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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター) 副委員長 大見 俊一郎 (東工大) 幹事 森 貴洋 (産総研)， 小林 伸彰 (日大) 幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック)， 諏訪 智之 (東北大) 日時 2022年 6月21日(火) 13：00～18：00 会場 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー（VBL）3F ベンチャーホール（http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html．細井 卓治 （関学大）） 議題 MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 6月21日(火) 午後 （13：00～18：00） (1) 13:00 - 13:40 ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） (2) 13:40 - 14:00 多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 ○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理（名大） (3) 14:00 - 14:20 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (4) 14:30 - 15:10 ［依頼講演］オペランド・ナノX線分光を活用した次世代高周波デバイス研究 ○吹留博一（東北大） (5) 15:10 - 15:50 ［依頼講演］TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索 ○小椋厚志・横川 凌（明大/MREL）・若林 整（東工大） (6) 15:50 - 16:30 ［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性 ○丸山実那（筑波大） −−− 休憩 （ 10分 ） −−− (7) 16:40 - 17:20 ［招待講演］WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ ○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林 整（東工大） (8) 17:20 - 17:40 SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御 ○木村圭佑・田岡紀之・西村駿介・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） (9) 17:40 - 18:00 Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御 ○酒井大希・松下圭吾・大田晃生・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大） 一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分 招待講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 依頼講演：発表 35 分 ＋ 質疑応答 5 分 ◆応用物理学会共催 ☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 8月8日(月)～10日(水) オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [6月15日(水)] テーマ：アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 【問合先】 SDM幹事：森 貴洋（産業技術総合研究所） 電話 029-849-1149   -    aist Last modified: 2022-05-09 12:05:56 |
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