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マイクロ波研究会 (MW) (検索条件: 2016年度)
「from:2017-01-26 to:2017-01-26」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大）  ED2016-96 MW2016-172 |
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] | ED2016-96 MW2016-172 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］高周波GaN-HEMTの製品化の経緯 ○舘野泰範（住友電工） ED2016-97 MW2016-173 |
[more] | ED2016-97 MW2016-173 pp.7-12 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］ミリ波GaN HEMTの現状 ○牧山剛三・新井田佳孝・尾崎史朗・多木俊裕・岡本直哉・美濃浦優一・佐藤 優・鎌田陽一・常信和清・渡部慶二（富士通）・宮本泰幸（東工大） ED2016-98 MW2016-174 |
[more] | ED2016-98 MW2016-174 pp.13-16 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 ○須田 淳（京大） ED2016-99 MW2016-175 |
高耐圧，低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている．高性能デバイスの試作報告も... [more] | ED2016-99 MW2016-175 pp.17-18 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 ○乙木洋平（SCIOCS） ED2016-100 MW2016-176 |
GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の... [more] | ED2016-100 MW2016-176 pp.19-22 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） ED2016-101 MW2016-177 |
本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] | ED2016-101 MW2016-177 pp.23-28 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:30 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研） ED2016-102 MW2016-178 |
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] | ED2016-102 MW2016-178 pp.29-33 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 10:30 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | アンテナ-共振器間の飛越結合を用いた有極形フィルタリングアンテナの設計 ○宮崎寿基・大平昌敬・馬 哲旺・王 小龍（埼玉大） ED2016-104 MW2016-180 |
フィルタリングアンテナにおいて，スカート特性の急峻化のために阻止域に伝送零点を生成することは必要不可欠である．しかし，従... [more] | ED2016-104 MW2016-180 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 10:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | マイクロストリップコンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタの設計手法の改善 ○張 茹・馬 哲旺・大平昌敬・王 小龍（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大） ED2016-105 MW2016-181 |
[more] | ED2016-105 MW2016-181 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 11:20 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-106 MW2016-182 |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する． 本スイッチにはSi基板上に... [more] | ED2016-106 MW2016-182 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2016-107 MW2016-183 |
[more] | ED2016-107 MW2016-183 pp.57-62 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 13:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～ ○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2016-108 MW2016-184 |
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が，GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流，ゲートリーク電流... [more] | ED2016-108 MW2016-184 pp.63-68 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-109 MW2016-185 |
[more] | ED2016-109 MW2016-185 pp.69-73 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 ○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機） ED2016-111 MW2016-187 |
短ゲート長（Lg=0.15 um）GaN HEMT を用いた30W級X帯GaN電力増幅器について報告する。本電力増幅器で... [more] | ED2016-111 MW2016-187 pp.81-84 |
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