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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-11-15 to:2012-11-15」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-11-15 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ 量子輸送，新材料，原子・分子モデリング，その他 ～ ○鎌倉良成（阪大）  SDM2012-98 |
[more] | SDM2012-98 pp.1-4 |
| SDM | 2012-11-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ～ ○飯塚貴弘（広島大） SDM2012-99 |
国際会議 2012 SISPAD (9/5, 6, 7, 米国コロラド州デンバーにて開催)の発表論文からコンパクトモデル... [more] | SDM2012-99 pp.5-7 |
| SDM | 2012-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～ ○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム） SDM2012-100 |
超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し，超小型・高効率モジュールを実現． [more] | SDM2012-100 pp.9-10 |
| SDM | 2012-11-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法 ○野村勝也・近藤継男・石川 剛・川本敦史・松森唯益・杉山隆英（豊田中研） SDM2012-101 |
トポロジー最適化の考え方を適用したパワーデバイスの構造設計手法の初期検討を行った。オン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を目... [more] | SDM2012-101 pp.11-14 |
| SDM | 2012-11-15 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 ～ 1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで ～ ○大毛利健治（筑波大） SDM2012-102 |
[more] | SDM2012-102 pp.15-19 |
| SDM | 2012-11-15 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 ○陳 杰智・平野 泉・辰村光介・三谷祐一郎（東芝） SDM2012-103 |
近年，さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] | SDM2012-103 pp.21-24 |
| SDM | 2012-11-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 ○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） SDM2012-104 |
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] | SDM2012-104 pp.25-30 |
| SDM | 2012-11-16 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 ○佐藤大貴・大村泰久（関西大） SDM2012-105 |
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低... [more] | SDM2012-105 pp.31-36 |
| SDM | 2012-11-16 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算 ○渡辺龍太・鎌倉良成（阪大） SDM2012-106 |
[more] | SDM2012-106 pp.37-42 |
| SDM | 2012-11-16 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ～ KMCとNEGFによる研究 ～ ○森 伸也（阪大）・植松真司（慶大）・三成英樹・ミリニコフ ゲナディ（阪大）・伊藤公平（慶大） SDM2012-107 |
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について，動的モンテカルロ（KMC）法と非平衡グリーン関数（NE... [more] | SDM2012-107 pp.43-46 |
| SDM | 2012-11-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション ○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） SDM2012-108 |
ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布，いわゆるホットスポットの熱散逸... [more] | SDM2012-108 pp.47-52 |
| SDM | 2012-11-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション ○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2012-109 |
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり，集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている．そこで本研... [more] | SDM2012-109 pp.53-58 |
| SDM | 2012-11-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析 ○鈴木 研・大西正人・三浦英生（東北大） SDM2012-110 |
カーボンナノチューブ（CNT）は，その発見以来，電子デバイスや各種センサへの応用が期待され様々な研究が行われている．例え... [more] | SDM2012-110 pp.59-61 |
| SDM | 2012-11-16 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ ○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研） SDM2012-111 |
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] | SDM2012-111 pp.63-68 |
| SDM | 2012-11-16 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション ○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・沼田達宏・中里和郎（名大） SDM2012-112 |
摂動法を用いた準弾道輸送円筒形Gate-all-around (GAA) MOSFETコンパクトモデルについて研究し、サ... [more] | SDM2012-112 pp.69-73 |
| SDM | 2012-11-16 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法 ○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2012-113 |
[more] | SDM2012-113 pp.75-80 |
| SDM | 2012-11-16 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 積層型Chain構造PRAM ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2012-114 |
[more] | SDM2012-114 pp.81-86 |
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