6月19日(金) 午前
09:30 - 17:30 |
| (1) |
09:30-09:50 |
［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 |
○谷田部然治・橋詰 保（北大） |
| (2) |
09:50-10:10 |
［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 |
○徳田 豊（愛知工大） |
| (3) |
10:10-10:30 |
［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 |
○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） |
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10:30-10:50 |
休憩 （ 20分 ） |
| (4) |
10:50-11:10 |
［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 |
○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機） |
| (5) |
11:10-11:30 |
［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 |
○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） |
| (6) |
11:30-11:50 |
［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 |
○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） |
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11:50-12:40 |
休憩 （ 50分 ） |
| (7) |
12:40-13:00 |
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 |
○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
| (8) |
13:00-13:20 |
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 |
○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） |
| (9) |
13:20-13:40 |
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 |
○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） |
| (10) |
13:40-14:00 |
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 |
○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大） |
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14:00-14:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (11) |
14:15-14:35 |
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 |
○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） |
| (12) |
14:35-14:55 |
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 |
○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (13) |
14:55-15:15 |
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 |
○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） |
| (14) |
15:15-15:35 |
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 |
○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） |
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15:35-15:50 |
休憩 （ 15分 ） |
| (15) |
15:50-16:10 |
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process |
○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） |
| (16) |
16:10-16:30 |
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 |
吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） |
| (17) |
16:30-16:50 |
［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 |
○野内 亮（阪府大） |
| (18) |
16:50-17:10 |
［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ |
○中払 周（物質・材料研究機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎（産総研）・黎 松林・山本真人・林 彦甫（物質・材料研究機構）・上野啓司（埼玉大）・塚越一仁（物質・材料研究機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研） |
| (19) |
17:10-17:30 |
［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 |
○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤 淳（産総研） |
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