研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 09:15 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]イメージング技術の進化とセンシング応用への展望 ○大池祐輔・若林準人・野本哲夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) SDM2016-48 ICD2016-16 |
本発表はイメージセンサ技術の進化と今後のセンシング応用への展望について,Symposium on VLSI Circui... [more] |
SDM2016-48 ICD2016-16 p.1 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 10:00 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路 ○浅野大樹・廣瀬哲也・三好太朗・椿 啓志・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏(神戸大) SDM2016-49 ICD2016-17 |
本稿では,高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路を提案する.提案回路は,従... [more] |
SDM2016-49 ICD2016-17 pp.3-8 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 10:25 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
A Low-Power Mixed-Domain Delta-Sigma Time-to-Digital Converter Using Charge-Pump and SAR ADC ○Anugerah Firdauzi・Zule Xu・Masaya Miyahara・Akira Matsuzawa(Tokyo Tech.) SDM2016-50 ICD2016-18 |
This paper presents a time-to-digital converter (TDC) using ... [more] |
SDM2016-50 ICD2016-18 pp.9-14 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 14:30 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発 ○高橋広樹・田中浩司・小田真弘・安藤三善・新添真人(パナソニック・タワージャズセミコンダクター)・河合真一・浅野拓也・吉田 貢・山田 徹(PSCS) SDM2016-51 ICD2016-19 |
高い近赤外(NIR)感度と高い変調伝達関数(MTF)を同時に実現する為、2つのフォトダイオードを積層した新たな画素構造(... [more] |
SDM2016-51 ICD2016-19 pp.41-44 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 15:25 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[依頼講演]A 0.7V 1.5-to-2.3mW GNSS Receiver with 2.5-to-3.8dB NF in 28nm FD-SOI ○Ken Yamamoto・Kenichi Nakano・Gaku Hidai・Yuya Kondo・Hitoshi Tomiyama・Hideyuki Takano・Fumitaka Kondo・Yusuke Shinohe・Hidenori Takeuchi・Nobuhisa Ozawa(SSS)・Shingo Harada・Shinichiro Eto・Mari Kishikawa・Daisuke Ide・Hiroyasu Tagami(Sony LSI Design) SDM2016-52 ICD2016-20 |
[more] |
SDM2016-52 ICD2016-20 pp.45-48 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 15:50 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]高速追従一定アイドル時間制御の集積によるインプラント向けワイヤレス給電システムの効率・負荷応答改善 川尻 徹(慶大)・○Huang Cheng(Broadcom)・石黒仁揮(慶大) SDM2016-53 ICD2016-21 |
本研究報告では一定アイドル時間制御を用いた完全集積化された無線給電システムを報告する。このシステムでは従来研究に用いられ... [more] |
SDM2016-53 ICD2016-21 pp.49-52 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 09:00 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 ○橋本昌宜(阪大) SDM2016-54 ICD2016-22 |
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] |
SDM2016-54 ICD2016-22 pp.53-58 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 09:45 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]AI時代に向けたCMOSアナログ集積回路技術 ○松岡俊匡(阪大) SDM2016-55 ICD2016-23 |
本発表では,デジタル支援アナログ回路技術を基盤として,
AI時代に向けて,遺伝的アルゴリズムによる無線送信ICの特性向... [more] |
SDM2016-55 ICD2016-23 pp.59-61 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 10:40 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]生体適合性柔軟伸縮電極ゲルシートを有するパッチ式脳波センサ技術とその応用 ○吉本秀輔・荒木徹平・植村隆文・根津俊一・近藤雅哉(阪大)・笹井謙一(パナソニック)・岩瀬雅之・佐竹秀樹・吉田暁生(日本メクトロン)・菊知 充(金沢大)・関谷 毅(阪大) SDM2016-56 ICD2016-24 |
[more] |
SDM2016-56 ICD2016-24 p.63 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 11:25 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]ドライ電極を用いた脳波取得が可能な低電力生体電位センサASICチップセット ○松本秋憲・森川幸治(パナソニック) SDM2016-57 ICD2016-25 |
ドライ電極を用いた脳波モニタリングを実現する低消費電力のASICチップセットを開発した.本チップセットはアクティブ電極(... [more] |
SDM2016-57 ICD2016-25 pp.65-70 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 13:20 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]臨床応用に向けた皮質脳波ワイヤレスBMIシステムの開発 ○安藤博士・滝沢賢一(NICT)・吉田 毅(広島大)・松下光次郎(岐阜大)・亀田成司・平田雅之・吉峰俊樹(阪大)・鈴木隆文(NICT) SDM2016-58 ICD2016-26 |
[more] |
SDM2016-58 ICD2016-26 pp.71-76 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-02 14:05 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]脈絡膜上経網膜刺激式人工網膜システムの特徴 ~ 電気回路の視点から ~ ○寺澤靖雄・鐘堂健三・大澤孝治(ニデック)・太田 淳(奈良先端大) SDM2016-59 ICD2016-27 |
人工網膜の研究が1990年代より内外で行われている。我々は脈絡膜上経網膜刺激式(STS)人工網膜システムの開発を行ってい... [more] |
SDM2016-59 ICD2016-27 pp.77-79 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 09:00 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 ○大内真一・柳 永勛・堀 洋平・入沢寿史・更田裕司・森田行則・右田真司・森 貴洋・中川 格・塚田順一・小池汎平・昌原明植・松川 貴(産総研) SDM2016-60 ICD2016-28 |
[more] |
SDM2016-60 ICD2016-28 pp.83-87 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 09:45 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]ReRAM固有の抵抗ばらつきを利用した40nm混載メモリ向け高信頼性PUF開発 ○吉本裕平・加藤佳一・小笠原 悟・魏 志強・河野和幸(PSCS) SDM2016-61 ICD2016-29 |
Physically Unclonable Function(PUF)は,製造ばらつきをチップ固有のIDとして利用し,複... [more] |
SDM2016-61 ICD2016-29 pp.89-94 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 10:40 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 ○上牟田雄一・藤井章輔・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄(東芝) SDM2016-62 ICD2016-30 |
[more] |
SDM2016-62 ICD2016-30 pp.95-98 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 11:25 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~ ○深見俊輔・姉川哲朗・大河原綾人・張 超亮・大野英男(東北大) SDM2016-63 ICD2016-31 |
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more] |
SDM2016-63 ICD2016-31 pp.99-103 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 13:20 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
[招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC ○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋 潤・北地祐子(ルネサス システムデザイン)・島崎靖久・原 博隆・入田隆宏(ルネサス エレクトロニクス) SDM2016-64 ICD2016-32 |
本稿では,機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて... [more] |
SDM2016-64 ICD2016-32 pp.105-110 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:15 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 ○小笠原泰弘(産総研) SDM2016-65 ICD2016-33 |
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] |
SDM2016-65 ICD2016-33 pp.111-116 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:40 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET ○吉田貴大・井田次郎・堀井隆史(金沢工大)・沖原将生(ラピス)・新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2016-66 ICD2016-34 |
PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more] |
SDM2016-66 ICD2016-34 pp.117-121 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:05 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2016-67 ICD2016-35 |
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more] |
SDM2016-67 ICD2016-35 pp.123-126 |