5月24日(木) 午後  レーザ・デバイス応用 座長: 永井正也 (阪大) 13:30 - 14:50
	13:30-13:35	開会挨拶　（ 5分 ）
(1)	13:35-14:00	コンパクトな高平均出力パルスレーザーの開発 LQE2018-10	○東口武史・山内　駿・篠崎夏美・小倉拓人・庄司美咲・川崎太夢（宇都宮大）・坂上和之（早大）・三浦泰祐（HiLASE Centre）
(2)	14:00-14:25	サブ回折限界集光を用いたホログラフィックフェムト秒レーザー加工 LQE2018-11	○長谷川智士・早崎芳夫（宇都宮大）
(3)	14:25-14:50	Optical Wireless Power Transmission to Moving Object by Computer Vision LQE2018-12	○Hendra Adinanta・Hirotaka Kato・Alexander William Setiawan Putra・Takeo Maruyama（Kanazawa Univ.）
	14:50-15:20	休憩　（ 30分 ）
	15:20-16:20	ポスターセッション　（ 60分 ）
5月25日(金) 午前  半導体光デバイス 座長: 望月 敬太 (三菱電機) 09:30 - 11:20
(4)	09:30-10:30	［特別招待講演］アクティブMMIレーザによるモード選択光源 ～ モード選択原理とTbpsを目指した高速直接変調動作 ～ LQE2018-13	○浜本貴一・姜　海松（九大）
(5)	10:30-10:55	GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子干渉現象の観測	○小島　磨（神戸大）
(6)	10:55-11:20	結晶方位を45度回転させたSOI基板上へのナノ共振器シリコンラマンレーザの作製 LQE2018-14	○山内悠起子（阪府大）・岡野　誠（産総研）・野田　進（京大）・高橋　和（阪府大）
	11:20-13:00	休憩　（ 100分 ）
5月25日(金) 午後  通信用デバイス 座長: 藤原 直樹 (NTT) 13:00 - 15:30
(7)	13:00-13:25	混合変調レーザにおける高速変調時のチャープ特性 LQE2018-15	○菅野光成・三枝　慈・横田信英（東北大）・石井啓之（NTT）・八坂　洋（東北大）
(8)	13:25-13:50	親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 LQE2018-16	○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓　旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦（上智大）
(9)	13:50-14:15	8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積 LQE2018-17	○西　英隆・藤井拓郎・ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン・武田浩司・菅野絵理奈・硴塚孝明・土澤　泰・福田　浩・松尾慎治（NTT）
(10)	14:15-14:40	4-chリニアドライバを用いた200-Gbit/s DML集積TOSA開発 LQE2018-18	○板橋直樹・杉本良之・藤村　康・田中啓二・荻田省一（住友電工）
(11)	14:40-15:05	SOAモノリシック集積位相変調器 LQE2018-19	○林　周作・西川智志・高林正和・阿部憲一・秋山浩一（三菱電機）
	15:05-15:30	閉会挨拶　（ 25分 ）

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	片桐 崇史（東北大学大学院） TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106 E-:giecei 八木 英樹（住友電気工業） TEL 045-853-7318 E-:gi-dei
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。
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Last modified: 2018-05-09 21:12:14