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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2009年度)

「from:2009-04-13 to:2009-04-13」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2009-04-13
12:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM
滋賀秀裕高島大三郎白武慎一郎穂谷克彦宮川 正荻原 隆福田 良滝澤亮介初田幸輔松岡史宜長冨 靖橋本大輔西村久明日岡 健堂前須弥子東芝ICD2009-1
強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAM並みの高速アクセスとフラッシュメモリ等の有する不揮発性とを兼ね備えており、次世代の... [more] ICD2009-1
pp.1-6
ICD 2009-04-13
13:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式
秋山 悟関口知紀竹村理一郎小田部 晃伊藤清男日立ICD2009-2
 [more] ICD2009-2
pp.7-12
ICD 2009-04-13
14:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
杉林直彦根橋竜介崎村 昇本庄弘明斉藤信作NEC)・伊藤雄一NECエレクトロニクス)・三浦貞彦加藤有光森 馨NEC)・尾崎康亮小林洋介NECエレクトロニクス)・大嶋則和木下啓藏鈴木哲広永原聖万NECICD2009-3
 [more] ICD2009-3
pp.13-17
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
ICD 2009-04-14
10:15
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
藤村勇樹平林 修川澄 篤鈴木 東武山泰久櫛田桂一佐々木貴彦片山 明深野 剛中里高明志津木 康串山夏樹矢部友章東芝ICD2009-5
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,... [more] ICD2009-5
pp.21-26
ICD 2009-04-14
10:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM
吉本秀輔井口友輔奥村俊介藤原英弘野口紘希神戸大)・新居浩二ルネサステクノロジ)・川口 博吉本雅彦神戸大ICD2009-6
本論文では,低電圧動作,小面積10T SRAMセルを提案する.提案10Tセルは,従来10Tセルと比較して回路構成を単純化... [more] ICD2009-6
pp.27-32
ICD 2009-04-14
11:05
宮城 大観荘(宮城県松島町) 7T/14TディペンダブルSRAMおよびハーフセレクト回避セル配置構造
奥村俊介藤原英弘井口友輔野口紘希川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JSTICD2009-7
本稿ではハーフセレクト対策を考慮した7T/14TディペンダブルSRAMを提案する.ディペンダブルSRAMは1ビットのデー... [more] ICD2009-7
pp.33-38
ICD 2009-04-14
13:00
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ
二山拓也藤田憲浩常盤直哉進藤佳彦枝広俊昭東芝)・亀井輝彦那須弘明サンディスク)・岩井 信加藤光司福田康之金川直晃安彦尚文東芝)・松本雅英サンディスク)・姫野敏彦橋本寿文東芝ICD2009-8
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微... [more] ICD2009-8
pp.39-42
ICD 2009-04-14
13:50
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー
本間充祥東芝)・Cuong Trinhサンディスク)・柴田 昇中野 威小川幹雄佐藤順平竹山嘉和磯部克明東芝)・Binh LeFarookh MoogatNima MokhlesiKenji KozakaiPatrick HongTeruhiko Kameiサンディスク)・岩佐清明東芝ICD2009-9
43nmの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったNANDフラッシュメモリーを開発した。1チップの容量として... [more] ICD2009-9
pp.43-46
ICD 2009-04-14
14:35
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路
安福 正石田光一東大)・宮本晋示中井弘人東芝)・高宮 真桜井貴康竹内 健東大ICD2009-10
NANDフラッシュSSD向けの電源回路にブーストコンバータを用いることを提案し、その制御方法として、周波数、デューティを... [more] ICD2009-10
pp.47-52
ICD 2009-04-14
15:25
宮城 大観荘(宮城県松島町) 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討
菅野孝一渡辺重佳湘南工科大ICD2009-11
 [more] ICD2009-11
pp.53-57
ICD 2009-04-14
15:50
宮城 大観荘(宮城県松島町) スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討
玉井翔人渡辺重佳湘南工科大ICD2009-12
 [more] ICD2009-12
pp.59-64
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