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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)
幹事補佐 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 野毛 悟 (沼津高専)
副委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
幹事 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)
幹事補佐 坂本 尊 (NTT), 中村 雄一 (豊橋技科大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 野田 進 (京大)
副委員長 山本 剛之 (富士通研)
幹事 藤原 直樹 (NTT), 片桐 崇史 (東北大)

日時 2016年12月12日(月) 13:00 - 17:25
2016年12月13日(火) 08:40 - 15:30
議題 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 
会場名 京都大学桂キャンパス 桂ホール 
交通案内 桂ホール: 桂キャンパス Bクラスター 事務棟 1F
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.html
会場世話人
連絡先
工学研究科 藤田静雄
075-383-3075
他の共催 ◆京都大学大学院工学研究科共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月12日(月) 午後  電子デバイス研究会(ED)
13:00 - 17:25
(1) 13:00-13:25 GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 小谷淳二山田敦史石黒哲郎中村哲一富士通研
(2) 13:25-13:50 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 塩島謙次村瀬真悟前田昌嵩福井大)・三島友義法政大
(3) 13:50-14:15 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 前田拓也京大)・岡田政也上野昌紀山本喜之住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大
(4) 14:15-14:40 Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Sub-strates ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 Kenji ShiojimaMoe NaganawaUniv. of Fukui)・Tomoyoshi MishimaHosei Univ.
(5) 14:40-15:05 ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 鐘ヶ江一孝金子光顕木本恒暢堀田昌宏須田 淳京大
  15:05-15:20 休憩 ( 15分 )
(6) 15:20-15:45 キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 大麻浩平吉岡 啓齊藤泰伸菊地拓雄大黒達也浜本毅司杉山 亨東芝
(7) 15:45-16:10 プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機
(8) 16:10-16:35 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 鈴木雄大山崎泰誠牧野伸哉ジョエル アスバル徳田博邦葛原正明福井大
(9) 16:35-17:00 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 鈴木敦也ジョエル アスバル徳田博邦葛原正明福井大
(10) 17:00-17:25 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 熊崎祐介植村圭佑佐藤威友北大
12月13日(火) 午前  レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
座長: 川口真生(パナソニック)
08:40 - 09:55
(11) 08:40-09:05 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上 ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83 松浦圭吾坂井繁太山口敦史金沢工大
(12) 09:05-09:30 MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 森 拓磨三好実人江川孝志名工大
(13) 09:30-09:55 m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性 ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85 大島一晟理研/埼玉大)・定 昌史前田哲利理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研
  09:55-10:05 休憩 ( 10分 )
12月13日(火) 午前  レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
座長: 藤原直樹(NTT)
10:05 - 11:45
(14) 10:05-10:30 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 松田祥伸船戸 充川上養一京大
(15) 10:30-10:55 クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長 ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87 岸元克浩呉 珮岑船戸 充川上養一京大
(16) 10:55-11:20 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発 ED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88 美濃卓哉パナソニック)・平山秀樹理研)・高野隆好後藤浩嗣植田充彦椿 健治パナソニック
(17) 11:20-11:45 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89 土山和晃宇都宮 脩中川翔太山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
12月13日(火) 午後  電子部品材料研究会(CPM)
13:00 - 15:30
(18) 13:00-13:25 コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 金子健太郎京大)・人羅俊実FLOSFIA)・藤田静雄京大
(19) 13:25-13:50 室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用 ED2016-75 CPM2016-108 LQE2016-91 菊地 航三浦正範鹿又健作有馬 ボシル アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大
(20) 13:50-14:15 ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究 ED2016-76 CPM2016-109 LQE2016-92 久保田 繁原田佳宜山形大)・須藤健成早大)・鹿又健作有馬ボシールアハンマド山形大)・水野 潤早大)・廣瀬文彦山形大
(21) 14:15-14:40 室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93 今井貴大三浦正範鹿又健作有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大
(22) 14:40-15:05 テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 藤井高志立命館大/PNP)・達 紘平荒木 努名西やすし立命館大)・岩本敏志佐藤幸徳PNP)・長島 健摂南大
(23) 15:05-15:30 sapphire基板上へのコランダム構造酸化ガリウムの成長と電気特性制御 ED2016-79 CPM2016-112 LQE2016-95 赤岩和明市野邦男鳥取大)・金子健太郎藤田静雄京大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E--mail: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E--mail : sijaist 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 藤原 直樹(日本電信電話株式会社)
TEL 046-240-3266, FAX 046-240-4345
E--mail: o

片桐 崇史(東北大学大学院)
TEL 022-795-7107, FAX 022-795-7106
E--mail:giecei 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2016-11-24 11:41:06


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