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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2016年度)

「from:2016-08-01 to:2016-08-01」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
09:15
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]イメージング技術の進化とセンシング応用への展望
大池祐輔若林準人野本哲夫ソニーセミコンダクタソリューションズSDM2016-48 ICD2016-16
本発表はイメージセンサ技術の進化と今後のセンシング応用への展望について,Symposium on VLSI Circui... [more] SDM2016-48 ICD2016-16
p.1
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
10:00
大阪 中央電気倶楽部 高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路
浅野大樹廣瀬哲也三好太朗椿 啓志尾崎年洋黒木修隆沼 昌宏神戸大SDM2016-49 ICD2016-17
本稿では,高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路を提案する.提案回路は,従... [more] SDM2016-49 ICD2016-17
pp.3-8
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
10:25
大阪 中央電気倶楽部 A Low-Power Mixed-Domain Delta-Sigma Time-to-Digital Converter Using Charge-Pump and SAR ADC
Anugerah FirdauziZule XuMasaya MiyaharaAkira MatsuzawaTokyo Tech.SDM2016-50 ICD2016-18
This paper presents a time-to-digital converter (TDC) using ... [more] SDM2016-50 ICD2016-18
pp.9-14
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
14:30
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発
高橋広樹田中浩司小田真弘安藤三善新添真人パナソニック・タワージャズセミコンダクター)・河合真一浅野拓也吉田 貢山田 徹PSCSSDM2016-51 ICD2016-19
高い近赤外(NIR)感度と高い変調伝達関数(MTF)を同時に実現する為、2つのフォトダイオードを積層した新たな画素構造(... [more] SDM2016-51 ICD2016-19
pp.41-44
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
15:25
大阪 中央電気倶楽部 [依頼講演]A 0.7V 1.5-to-2.3mW GNSS Receiver with 2.5-to-3.8dB NF in 28nm FD-SOI
Ken YamamotoKenichi NakanoGaku HidaiYuya KondoHitoshi TomiyamaHideyuki TakanoFumitaka KondoYusuke ShinoheHidenori TakeuchiNobuhisa OzawaSSS)・Shingo HaradaShinichiro EtoMari KishikawaDaisuke IdeHiroyasu TagamiSony LSI DesignSDM2016-52 ICD2016-20
 [more] SDM2016-52 ICD2016-20
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-01
15:50
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]高速追従一定アイドル時間制御の集積によるインプラント向けワイヤレス給電システムの効率・負荷応答改善
川尻 徹慶大)・○Huang ChengBroadcom)・石黒仁揮慶大SDM2016-53 ICD2016-21
本研究報告では一定アイドル時間制御を用いた完全集積化された無線給電システムを報告する。このシステムでは従来研究に用いられ... [more] SDM2016-53 ICD2016-21
pp.49-52
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性
橋本昌宜阪大SDM2016-54 ICD2016-22
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] SDM2016-54 ICD2016-22
pp.53-58
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
09:45
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]AI時代に向けたCMOSアナログ集積回路技術
松岡俊匡阪大SDM2016-55 ICD2016-23
本発表では,デジタル支援アナログ回路技術を基盤として,
AI時代に向けて,遺伝的アルゴリズムによる無線送信ICの特性向... [more]
SDM2016-55 ICD2016-23
pp.59-61
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
10:40
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]生体適合性柔軟伸縮電極ゲルシートを有するパッチ式脳波センサ技術とその応用
吉本秀輔荒木徹平植村隆文根津俊一近藤雅哉阪大)・笹井謙一パナソニック)・岩瀬雅之佐竹秀樹吉田暁生日本メクトロン)・菊知 充金沢大)・関谷 毅阪大SDM2016-56 ICD2016-24
 [more] SDM2016-56 ICD2016-24
p.63
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
11:25
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]ドライ電極を用いた脳波取得が可能な低電力生体電位センサASICチップセット
松本秋憲森川幸治パナソニックSDM2016-57 ICD2016-25
ドライ電極を用いた脳波モニタリングを実現する低消費電力のASICチップセットを開発した.本チップセットはアクティブ電極(... [more] SDM2016-57 ICD2016-25
pp.65-70
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
13:20
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]臨床応用に向けた皮質脳波ワイヤレスBMIシステムの開発
安藤博士滝沢賢一NICT)・吉田 毅広島大)・松下光次郎岐阜大)・亀田成司平田雅之吉峰俊樹阪大)・鈴木隆文NICTSDM2016-58 ICD2016-26
 [more] SDM2016-58 ICD2016-26
pp.71-76
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
14:05
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]脈絡膜上経網膜刺激式人工網膜システムの特徴 ~ 電気回路の視点から ~
寺澤靖雄鐘堂健三大澤孝治ニデック)・太田 淳奈良先端大SDM2016-59 ICD2016-27
人工網膜の研究が1990年代より内外で行われている。我々は脈絡膜上経網膜刺激式(STS)人工網膜システムの開発を行ってい... [more] SDM2016-59 ICD2016-27
pp.77-79
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研SDM2016-60 ICD2016-28
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:45
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]ReRAM固有の抵抗ばらつきを利用した40nm混載メモリ向け高信頼性PUF開発
吉本裕平加藤佳一小笠原 悟魏 志強河野和幸PSCSSDM2016-61 ICD2016-29
Physically Unclonable Function(PUF)は,製造ばらつきをチップ固有のIDとして利用し,複... [more] SDM2016-61 ICD2016-29
pp.89-94
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
10:40
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝SDM2016-62 ICD2016-30
 [more] SDM2016-62 ICD2016-30
pp.95-98
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
11:25
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~
深見俊輔姉川哲朗大河原綾人張 超亮大野英男東北大SDM2016-63 ICD2016-31
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more] SDM2016-63 ICD2016-31
pp.99-103
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
13:20
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC
高橋睦史芝原真一福岡一樹松嶋 潤北地祐子ルネサス システムデザイン)・島崎靖久原 博隆入田隆宏ルネサス エレクトロニクスSDM2016-64 ICD2016-32
本稿では,機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて... [more] SDM2016-64 ICD2016-32
pp.105-110
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:15
大阪 中央電気倶楽部 SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証
小笠原泰弘産総研SDM2016-65 ICD2016-33
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] SDM2016-65 ICD2016-33
pp.111-116
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:40
大阪 中央電気倶楽部 ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET
吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2016-66 ICD2016-34
PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more] SDM2016-66 ICD2016-34
pp.117-121
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:05
大阪 中央電気倶楽部 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
水谷朋子竹内 潔鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2016-67 ICD2016-35
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more] SDM2016-67 ICD2016-35
pp.123-126
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