11月25日(木) 午前
座長: 寺迫 智昭 （愛媛大学）
10:00 - 11:45 |
| (1) |
10:00-10:05 |
開会挨拶 |
| (2) |
10:05-10:30 |
化学溶液析出法によるITO/ガラス基板上へのCu<sub>2</sub>O薄膜成長 |
○神本泰州・大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大） |
| (3) |
10:30-10:55 |
ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>ナノ構造の気相‐液相‐固相成長と構造およびフォトルミネッセンス特性 |
○寺迫智昭・米田岳司（愛媛大）・高橋尚大・矢木正和（香川高専） |
| (4) |
10:55-11:20 |
発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討 |
○藤島 睦・田中久仁彦・渡辺海斗・辻本直也（長岡技科大） |
| (5) |
11:20-11:45 |
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO：Gaヘテロ接合のUV光検出特性への熱処理の影響 |
○小林航平・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・古林 寛・山本哲也（高知工科大） |
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11:45-13:00 |
休憩 （ 75分 ） |
11月25日(木) 午後 セッション1
座長: 平山 秀樹 （理化学研究所）
13:00 - 14:35 |
| (1) |
13:00-13:05 |
2020年度 LQE奨励賞授与式 |
| (2) |
13:05-13:30 |
［奨励講演］ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性 |
○宮本義也・曽根直樹・奥田廉士・Weifang Lu・伊藤和真・山村志織・神野幸美・中山奈々美・勝呂紗衣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大） |
| (3) |
13:30-13:55 |
顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定 |
○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大） |
| (4) |
13:55-14:20 |
Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 |
○小笠原健太（金沢工大）・坂井繁太・奥村忠嗣・難波江宏一（ウシオ電機）・山口敦史（金沢工大） |
| |
14:20-14:35 |
休憩 （ 15分 ） |
11月25日(木) セッション2
座長: 川口 真生 （パナソニック）
14:35 - 16:05 |
| (5) |
14:35-15:00 |
ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価 |
○今城大渡・山肥田 涼・金森弘尚・渡邊龍一（金沢工大）・木村健司・今野泰一郎・藤倉序章（サイオクス）・山口敦史（金沢工大） |
| (6) |
15:00-15:25 |
InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析 |
○袴田舜也・藤田貴志・渡邊龍一・山口敦史（金沢工大） |
| (7) |
15:25-15:50 |
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 |
○李 リヤン・嶋 紘平（東北大）・山中瑞樹（名工大）・小島一信（東北大）・江川孝志（名工大）・上殿明良（筑波大）・石橋章司（産総研）・竹内哲也（名城大）・三好実人（名工大）・秩父重英（東北大） |
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15:50-16:05 |
休憩 （ 15分 ） |
11月25日(木) セッション3
座長: 熊谷 直人 （産業技術総合研究所）
16:05 - 17:20 |
| (8) |
16:05-16:30 |
r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性 |
○渋谷康太・上杉謙次郎・肖 世玉・正直花奈子・窪谷茂幸・秋山 亨・三宅秀人（三重大） |
| (9) |
16:30-16:55 |
高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長 |
○石原頌也・窪谷茂幸・正直花奈子・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） |
| (10) |
16:55-17:20 |
光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 |
○中林泰希・山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） |
11月26日(金) 午後
座長: 山本 佳嗣（三菱電機）／久保 俊晴（名古屋工業大学）
13:00 - 17:20 |
| (11) |
13:00-13:25 |
表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 |
○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機） |
| (12) |
13:25-13:50 |
界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 |
○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） |
| (13) |
13:50-14:15 |
Interface charge engineering in normally-off AlTiO/AlGaN/GaN field-effect transistors |
○Duong Dai Nguyen・Takehiro Isoda・Yuchen Deng・Toshi-kazu Suzuki（JAIST） |
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14:15-14:30 |
休憩 （ 15分 ） |
| (14) |
14:30-14:55 |
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 |
○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） |
| (15) |
14:55-15:20 |
AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET |
○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） |
| (16) |
15:20-15:45 |
AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 |
○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） |
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15:45-16:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (17) |
16:00-16:25 |
低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 |
○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） |
| (18) |
16:25-16:50 |
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 |
○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大） |
| (19) |
16:50-17:15 |
完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 |
○南條拓真・今澤貴史・清井 明・林田哲郎・綿引達郎・三浦成久（三菱電機） |
| (20) |
17:15-17:20 |
閉会挨拶 |
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