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★シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 安斎 久浩 (ソニー), 遠藤 哲郎 (東北大)
幹事補佐 大西 克典 (九工大)

★集積回路研究会(ICD)
専門委員長 内山 邦男 (日立)  副委員長 吉本 雅彦 (神戸大)
幹事 藤島 実 (東大), 広瀬 佳生 (富士通研)
幹事補佐 鈴木 弘明 (ルネサステクノロジ), 松岡 俊匡 (阪大), 岡田 健一 (東工大)

日時 2009年 7月16日(木) 09:55~16:15
   2009年 7月17日(金) 09:30~17:55

会場 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館(〒152-8552 目黒区大岡山2-12-1.東急大岡山駅前 [正門から会場まで徒歩10分].http://www.titech.ac.jp/about/campus/o_map.html)

議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

7月16日(木) 午前 (09:55~12:15)

(1) 09:55 - 10:00
オープニング

(2) 10:00 - 10:25
14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器
○藤島 実・夏苅洋平(東大)

(3) 10:25 - 10:50
A 100Mbps, 1.28mW Impulse Radio UWB Receiver with Charge-Domain Sampling Correlator in 0.18um CMOS
○Lechang Liu・Takayasu Sakurai・Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(4) 11:00 - 11:25
49mW 5Gbps CMOS 60GHz Pulse Receiver for Wireless Communication
○Ahmet Oncu・Minoru Fujishima(Univ. of Tokyo.)

(5) 11:25 - 11:50
レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術
○財津和也(阪市大)・岩本 久・黒田泰斗・矢野祐二(ルネサステクノロジ)・山本耕次(ルネサスデザイン)・井上一成(ルネサステクノロジ)・阿多信吾・岡 育夫(阪市大)

(6) 11:50 - 12:15
2.88Gbps UWBトランシーバの低消費電力化技術
○大島直樹・沼田圭市・児玉浩志・石川比呂夢・矢野仁之・田中昭生(NEC)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

7月16日(木) 午後 (13:15~16:15)

(7) 13:15 - 14:00
[招待講演]CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題
○藤田 忍(東芝)

(8) 14:00 - 14:25
0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路
○田中丸周平・竹内 健(東大)

(9) 14:25 - 14:50
データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ
○矢島亮児・畑中輝義(東大)・高橋光恵・酒井滋樹(産総研)・竹内 健(東大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(10) 15:00 - 15:25
(110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価
○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎(東大)

(11) 15:25 - 15:50
Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法
○福留秀暢(富士通マイクロエレクトロニクス)・堀 陽子(富士通クオリティ・ラボ)・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博(富士通マイクロエレクトロニクス)

(12) 15:50 - 16:15
微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明(東芝)

7月17日(金) 午前 (09:30~12:25)

(1) 09:30 - 09:55
積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討
○菅野孝一・渡辺重佳(湘南工科大)

(2) 09:55 - 10:20
ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討
○玉井翔人・渡辺重佳(湘南工科大)

(3) 10:20 - 11:05
[招待講演]ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術
○阪本利司・多田宗弘・辻 幸秀・伴野直樹・波田博光(NEC)・青野正和(物質・材料研究機構)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(4) 11:15 - 12:00
[招待講演]Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト
○遠藤哲郎・羽生貴弘(東北大)

(5) 12:00 - 12:25
低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功(日立)

−−− 昼食 ( 60分 ) −−−

7月17日(金) 午後 (13:25~17:55)

(6) 13:25 - 14:10
[招待講演]スピン機能MOSFETよる新しいエレクトロニクスの展開
○菅原 聡(東工大/JST)

(7) 14:10 - 14:35
垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和(NEC)・尾崎康亮(NECエレクトロニクス)・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦(NEC)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(8) 14:45 - 15:30
[招待講演]人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー
○田原修一(NEC)

(9) 15:30 - 16:15
[招待講演]グラフェンデバイスの開発と今後の展望
○尾辻泰一(東北大)

−−− 休憩 ( 10分 ) −−−

(10) 16:25 - 17:55
パネル討論 ”CMOSとBeyond CMOSの融合”
総合司会:平本俊郎 (東大)
パネラー:藤田忍(東芝)、菅原聡(東工大)、阪本利司(NEC)
田原修一(NEC)、遠藤哲郎(東北大)、尾辻泰一(東北大)

一般講演:発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演:発表 40 分 + 質疑応答 5 分

◎17日(金)研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください。 大学食堂2階 東京ケータリング
http://www.titech.ac.jp/about/campus/o_map.html
「大岡山東・西・南地区」の12番です。


☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

10月29日(木)~30日(金) 東北大学 [8月7日(金)] テーマ:プロセス科学と新プロセス技術

【問合先】
安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-mail: HiAniny

☆ICD研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日

7月23日(木) 東工大 大岡山キャンパス 東工大蔵前会館 [6月22日(月)] テーマ:シリコンアナログRF研究会
8月3日(月)~5日(水) 熱海ニューフジヤホテル [7月17日(金)] テーマ:ICDサマースクール2009
10月1日(木)~2日(金) キャンパス・イノベーションセンター東京(田町) [7月17日(金)] テーマ:アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路

【問合先】
藤島 実 (東京大学)
TEL 03-5841-7425,FAX 03-5841-8575
E-mail:eetu-


Last modified: 2009-09-07 13:31:45


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