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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2014年11月 6日(木) 10:05 - 15:30
2014年11月 7日(金) 10:00 - 14:40
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 2号室 
住所 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/about/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月6日(木) 午前 
座長: 山川真弥 (ソニー)
10:00 - 11:45
  10:00-10:05 オープニング アドレス ( 5分 )
(1) 10:05-10:30 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル SDM2014-96 呂 鴻飛佐藤伸吾大村泰久関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大
(2) 10:30-10:55 Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討 SDM2014-97 大村泰久佐藤伸吾関西大)・アブヒジット マリックカルカッタ大
(3) 10:55-11:20 モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 SDM2014-98 岡本 稔清水 守大倉康幸山口 憲小池秀耀アドバンスソフト
(4) 11:20-11:45 SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ~ 双対性による逆方向電流のモデル化 ~ SDM2014-99 山本哲也澤井徹郎堀川信之神澤好彦水谷研治大塚信之藤井英治パナソニック
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
11月6日(木) 午後 
座長: 國清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
13:00 - 15:30
(5) 13:00-13:50 [招待講演]デバイス・シミュレーション ~ 30年間を振り返って ~ SDM2014-100 執行直之東芝
(6) 13:50-14:40 [招待講演]計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展 SDM2014-101 影島博之島根大
(7) 14:40-15:30 [招待講演]電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 SDM2014-102 石原貴光安田直樹藤井章輔東芝
11月7日(金) 午前 
座長: 安斎久浩 (ソニー)
10:00 - 11:40
(8) 10:00-10:50 [招待講演]SISPAD 2014 レビュー SDM2014-103 園田賢一郎ルネサス エレクトロニクス
(9) 10:50-11:15 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果 SDM2014-104 末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大
(10) 11:15-11:40 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 SDM2014-105 土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大
  11:40-13:00 昼食 ( 80分 )
11月7日(金) 午後 
座長: 小田義則 (STARC)
13:00 - 14:40
(11) 13:00-13:50 [招待講演]ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング SDM2014-106 三木浩史日立
(12) 13:50-14:40 [招待講演]Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism SDM2014-107 ChoongHyun LeeTomonori NishimuraAkira ToriumiUniv. of Tokyo

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩 (ソニー)
E--mail: HiAniny

国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
E--mail: zns 


Last modified: 2014-10-09 08:31:33


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