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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2021年度)

「from:2021-11-25 to:2021-11-25」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
10:05
ONLINE オンライン開催 化学溶液析出法によるITO/ガラス基板上へのCu<sub>2</sub>O薄膜成長
神本泰州大本拓馬寺迫智昭愛媛大ED2021-15 CPM2021-49 LQE2021-27
 [more] ED2021-15 CPM2021-49 LQE2021-27
pp.1-6
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
10:30
ONLINE オンライン開催 ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>ナノ構造の気相‐液相‐固相成長と構造およびフォトルミネッセンス特性
寺迫智昭米田岳司愛媛大)・高橋尚大矢木正和香川高専ED2021-16 CPM2021-50 LQE2021-28
 [more] ED2021-16 CPM2021-50 LQE2021-28
pp.7-12
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
10:55
ONLINE オンライン開催 発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討
藤島 睦田中久仁彦渡辺海斗辻本直也長岡技科大ED2021-17 CPM2021-51 LQE2021-29
本研究ではp型半導体であるCuBr1-xIx(CuBrI)薄膜をスピンコート法によりガラス基板上に堆積させ,薄膜作製時に... [more] ED2021-17 CPM2021-51 LQE2021-29
pp.13-18
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
11:20
ONLINE オンライン開催 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性への熱処理の影響
小林航平寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大ED2021-18 CPM2021-52 LQE2021-30
 [more] ED2021-18 CPM2021-52 LQE2021-30
pp.19-24
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:05
ONLINE オンライン開催 [奨励講演]ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性
宮本義也曽根直樹奥田廉士Weifang Lu伊藤和真山村志織神野幸美中山奈々美勝呂紗衣上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、p-GaNおよびn-GaNの埋め込み成長を検討... [more] ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
pp.25-28
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:30
ONLINE オンライン開催 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスの理解には,内部量子効率(IQE)を正確に評価する必要がある.
本研究... [more]
ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
pp.29-32
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:55
ONLINE オンライン開催 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定
小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
InGaNはInNとGaNの混晶であり,In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
pp.33-36
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
14:35
ONLINE オンライン開催 ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価
今城大渡山肥田 涼金森弘尚渡邊龍一金沢工大)・木村健司今野泰一郎藤倉序章サイオクス)・山口敦史金沢工大ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34
GaNやその混晶の基礎材料物性は、完全には明らかにされていない。その要因として、完全な品質の結晶成長ができていないことが... [more] ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34
pp.37-40
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:00
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
袴田舜也藤田貴志渡邊龍一山口敦史金沢工大ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしま... [more] ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
pp.41-44
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:25
ONLINE オンライン開催 c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン嶋 紘平東北大)・山中瑞樹名工大)・小島一信東北大)・江川孝志名工大)・上殿明良筑波大)・石橋章司産総研)・竹内哲也名城大)・三好実人名工大)・秩父重英東北大ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
pp.45-50
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:05
ONLINE オンライン開催 r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性
渋谷康太上杉謙次郎肖 世玉正直花奈子窪谷茂幸秋山 亨三宅秀人三重大ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
 [more] ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
pp.51-54
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:30
ONLINE オンライン開催 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長
石原頌也窪谷茂幸正直花奈子上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
 [more] ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
pp.55-58
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:55
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林泰希山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
pp.59-62
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:00
ONLINE オンライン開催 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価
塩島謙次福井大)・田中 亮高島信也上野勝典江戸雅晴富士電機ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
pp.63-66
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:25
ONLINE オンライン開催 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価
川角優斗福井大)・堀切文正福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・四戸 孝FLOSFIA)・塩島謙次福井大ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,Ni/SiC,Ni/GaN,Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
pp.67-70
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 Interface charge engineering in normally-off AlTiO/AlGaN/GaN field-effect transistors
Duong Dai NguyenTakehiro IsodaYuchen DengToshi-kazu SuzukiJAISTED2021-30 CPM2021-64 LQE2021-42
 [more] ED2021-30 CPM2021-64 LQE2021-42
pp.71-74
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:30
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎久保俊晴江川孝志名工大ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43
 [more] ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43
pp.75-78
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:55
ONLINE オンライン開催 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
pp.79-82
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:00
ONLINE オンライン開催 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製
渡久地政周三輪和希北大)・堀切文正福原 昇成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
pp.87-90
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