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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2012年度)

「from:2012-04-23 to:2012-04-23」による検索結果

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講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2012-04-23
12:30
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発
柴田 昇神田和重久田俊記磯部克明佐藤 学清水有威清水孝洋杉本貴宏小林智浩犬塚和子金川直晃梶谷泰之小川武志中井 潤東芝)・亀井輝彦サンディスクICD2012-1
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ... [more] ICD2012-1
pp.1-5
ICD 2012-04-23
13:20
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発
亀井輝彦Yan LiSeungpil Lee大和田 健Hao NguyenQui NguyenNima MokhlesiCynthia HsuJason LiVenky Ramachandra東谷政昭Tuan Pham渡邉光恭サンディスク)・本間充祥渡辺慶久東芝ICD2012-2
19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメ... [more] ICD2012-2
pp.7-12
ICD 2012-04-23
14:20
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ
川原昭文東 亮太郎池田雄一郎河合 賢加藤佳一早川幸夫辻 清孝米田慎一姫野敦史島川一彦高木 剛三河 巧青野邦年パナソニックICD2012-3
TaOxを用いたReRAMの高速な書換え性能とクロスポイントメモリセルアレイ構成におけるスニーク電流を低減する書込みアー... [more] ICD2012-3
pp.13-18
ICD 2012-04-23
15:10
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]SSDシステム信頼性 ~ 大容量記憶装置を半導体で実現する課題 ~
助川 博東芝ICD2012-4
SSDの記憶容量が増えていくと言うことはSSD装置の内部に搭載されるメモリチップ内の総回路数が巨大化することであり、故障... [more] ICD2012-4
pp.19-21
ICD 2012-04-23
16:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD
田中丸周平柳原裕貴竹内 健東大ICD2012-5
 [more] ICD2012-5
pp.23-28
ICD 2012-04-23
17:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [パネル討論]”復興”メモリと日本の明日に向かって
宮野信治半導体理工学研究センター)・佐々木 淳岩手県庁)・大石基之日経BP)・松永翔雲東北大)・竹内 健中大)・助川 博東芝ICD2012-6
 [more] ICD2012-6
p.29
ICD 2012-04-24
09:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]メモリインターフェース用非接触高速データ伝送技術
石黒仁揮尹 元柱中野慎也水原 渉小菅敦丈三浦典之黒田忠広慶大ICD2012-7
大容量メモリシステムを実現するための高速マルチドロップバスを開発した。伝送線路間の近接電磁界結合を原理とする非接触方向性... [more] ICD2012-7
pp.31-36
ICD 2012-04-24
09:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム
畑中輝義竹内 健東大ICD2012-8
 [more] ICD2012-8
pp.37-42
ICD 2012-04-24
10:25
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計
松永翔雲羽生貴弘東北大ICD2012-9
高速な並列パターンマッチング処理を実現する専用ハードウェアであるTernary Content-Addressable ... [more] ICD2012-9
pp.43-48
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2012-10
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクスICD2012-11
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
ICD 2012-04-24
13:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
宮地幸祐東大)・鈴木利一パナソニック)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大ICD2012-12
 [more] ICD2012-12
pp.61-66
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大ICD2012-13
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
ICD 2012-04-24
14:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM
吉本秀輔寺田正治奥村俊介神戸大)・鈴木利一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大ICD2012-14
本論文では,低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する.提案技術は,プリチャージレスイコ... [more] ICD2012-14
pp.73-78
ICD 2012-04-24
14:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計
小田部 晃伊藤清男竹村理一郎土屋龍太日立)・堀口真志ルネサス エレクトロニクスICD2012-15
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに,しきい値ばらつきを低減する技術として,完全... [more] ICD2012-15
pp.79-84
ICD 2012-04-24
15:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]低エネルギ比較機能を有するDMR応用7T SRAM
梅木洋平奥村俊介中田洋平柳田晃司鍵山祐輝吉本秀介川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JSTICD2012-16
本稿ではブロック一括比較機能を有する7T SRAMを提案する.提案SRAMはDMR
(Dual modular red... [more]
ICD2012-16
pp.85-90
ICD 2012-04-24
15:40
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] SRAMとオンチップメモリビストを用いたチップID生成回路
藤原英弘藪内 誠中野裕文河合浩行新居浩二有本和民ルネサス エレクトロニクスICD2012-17
 [more] ICD2012-17
pp.91-95
ICD 2012-04-24
16:05
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) SRAMセルを用いたLow書込みによるチップID生成手法
奥村俊介吉本秀輔川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JSTICD2012-18
本稿ではSRAMセル内におけるしきい値電圧のばらつきを利用したチップID生成手法を提案する.提案手法は両ビット線をLow... [more] ICD2012-18
pp.97-102
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