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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2006年度)

「from:2006-04-13 to:2006-04-13」による検索結果

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講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 22件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2006-04-13
09:20
大分 大分大学 DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~
毛利友紀日立)・大湯靜憲小此木堅祐エルピーダメモリ)・○山田廉一日立
 [more] ICD2006-1
pp.1-6
ICD 2006-04-13
09:45
大分 大分大学 リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
高井智久永井 健和田政春岩井 斎加来真理子鈴木 淳糸賀尚子宮崎隆行東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治東芝
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ... [more] ICD2006-2
pp.7-12
ICD 2006-04-13
10:10
大分 大分大学 カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発
久保内修一日立超LSIシステムズ)・藤澤宏樹黒木浩二西岡直久利穂吉郎野田浩正エルピーダメモリ)・藤井 勇余公秀之瀧下隆治伊藤孝洋田中 均日立超LSIシステムズ)・中村正行エルピーダメモリ
DDR3 SDRAMにおいて1.6Gbpsデータ転送を実現するため,2つの回路技術を開発した.(1)メモリアレイから同時... [more] ICD2006-3
pp.13-18
ICD 2006-04-13
10:45
大分 大分大学 [特別招待講演]サブ1V DRAM設計技術
河原尊之日立
DRAMのサブ1V動作を実現するための課題といくつかの解決案について述べる。DRAMの低電圧化は困難であり、消費電力、信... [more] ICD2006-4
pp.19-24
ICD 2006-04-13
11:35
大分 大分大学 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] ICD2006-5
pp.25-30
ICD 2006-04-13
13:00
大分 大分大学 [特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望
高島大三郎東芝
連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM®)は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である... [more] ICD2006-6
pp.31-36
ICD 2006-04-13
13:50
大分 大分大学 [特別招待講演]金属酸化物抵抗変調型NVM技術
田口眞男スパンシオン
あらまし 物質の抵抗変化現象を用いた不揮発性メモリ技術、特にReRAMと総称される絶縁薄膜の抵抗スイッチ現象を用いた技... [more]
ICD 2006-04-13
14:50
大分 大分大学 [特別招待講演]新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム
有本和民ルネサステクノロジ
本稿はSoCプラットフォームのオープンアーキテクチャをベースにしたアプリケーション統合化の流れの中で、ハードウエア・ソフ... [more] ICD2006-7
pp.37-42
ICD 2006-04-13
15:40
大分 大分大学 [特別招待講演]SoC設計からみたメモリへの要求
高橋真史東芝
 [more] ICD2006-8
pp.43-48
ICD 2006-04-13
16:40
大分 大分大学 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more] ICD2006-9
p.49
ICD 2006-04-14
08:40
大分 大分大学 相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究
高田雅史中山和也泉 貴富新村 達秋田純一北川章夫金沢大
 [more] ICD2006-10
pp.51-56
ICD 2006-04-14
09:05
大分 大分大学 MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討
岡村怜王奈早大)・木原雄治ルネサステクノロジ)・金 泰潤木村史法松井悠亮早大)・大石 司ルネサステクノロジ)・吉原 務早大
 [more] ICD2006-11
pp.57-62
ICD 2006-04-14
09:30
大分 大分大学 4MbMRAMとその応用
杉林直彦本田雄士崎村 昇永原聖万三浦貞彦志村健一辻 清孝福本能之本庄弘明鈴木哲広加藤有光齋藤信作笠井直記沼田秀昭大嶋則和NEC
開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24... [more] ICD2006-12
pp.63-67
ICD 2006-04-14
09:55
大分 大分大学 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM
清水有威岩田佳久土田賢二稲場恒夫滝沢亮介上田善寛板垣清太郎浅尾吉昭梶山 健細谷啓司池川純夫甲斐 正中山昌彦與田博明東芝
 [more] ICD2006-13
pp.69-73
ICD 2006-04-14
10:25
大分 大分大学 [特別招待講演]Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM
Hide NagaiYiming HuaiGrandis)・Shuichi UenoTsuyoshi KogaRenesas Technology
 [more] ICD2006-14
pp.75-80
ICD 2006-04-14
11:15
大分 大分大学 DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
木原雄治中嶋 泰井筒 隆中本正幸ルネサステクノロジ)・吉原 務早大
0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。... [more] ICD2006-15
pp.81-84
ICD 2006-04-14
11:40
大分 大分大学 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン
武田晃一池田秀寿萩原靖彦野村昌弘NEC)・小畑弘之NECエレクトロニクス
 [more] ICD2006-16
pp.85-90
ICD 2006-04-14
13:00
大分 大分大学 [特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
山岡雅直日立
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が... [more] ICD2006-17
pp.91-96
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
ICD 2006-04-14
14:20
大分 大分大学 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
 [more] ICD2006-19
pp.103-107
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