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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2014年度)

「from:2014-08-04 to:2014-08-04」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]ワイヤレスセンサネットワーク向け超低消費電力2ステップウェイクアップ受信機
阿部敬之佐藤多俊中村重紀堀内陽一郎今村幸司パナソニックSDM2014-63 ICD2014-32
センサーネットワークにおいて,無線回路の受信待受け消費電力の削減が課題であり,その解決策としてウェイクアップ無線受信機が... [more] SDM2014-63 ICD2014-32
pp.5-9
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ
五十嵐満彦植村俊文森 涼岸部浩司谷口正明若原康平齋藤俊治藤ヶ谷誠希福岡一樹新居浩二片岡 健服部俊洋ルネサス エレクトロニクスSDM2014-64 ICD2014-33
本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクタ-コア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネー... [more] SDM2014-64 ICD2014-33
pp.11-16
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
11:15
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化
野村隆夫森 涼高柳浩二落合俊彦福岡一樹木田 剛新居浩二森田貞行ルネサス エレクトロニクスSDM2014-65 ICD2014-34
我々は、シリコン貫通ビア(TSV)技術を用いたWide IO DRAMコントローラチップを開発した。ファインピッチに配列... [more] SDM2014-65 ICD2014-34
pp.17-21
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
11:40
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 車載LAN向け非接触コネクタ及び高ノイズ耐性送受信回路
岡田 晃小菅敦丈石塚 秀慶大)・劉 楽昌九大)・田口眞男石黒仁揮黒田忠広慶大SDM2014-66 ICD2014-35
電磁界結合を利用して被膜の上から信号を分岐できる車載LAN向け非接触コネクタを開発した.振動による瞬断が起こらないため,... [more] SDM2014-66 ICD2014-35
pp.23-27
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研SDM2014-67 ICD2014-36
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NECSDM2014-69 ICD2014-38
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
15:45
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]180nm結晶性酸化物半導体トランジスタを用いた1.5-clock backup/2.5-clock restoreとゼロ・スタンバイ・パワーを実現する32bit CPU
小山 潤磯部敦生田村 輝加藤 清王丸拓郎上杉 航石津貴彦大嶋和晃鈴木康太筒井直昭熱海知昭塩野入 豊前橋幸男半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研SDM2014-70 ICD2014-39
極低オフ電流である結晶性酸化物半導体、特にC軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたト... [more] SDM2014-70 ICD2014-39
pp.45-50
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
平本俊郎上田晃頌鄭 承旻水谷朋子更屋拓哉東大SDM2014-71 ICD2014-40
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時に... [more] SDM2014-71 ICD2014-40
pp.51-54
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2014-72 ICD2014-41
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] SDM2014-72 ICD2014-41
pp.55-58
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
10:25
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
伊藤隆祐中大)・小林伸彰長岡技科大)・榎本忠儀中大SDM2014-73 ICD2014-42
低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SR... [more] SDM2014-73 ICD2014-42
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM
横山佳巧石井雄一郎小嶋英充宮西篤史辻橋良樹朝山 忍柴 和利田中浩二福田達哉新居浩二柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2014-74 ICD2014-43
車載マイコン向けの40nmフラッシュ混載プロセスを用いて-40~170℃という広い温度範囲で安定動作可能なSRAMマクロ... [more] SDM2014-74 ICD2014-43
pp.65-70
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
11:15
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA
財津光一郎辰村光介松本麻里小田聖翔藤田 忍安田心一東芝SDM2014-75 ICD2014-44
フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する.1つはMONOS型フラッシュ... [more] SDM2014-75 ICD2014-44
pp.71-76
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法
岡垣 健長谷川拓実高篠裕行藤井理子津田敦志渋谷宏治出口善宣横田美穂小野沢和徳ルネサス エレクトロニクスSDM2014-77 ICD2014-46
 [more] SDM2014-77 ICD2014-46
pp.83-86
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
14:20
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) ダブルゲートMOS型トランジスタを用いた論理回路の検討
嘉藤淳紀渡辺重佳二宮 洋小林 学三浦康之湘南工科大SDM2014-78 ICD2014-47
 [more] SDM2014-78 ICD2014-47
pp.87-92
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
大島 梓岸田 亮籔内美智太郎小林和淑京都工繊大SDM2014-79 ICD2014-48
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい
る。本研究では, 65nm バルク・S... [more]
SDM2014-79 ICD2014-48
pp.93-98
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
15:20
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 時間計測アプリケーションに向けた超低電力弛張発振回路
椿 啓志廣瀬哲也尾崎年洋黒木修隆沼 昌宏神戸大SDM2014-80 ICD2014-49
本稿では,時間計測アプリケーションに向けた超低電力弛張発振回路を提案する.一般に,弛張発振回路はコンパレータのオフセット... [more] SDM2014-80 ICD2014-49
pp.99-104
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
15:45
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) アレイ発振器の共有による低電力、小面積磁界通信用周波数キャリブレーション技術
北沢直紀徐 照男石黒仁揮慶大SDM2014-81 ICD2014-50
本論文ではインパルス磁界結合送受信機用の低消費電力、小面積の周波数キャリブレーション回路について述べる.パルス幅を制御す... [more] SDM2014-81 ICD2014-50
pp.105-108
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