究会終了後，懇親会を予定していますので御参加ください

☆ED研究会今後の予定　[ ]内発表申込締切日

10月22日(火)～23日(水)　北海道大学エンレイソウ　[8月13日(火)]　テーマ：電子管と真空ナノエレクトロニクス
11月28日(木)～29日(金)　大阪大学吹田キャンパス　[9月18日(水)]　テーマ：窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般

【問合先】
上田哲三（パナソニック)
TEL：06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-mail：