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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-11-17 to:2011-11-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長 ○菊地諒介・奥村宏典・木本恒暢・須田 淳（京大）  ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 |
本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を... [more] | ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 ○宮川鈴衣奈・楊 士波・三宅秀人・平松和政（三重大）・桑原崇彰・桑野範之・光原昌寿（九大） ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 |
高性能深紫外受発光デバイスへの応用に，AlN膜の高品質化が求められている．本研究では，核形成層である中温(medium-... [more] | ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 pp.5-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大） ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット... [more] | ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 11:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | SiO2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究 ○谷本 勝・酒井士郎（徳島大） ED2011-76 CPM2011-125 LQE2011-99 |
[more] | ED2011-76 CPM2011-125 LQE2011-99 pp.15-18 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 12:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 ○藤倉序章・大島祐一・吉田丈洋・目黒 健・斉藤俊也（日立電線） ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 |
我々の開発したボイド形成剥離法（Void-Assisted Separation; VAS法）において、GaN自立基板成... [more] | ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 pp.19-24 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 pp.25-28 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
[more] | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 pp.29-33 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 |
[more] | ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103 pp.35-38 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 14:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構 ○奥田貴史・三宅裕樹・木本恒暢・須田 淳（京大） ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104 |
[more] | ED2011-81 CPM2011-130 LQE2011-104 pp.39-42 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 pp.43-48 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT） ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）において、高電流化およびデバイス作... [more] | ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 pp.49-54 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] | ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 pp.55-60 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 16:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 ○西森理人・牧山剛三・多木俊裕・山田敦史・今西健治・吉川俊英・原 直紀・渡部慶二（富士通研） ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 |
[more] | ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 pp.61-65 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ ○成田知隆・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 |
シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transisto... [more] | ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 pp.67-70 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:35 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化物半導体太陽電池の集光特性 ○森 美貴子・山本翔太・桑原洋介・藤井崇裕・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 |
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] | ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 pp.71-75 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大） ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は，結晶場相互作用によって既約 表現がΓ1 とΓ5 ... [more] |
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 pp.77-80 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:55 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 ○井手公康・山本準一・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 |
AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化する... [more] | ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 pp.81-85 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 ○山口敦史（金沢工大）・耿 慧遠・砂川晴夫・石原裕次郎・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属） ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 |
GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電... [more] | ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 pp.87-91 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 11:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs ○Yoon Seok Kim・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Kyono・Masaki Ueno・Takao Nakamura（Sumitomo Electric） ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 |
[more] | ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 pp.99-102 |
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