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集積回路研究会（ICD）

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専門委員長		池田誠 (東大)
副委員長		若林準人 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
幹事		吉原義昭 (キオクシア)，塩見準 (阪大)
幹事補佐		白井僚 (京大)，高野恭弥 (東京理科大)，久保木猛 (熊本大)

日時	2025年 4月10日(木)　09:30 - 16:30 2025年 4月11日(金)　09:30 - 16:20
議題	メモリ技術と集積回路技術一般
会場名	川崎市産業振興会館 9階第2研修室
住所	212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66番地20
他の共催	◆IEEE SSCS Japan Chapter；IEEE SSCS Kansai Chapter共催
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（ICD研究会）についてはこちらをご覧ください．
	聴講申込は，事前にURLにてお手続きください．当日の現金の取り扱いはございません．オンライン接続URLは開催前日までに研究会幹事からご案内します．
オンライン開催聴講申込	こちらのフォームからお申し込みください．

4月10日(木) 午前 09:30 - 16:30
(1)	09:30-10:20	［招待講演］MRAM技術の発展及び人工知能処理への展開における事例～ SOT-MRAM高信頼化とSOT及びVCMAを活用した3値勾配バイナリニューラルネットワーク～	○河原尊之（東京理科大）
(2)	10:20-10:45	［依頼講演］パルス制御放電読出し技術を用いたクロスポイント1Selector-1MTJセル搭載大容量64GビットDDR4 STT-MRAM	○古川裕香・初田幸輔・穂谷克彦・滝澤亮介・松岡史宜・安田隆哉・片山　明・宮川　正・千住和代・大河一貴・嶋田　遊・小竹克弥・廣川清華（キオクシア）・Min Chul Shin・Dong Keun Kim・Tae Ho Kim・Kyunghoon Kim（SKハイニックス）・相川尚徳（キオクシア韓国）・Jeonghwan Song（SKハイニックス）・永瀬俊彦（キオクシア韓国）・Soo Man Seo・Soo Gil Kim・Jaeyun Yi・Seon Yong Cha（SKハイニックス）
(3)	10:45-11:10	低温動作に適したGain Cell DRAMの設計と評価	○岩瀬朝生・山本　茂・小林和淑（京都工繊大）
	11:10-12:40	休憩　（ 90分）
(4)	12:40-13:05	［依頼講演］A 28-nm 0.8M-weights/mm2 9.1-TOPS/mm2 SRAM-Based All-Analog Compute-In-Memory Using Fine-Grained Structured Pruning with Adaptive-Ranging ADC	○Kota Shiba（TSMC）・Zhijie Zhan（UTokyo）・Koji Nii・Yih Wang・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC）・Atsutake Kosuge・Mototsugu Hamada・Tadahiro Kuroda（UTokyo）
(5)	13:05-13:55	［招待講演］ニアメモリAIコンピューティングに向けた電荷ベースアナ・デジ混載積和演算器	○松澤　昭・マルチネスアブデル・宮原正也（テックイデア）
	13:55-14:10	休憩　（ 15分）
(6)	14:10-15:00	［招待講演］宇宙線起因のSRAMソフトエラーの特性評価と解析	○橋本昌宜（京大）
(7)	15:00-15:25	［依頼講演］省面積なスタティックノイズマージンモニタを用いてプロセスや温度に応じて最適なアシスト制御を行う高密度SRAMの設計技術	○長田俊哉・北形大樹・佐藤康治・中村大輔・田中浩司・田中美紀・奥田治之・瀧口憲一郎（ルネサスエレクトロニクス）
	15:25-15:40	休憩　（ 15分）
(8)	15:40-16:05	［依頼講演］SRAM and Compute-In-Memory with Advanced Technology Nodes	○Hidehiro Fujiwara（TSMC）
(9)	16:05-16:30	［依頼講演］超低IRドロップデータリセット機能を搭載したIoT向けバックアップSRAMの開発	○瀧口憲一郎・北形大樹・長田俊哉・佐藤康治・中村大輔・田中浩司・田中美紀（ルネサスエレクトロニクス）
4月11日(金) 午前 09:30 - 16:20
(10)	09:30-10:20	［招待講演］バタフライ曲線から考えるSRAMラッチ回路の応用展開	○篠原尋史・劉　昆洋・張　瑞琳・徐　舒帆・新津葵一（京大）
(11)	10:20-10:45	［依頼講演］A 3nm Fin-FET 19.87-Mbit/mm2 2RW Pseudo Dual-port 6T SRAM with High-R Wire Tracking and Sequential Access Aware Dynamic Power Reduction	○Tomotaka Tanaka・Yuichiro Ishii・Makoto Yabuuchi・Yumito Aoyagi・Masaya Hamada・Kazuto Mizutani・Koji Nii・Hidehiro Fujiwara・Isabel Wang・Hong-Chen Cheng・Hung-Jen Liao・Tsung-Yung Jonathan Chang（TSMC）
(12)	10:45-11:35	招待講演調整中
	11:35-12:40	休憩　（ 65分）
(13)	12:40-13:30	［招待講演］AI応用に向けたメモリを中心とするコンピューティング	○竹内　健（東大）
(14)	13:30-14:20	［招待講演］Semiconductor Storage for Further Evolution of Generative AI	○出口　淳（キオクシア）
	14:20-14:40	休憩　（ 20分）
(15)	14:40-15:05	［依頼講演］コストスケーラビリティに優れる新規3次元フラッシュメモリHorizontal channel flash	○小田　穣（キオクシア）
(16)	15:05-15:30	［依頼講演］リカバリー・アニールで3Dフラッシュメモリの寿命を克服、半導体製造におけるカーボンニュートラルを目指す	○佐野　創・田中　瞳・佐貫朋也（キオクシア）
(17)	15:30-16:20	［招待講演］A 1Tb 3b/cell 3D Flash Memory Featuring a Read Operation with 29% Improved Energy Efficiency and a 4.8Gbps I/O Interface with Power Isolated Low-Tapped Termination	○Yusuke Ochi・Kosuke Yanagidaira・Mario Sako・Yasuhiro Hirashima・Junya Matsuno・Yumi Higashi・Yutaka Shimizu・Akihiro Imamoto・Kazuaki Kawaguchi・Koji Tabata・Takeshi Nakano・Hiroaki Hoshino・Takeshi Hioka・Shigehito Saigusa・Hiroki Date・Masaki Unno・Takeshi Yuhara・Jumpei Sato・You Kamata（KIOXIA）・Hardwell Chibvongodze・Naoki Ojima・Hiroshi Sugawara・Masahiro Kano・Jang-woo Lee・Hiroyuki Mizukoshi・Ryuji Yamashita・Kensaku Abe・Naohito Morozumi・In-Soo Yoon・Takuya Ariki・Jong Hak Yuh・Khin Htoo・Yosuke Kato（Sandisk）・Yoshihisa Watanabe・Toshiyuki Kouchi（KIOXIA）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
依頼講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 45 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ICD	集積回路研究会（ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	久保木猛（熊本大学） E-: boieee